功率晶体管

如何保护汽车逆变器设计中的功率晶体管

随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来

如何保护汽车逆变器设计中的功率晶体管

随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来

飞思卡尔Airfast方案新增48V LDMOS射频功率晶体管

21ic讯 飞思卡尔半导体公司为先进的Airfast射频功率产品系列推出最先两款产品，以满足市场对符合成本效益，同时又能够支持飞速提升的数据速率、多重无线标准以及不断增加的网络复杂性的射频功率解决方案的需求。新产

功率晶体管的过热保护电路

功率晶体管的保护电路

恩智浦推出采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装，是恩智浦中功率晶体管家族中的

ST高频功率晶体管延长医疗影像设备使用寿命

意法半导体（ST）推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间，并可提高应用性能及降低设备成本。 经制程升级后，意法半导体最新的射频功率MOSFET晶体管可承受

大功率晶体管驱动电路的设计及其应用

摘要：介绍了大功率晶体管（GTR）基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求及其设计方法，并给出一种实用的驱动电路。 关键词：大功率晶体管；基极驱动电路；分析；设计 　 1 引言 作为逆变电路中的核心部

富士通展示GaN功率晶体管的试制晶圆

富士通半导体在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕张Messe会展中心）上，展示了集成GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆。在该元件量产线所在的会津若松市的工厂中进行了试制。面向2012年的正式量产，将于20

恩智浦超高频(UHF)射频功率晶体管发布

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DV

LDMOS超高频射频功率晶体管BLF888A（NXP）

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB

全新650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管（英飞凌）

英飞凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于

两款LDMOS射频功率晶体管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）

飞思卡尔半导体公司今天推出两款LDMOS射频功率晶体管。在中国，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。 这些先进

IC Insight：2010功率晶体管市场达到新高

按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。IC Insight预测, 功率晶体

英飞凌宣布与飞兆半导体侵权诉讼达成和解

关键字: 超结功率晶体管 飞兆 英飞凌 英飞凌科技公司日前宣布，该公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及

英飞凌和飞兆达成侵权诉讼和解协议

国际电子商情讯 英飞凌科技股份公司宣布，与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率

英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

英飞凌科技股份公司宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的

英飞凌和仙童半导体结束专利争端

北京时间12月30日午间消息（舒允文）英飞凌科技周二宣布，公司与仙童半导体（Fairchild Semiconductor International Inc，FCS）之间的专利侵权诉讼已达成和解，双方签署了一项交叉许可协议。2008年11月，仙童半导体

英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

英飞凌科技股份公司宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的

英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

英飞凌科技股份公司宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的