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中国IC专利申请量增多
2009年，国际金融危机对全球半导体市场造成了较大影响，我国集成电路产业亦首次出现了负增长。然而，在国家大力发展战略新兴产业的大背景下，3G、移动通信、半导体照明、汽车电子等新兴领域正在迅速发展，其中孕育的
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Vishay发布如何节省器件空间和成本的视频教程
日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本，该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频，展示SiZ
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一款被完全误解的器件
为什么仪表放大器常常被人们误解呢？图 1 所示的 三运放仪表放大器看似为一种简单的结构，因为它使用已经存在了几十年的基本运算放大器 (op amp) 来获得差动输入信号。运算放大器的输入失调电压误差不难理解。运算放
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GaN（氮化镓）射频器件市场分析
MILMEGA有限公司总经理 Pat Moore 氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 与现有技术相比，
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新款XPhase芯片组 IR3521及IR3529（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3521及IR3529 XPhase芯片组解决方案，为新一代高性能AMD处理器的整个负载范围提供卓越的效率。IR3521 XPhase控制IC支持高速 (HS) I2C串行通信，以提供整体系
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使用LED边缘光源技术优化背光系统
经过优化，有着优异发光效率的背光单元的系统设计使LED技术的优点发挥到了极致。这些优点的意义非常重大，使得LED正飞快地朝着更薄和更高效的方向发展。
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新款XPhase芯片组 IR3521及IR3529（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3521及IR3529 XPhase芯片组解决方案，为新一代高性能AMD处理器的整个负载范围提供卓越的效率。IR3521 XPhase控制IC支持高速 (HS) I2C串行通信，以提供整体系
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使用LED边缘光源技术优化背光系统
经过优化，有着优异发光效率的背光单元的系统设计使LED技术的优点发挥到了极致。这些优点的意义非常重大，使得LED正飞快地朝着更薄和更高效的方向发展。
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DRAM第一季度表现强劲，预示2010年好光景
DRAM产业第一季度表现强劲，令iSuppli公司憧憬2010年可能是该产业有史以来产业最好的一年。第一季度DRAM产业的销售收入达到95亿美元，高于iSuppli公司预测的86亿美元。DRAM产业不仅保持销售收入环比增长势头，而且创
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DRAM第一季度表现强劲 预示2010年好光景
DRAM产业第一季度表现强劲，令iSuppli公司憧憬2010年可能是该产业有史以来产业最好的一年。第一季度DRAM产业的销售收入达到95亿美元，高于iSuppli公司预测的86亿美元。DRAM产业不仅保持销售收入环比增长势头，而且创
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超高容值液钽电容器10011器件（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出通过新DSCC Drawing 10011认证的超高容值液钽电容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高达72,000µF的容值，采用A、B和C外形编码。对于高可靠性应用，100
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扩展电容式触摸产品组合（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出电容式触摸器件 IDT PureTouch® 系列最新产品。PureTouch 技术面向低频通道消费、白色家电和便携式设备，可实现按键、滑条和滚轮方案。通过融入
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可以进行4个象限相乘的模拟乘法运算电路
电路的功能MC1494L是双平衡差动放大器、电压-电流转换电路等构成的单片模拟乘法运算IC，是一种可由外接器件设定工作条件的通用乘法电路，能够进行4象限乘法运算，适用范围于输入电压为正负10V的各种运算电路。电路工
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新型POLYZEN器件（泰科电子）
泰科电子（Tyco Electronics）宣布推出PolyZen™ ZEN059V130A24LS 器件。这款集成器件可为带有USB接口的电子产品提供全面电路保护，同时满足USB3.0挂起模式下的功耗要求。相比于USB2.0规范中的500mA工作电流，U
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飞思卡尔凭借四款面向基站设备优化的器件进入GaAs MMIC市场
思卡尔半导体日前凭借推出专为无线网络应用的宏基站、中继站和家庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件，进入砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）市场。这些器件适合低噪放大器和发射功率放大器它们是无线基础
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1A 非常低压差线性稳压器LT3022（Linear）
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1A 非常低压差线性稳压器 (VLDO™) LT3022，该器件具有低至 0.9V 的输入电压能力和低至 0.2V 的可调输出电压。LT3022 的低 VIN 能力加之该器件的低压差 (满
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1A 非常低压差线性稳压器LT3022（Linear）
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1A 非常低压差线性稳压器 (VLDO™) LT3022，该器件具有低至 0.9V 的输入电压能力和低至 0.2V 的可调输出电压。LT3022 的低 VIN 能力加之该器件的低压差 (满
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第三代高速600V和1200V IGBT（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需
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四款面向基站设备优化的器件（飞思卡尔）
飞思卡尔半导体日前凭借推出专为无线网络应用的宏基站、中继站和家庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件，进入砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）市场。这些器件适合低噪放大器和发射功率放大器 – 它们是无
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宜宾“临港”建设西南磁电产业园
四川宜宾临港经济开发区内将建设西南 （金川）磁电产业园，其中，以宜宾金川电子有限责任公司 （国营第八九九厂）为园区产业建设的核心企业。市委常委、常务副市长，临港经济开发区党工委书记、管委会主任徐进前往金
