爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布推出面向2至12英寸触摸屏应用的maXTouch™ E系列单芯片电容式触摸屏控制器。新推出的E系列产品包括mXT224E、mXT384E、mXT540E和mXT768E器件,采用第三代电容式触摸引擎
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)将于2011年2月24至26日在深圳会展中心举行的IIC-China展示其最新产品。产品演示将在主展厅的2
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
在设计LED恒流源时为保持严格的滞环电流控制,电感必须足够大,保证在HO,ON 期间,能向负载供应能量,避免负载电流显著下降,导致平均电流跌到期望值以下.首先,我们来看一下电感的影响,假设没有输出电容(COUT)的存在,这样
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST),将在2011年2月14 ~17日,于西班牙巴塞罗那的移动通信世界大会(Mobile World Congress)7A馆106展位展出最新的创新成果。现场将展示可为下一代手机和便携产品实现自然
Altera公司今天宣布,公司成功完成了StratixIV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性,为数据流量管理和
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。IRF6811和
摘要:采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司(PowerIntegrationsInc.)于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TO
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赛普拉斯半导体公司日前宣布新推出一款高性能单芯片TrueTouch™解决方案,用于大尺寸多点触摸屏,最高可支持11.6英寸的屏幕尺寸。全新的CY8CTMA884系列具有60个感应I/O通道,最多可支持884个屏上节点,这比任何
Altera公司日前宣布,公司成功完成了Stratix IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性,为数据流量管
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850,扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术,VSLY5850在100mA驱动电流下
摘要:介绍一种计量电池容量的方法,即对电池充进能量和放出能量进行计算并乘以相应的损失系数从而指示电池的容量。采用对电流变换后的脉冲计数的方法,实现适用多数充放电情况的电池容量计量。研究实施该方法的技术
读过《明朝那些事儿》的人应该还记得,朱元璋有个做人的哲学方法,“要么不做,要么做绝”。对待贪官,要么不理,兄弟关系怪好不错的,贪个差不多就自己知趣点收手算了,如果过分了,直接就砍了,甚至株连
Altera公司日前宣布,公司成功完成了Stratix® IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine®器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip™接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界