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IR推出IR3550 PowIRstage® 60A额定电流器件
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出集成式PowIRstage® 产品系列的第一个产品IR3550，比竞争对手的解决方案提供更高效率和更出色的热性能。该产品除了拥有最小的占位面积外，还简化了
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雷曼光电：向全资子公司增资
近日据中国半导体照明网记者了解，依据《深圳雷曼光电科技股份有限公司（以下简称“公司”）首次公开发行股票并在创业板上市招股说明书》披露的募集资金投资项目及实施方案，公司将通过对公司全资子公司——惠州雷曼
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DS1991L多密钥iButton替代方案
摘要：DS1991L多密钥iButton是由Maxim的6英寸晶圆厂生产，该晶圆厂的生产工艺已过时，且不再使用。DS1991L所提供的密码保护已不再是数据安全领域的新技术。Maxim已开发出安全级别高于DS1991L而且成本更低的替代方案。
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莱迪思公司推出三款新的低成本I / O接口板
21ic讯 莱迪思半导体公司日前宣布推出三款新的低成本的I / O接口板：MachXO™2280接口板、ispMACH ® 4256ZE接口板、Power Manager II POWR1014A接口板。莱迪思接口板评估套件能通过手动方式方便地访问密集间
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莱迪思公司推出三款新的低成本I / O接口板
21ic讯 莱迪思半导体公司日前宣布推出三款新的低成本的I / O接口板：MachXO™2280接口板、ispMACH ® 4256ZE接口板、Power Manager II POWR1014A接口板。莱迪思接口板评估套件能通过手动方式方便地访问密集间
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优化测试合格率 Multitest的MT2168确保最佳定位精度
面向集成设备制造商（IDM）和最终测试分包商，设计和制造测试分选机、测试座、测试负载板的领先厂商Multitest公司，日前宣布其MT2168拿放式分选机基于其业内领先的独特定位技术，带来显著的测试合格率优势。传统的分
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第七届广州国际LED展 雷曼光电擂响了开年销售战鼓
日前在广州中国进出口商品交易会琶洲展馆落下帷幕的第七届广州国际LED展，迎来了2011年LED界盛宴的开端。五光十色，流光溢彩，来自海内外的LED厂商如孔雀开屏般展示自己的LED产品，给观展人员带来极大的视觉冲击
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日本强震震惊电子元器件产业：短期必然涨价
日本发生的大地震对数十家半导体工厂的运营造成了影响，使人担心这会导致多种被广泛应用的半导体元件供应短缺或价格上涨，特别是用于智能手机和平板电脑等畅销产品的闪存芯片。根据Isuppli（一家针对点子领域的研究公
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莱迪思Platform Manager器件开始量产
莱迪思半导体公司(NASDAQ: LSCC)今天宣布，其屡获殊荣的Platform Manager™系列产品完全合格并进入量产阶段。与此量产信息发布相配合的是更新的PAC-Designer® 6.0.1设计软件，它使模拟和电路板设计师将电路
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DS34S132与TDMoP器件互操作的实现
DS34S132与TDMoP器件互操作的实现
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国内LED照明企业有望走进日本灾后的重建工程
日本作为全球电子产品需求大国,大地震后短期内对消费电子的需求产生一定负面影响。根据isuppli统计,2010年,日本电子设备产值占当年全球市场份额的13.9%,同年日本半导体产量占全球市场份额的20%以上,从电子产业整体来
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EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅
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安森美推出多款新LDO线性稳压器
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出3种新系列的宽输入电压、低压降(LDO)线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加新器件，进一步增强了公司在此领域的强劲实力。这些互补金属氧化物半导体(CMOS)器件使用
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安森美推出多款新LDO线性稳压器
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出3种新系列的宽输入电压、低压降(LDO)线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加新器件，进一步增强了公司在此领域的强劲实力。这些互补金属氧化物半导体(CMOS)器件使用
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电子元器件：短期必然涨价
早报记者 忻尚伦 日本发生的大地震对数十家半导体工厂的运营造成了影响，使人担心这会导致多种被广泛应用的半导体元件供应短缺或价格上涨，特别是用于智能手机和平板电脑等畅销产品的闪存芯片。根据Isuppli(一家
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EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅
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EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅
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日本强震导致电子元器件短期必然涨价
日本发生的大地震对数十家半导体工厂的运营造成了影响，使人担心这会导致多种被广泛应用的半导体元件供应短缺或价格上涨，特别是用于智能手机和平板电脑等畅销产品的闪存芯片。根据Isuppli（一家针对点子领域的研究公
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Ramtron发布W系列F-RAM存储器
21ic讯 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器，W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口，能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（activ
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新一代RFID解决方案面向数据丰富应用
关键字： 铁电存储器 MaxArias RFID “铁电存储器(F-RAM)的读写操作类似RAM存储器。它可以保存数据长达20年；
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