Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET ---Si8800EDB,该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可减
随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
英国爱丁堡,2010年7月27日——欧胜微电子有限公司日前宣布:其业内率先定义开发的WM8993音频中心解决方案和编号为WM9093的创新型高性能低功耗音频放大器已被LG选用,用来为其一系列高集成度移动电话和智能手机提供世
采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现
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据SEMI SMG发布的季度统计,2010年第二季度全球硅晶圆出货量较第一季度有所增长。第二季度硅晶圆出货总面积为23.65亿平方英寸,较第一季度的22.14亿平方英寸增长7%,较去年第二季度增长40%,创下了历史新高。“第二季
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为
升特公司(Semtech)日前发布了SC442,该公司第一款集成了3A升压功率开关的10通道白光LED驱动器。这款器件采用超小超薄的4x4x0.6mm 28脚 MLPQ封装,能驱动多达120只的LED,每通道电流高达30mA。它具有高密度封装、较
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LED照明供应商奥的亮照明国际(奥的亮)近日再次与LED制造商科锐(Cree)公司合作,为新加坡最具有历史的裕廊镇(Jurong Town)公共住房完成大型照明升级项目的第一期工程。作为新加坡政府有史以来规模最大的公共LED
英飞凌科技股份公司近日推出具备最高灵敏度和低功耗特性的三款增强型无线控制接收器。TDA5240、TDA5235和 TDA5225支持多频段(315MHz、434MHz、868MHz和915MHz),可实现全球覆盖,十分适用于不同的汽车应用,包括远
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻(RDS(on))应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列,包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO
升特公司(Semtech)日前发布了SC442,该公司第一款集成了3A升压功率开关的10通道白光LED驱动器。这款器件采用超小超薄的4x4x0.6mm 28脚 MLPQ封装,能驱动多达120只的LED,每通道电流高达30mA。它具有高密度封装、较
升特公司(Semtech)日前发布了SC442,该公司第一款集成了3A升压功率开关的10通道白光LED驱动器。这款器件采用超小超薄的4x4x0.6mm 28脚 MLPQ封装,能驱动多达120只的LED,每通道电流高达30mA。它具有高密度封装、较
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB,该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出采用集成分辨率增强引擎的运动补偿帧速率转换处理器,可用于 120Hz 和 240Hz 电视和高清视频投影仪。新的 IDT VHD1200 和 VHD2400 器件采用业界领先的 IDT