-
运动补偿帧速率转换处理器VHD1200 和 VHD2400（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出采用集成分辨率增强引擎的运动补偿帧速率转换处理器，可用于 120Hz 和 240Hz 电视和高清视频投影仪。新的 IDT VHD1200 和 VHD2400 器件采用业界领先的 IDT
-
本土企业将领跑光电显示薄膜器件市场
近年来，液晶面板的快速发展，致使液晶电视在销量上实现了突破性的飞跃。尤其是随着部分面板厂商在中国境内投资的多家用于液晶电视面板的高世代TFT LCD面板厂的陆续量产，全面带动了中国液晶电视市场的高速度成长。据
-
激光蚀刻技术于传统的化学蚀刻技术的比较
激光蚀刻技术比传统的化学蚀刻技术工艺简单、可大幅度降低生产成本，可加工0.15～1微米宽的线，非常适合于超大规模集成电路的制造。激光微调技术可对电阻进行自动精密微调，精度可达0.01%～0.002%，比传统加工方法的
-
全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
-
全新计量 IC 系列（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出其第一个针对智能电表的计量 IC 系列，进入智能电网行业。全新的 IDT 解决方案具有业界最宽的动态范围以及极高的精度，有利于提高智能电表的性能。新
-
150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
-
150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
-
全新HEXFET®功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以
-
全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
-
全新20V NPN及PNP双极晶体管（Diodes）
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
-
物联网的MEMS感知器件与应用
6月22日至23日，由上海市通信管理局、中国国际贸易促进委员会上海分会、中国联通上海公司主办，中国电信上海公司、中国移动上海公司共同主办的 2010中国国际物联网大会第三届上海通信发展论坛在上海举行。 以下是
-
采用TRIQUINT CuFlip技术的器件已出货超1亿片
TRIQUINT半导体公司日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术（CuFlip）的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip(读作CopperFlip)具有优异的射频性能和设计灵活性，可加快生产和组装速度。Tri
-
TRIQUINT宣布采用其CuFlip 技术的器件已出货超1亿片
全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商TriQuint半导体公司，日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术(CuFlip™)的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip (读作Copper Flip)
-
TRIQUINT宣布其采用CuFlip技术的器件已出货超1亿片
TriQuint半导体公司日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术（CuFlip™)的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip (读作Copper Flip) 具有优异的射频性能和设计灵活性，可加快生产和组装
-
三款新型500V N沟道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48
-
USB3.0外设电源设计技术
同PC机原先的串口、并口相比，USB口除能大幅提高数据传输速率之外，还具有为外部设备供电的能力。USB外设电源的合理设计，也就成为可以探讨的实际问题。本文参照USB的有关技术规范，阐述USB外设电源的一般设计原则，
-
离线式LED驱动器NCL30001（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)进一步扩充LED照明方案阵容，推出以单段集成功率因数校正(PFC)和隔离型降压交流-直流(AC-DC)电源转换的新离线式LED驱动器——NCL30001。这器件省下专用PFC升压段，减少元件数量，降低
-
安捷伦器件仿真软件协助华虹NEC开发出射频组件仿真平台
安捷伦科技宣布上海华虹NEC电子公司已成功运用安捷伦的集成电路特性描述与分析程序 (IC-CAP) 软件，开发出0.35和0.18 微米射频半导体组件适用的射频组件仿真平台。 华虹NEC利用IC-CAP软件的 各项先进功能，开发出
-
巧用LM567作电热器件调温节电器电路图
巧用LM567作电热器件调温节电器电路图
-
USB3.0外设电源设计技术
同PC机原先的串口、并口相比，USB口除能大幅提高数据传输速率之外，还具有为外部设备供电的能力。USB外设电源的合理设计，也就成为可以探讨的实际问题。本文参照USB的有关技术规范，阐述USB外设电源的一般设计原则，
dog_xin
jasontu
hjl2832
火焰舞者
happde
happde
wcg13537439710
fanguang2003
剑圣灬哥
lixiangyu808
MinMinMin
htjxianjian
GB20
天命风流
小小Lotous
m564522634
SerenityPjb
HDIY
yangsong901123
lghtjpu
