功率晶体管
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Efficient Energy Technology(EET)的SolMate® 选用EPC氮化镓器件，使效率倍增和延长了产品使用寿命
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利，是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷，这对于要求严格的硬开关应用至关重要，同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸，保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。
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CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。
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TI 提出了新的指数驱动因素
国际固态电路会议 ( ISSCC ) 是对 CMOS 晶体管缩放的庆祝活动。但在他的 ISSCC 全体会议上，TI 的首席技术官 Ahmad Bahai 要求采取不同的观点。他没有计算我们可以在微米级 CMOS 中渲染的晶体管数量，而是描述了一系列因素，包括巧妙的设计和专门的封装。
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EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。
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意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管
中国，2021年8月13日——意法半导体的STPOWERLDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。STPOWERLDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道...
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EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
这些新一代氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 满足了目前电动出行(eMobility)、交付和物流机器人，以及无人机市场所需的紧凑型 BLDC 电机驱动器和具成本效益、高分辨率的飞行时间(ToF)的新需求。
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关于锂离子电池需要均衡的几点原因及注意事项解析
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的锂离子电池，那么接下来让小编带领大家一起学习锂离子电池均衡。
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关于同步整流降压转换器损耗，你知道怎么处理吗？
什么是同步整流降压转换器损耗?你知道吗?本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后，会对各部位的损耗进行探讨。
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意法半导体推出世界首款驱动与GaN集成产品开创更小、更快充电器电源时代
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN®产品平台，这个集成化解决方案将有助于加快下一代400W以下轻便节能的用于消费电子和工业充电器和电源适配器的开发速度。
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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管
中国上海，2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，
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EPC公司进一步更新了其广受欢迎的氮化镓(GaN)功率晶体管及集成电路的播客系列
宜普电源转换公司(EPC)依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容，更新了首7个、合共14个教程的视频播客，与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用，例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。
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为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。
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新款350V GaN功率晶体管
EPC2050尺寸仅为1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2)，因而设计人员无需再在尺寸和性能之间做出取舍。鉴于EPC2050小巧的体积，采用高效率半桥驱动器的栅极驱动器占用的面积比同类硅解决方案小五倍。尽管其芯片级封装尺寸较小，但EPC2050能够比塑料封装的MOSFET更高效地处理
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增长14％！2018年功率晶体管销售额再创新记录
集微网消息，根据IC Insights的2019年OSD报告，功率晶体管的销售额增长率达到两位数，2018年增长14％，达到创纪录的163亿美元，更是打破2017年增长11％的纪录。
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功率晶体管助高效率、高功率密度转换器实现
在新式发电/节能技术及装置的背后，高频切换电源转换器扮演着极重要的角色。高频切换电源转换技术，乃是利用半导体功率组件以“高频切换”方式，结合各式能量转换组件如
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EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。
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EPC推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管 推动12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流 MHz、14 A输出电流
PC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率。宜普
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化镓功率晶体管
21IC讯 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额定电压为200 V、最大导通电阻RDS(on)为25 mΩ、脉冲输出电流为55 A。
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海拉、氮化镓系统及凯特琳大学联合发布业界领先电动汽车
汽车电子专家海拉，联合领先的氮化镓功率晶体管制造商氮化镓系统公司(GaN Systems)，以及凯特琳大学先进电力电子实验室充电技术领域学者成功研制了一台两电平电动汽车充电
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宜普电源转换公司推出双路增强型120 V、60 mΩ功率晶体管
宜普电源转换公司推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。EPC2110是一种具有120 VDS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装(1.35 mm x 1.35 mm)，于栅极施加5 V电压时的最高RDS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低RDS(on)、异常低的QG及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。
