21ic讯 宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。EPC2018 晶体管为5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件,其最大RDS(on)为25 mΩ,在栅极电压为 5 V。它可以实现更高
【导读】自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来,借助对新结构、新技术的研究,通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾,使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要
这些短路保护稳压器从汽车电池提供6, 7.5和9V的电压,其中13.5 V是标准的;但是,如果它们连接到一个变压器/整流器的平滑直流输出,依然运行正常。对于正负地面系统显示两种
【导读】中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告,此次集采涉及全国31个省市,采购规模约为20.7万个基站,共计55万载扇。与此同时,中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采,规模为
抗过饱和功能的直接删除电路原理图
HL202的合理应用的接线盒推荐参数
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络,Gen8+的推出将
1 引言微波功率晶体管(以下简称微波功率管)是指用于微波频段的功率放大,输出较大功率,散发出较高热量的晶体管。微波功率管是固态发射机及T/R组件的核心器件,其可靠性对系
21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络,Gen8+的推出将巩固恩智浦T
电压反馈的闭环速度控制系统
RF功率领域先驱者创建面向航空航天和国防市场的器件;采用多技术方法利用LDMOS、GaAs和GaN产品线的优势飞思卡尔半导体日前宣布了一项重大举措,主要展示其新型和现有商用RF功
射频(RF)功率晶体管领域的全球领先企业飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措,主要展示其新型和现有商用RF功率和微波RF器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(Ga
大功率射频(RF)功率晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前宣布已经售出超过1.75亿个塑料封装的高频大功率射频功率晶体管,达到了业界难以企及的里程碑高度。飞思卡尔的射频功率模压塑料封装凭借高性价比和可靠性
这个电路使用变压器,整流二极管必须是非常高的峰值正向电流,典型100A以上。7812芯片将只通过1安培或更少电流,其余通过外接的晶体管流过。由于电路设计处理高达30安培负载
LAS6350典型应用电路 采用过电流频率偏移的锯齿波振荡器,具有双脉冲抑制的线性后沿脉宽调整电路、温度补偿电路、电压基准电路、独立的误差放大器、功率晶体管输出级和过
自动断路6A/12V充电电路自动断路6A/12V充电电路如图为自动断路的6A/12V充电电路。该电路充电分3个阶段。第1个阶段在蓄电池电荷完全放完情况下,只有约2A电流充电,从而防止
本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作
本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作
随着油电混合车和电动车技术的演进,逆变器驱动技术已经进入汽车领域,从空调机和加热系统等低功率应用,一直到驱动和再生制动系统等高功率应用,所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来