器件

飞思卡尔推出新器件系列，加强在消费电子领域的RF领先地位

中国上海(飞思卡尔技术论坛)， 随着消费者对更多集成的家庭娱乐设备和隐藏式外设需求的增加，射频(RF)器件的制造商正在设计性能更好、效率更高以及更经济的解决方案，以满足这些需求。为了满足这种技术需求，IEEE&re

水清木华：2010年中国电子元件行业研究报告

研究机构水清木华最新报告指出，继2009年2季度触底反弹后，2010年上半年中国电子元件行业呈现快速增长的形势，下半年将继续保持稳定增长。预计2010年中国全年销售收入增长15%，出口增长超过20%。2011-2012年，中国

新款12位和10位混合信号前端（ADI）

Analog Devices, Inc. (ADI)推出新款12位和10位混合信号前端(MxFE)，有助于开发人员降低无线基础设施和便携式无线电设备的功耗，并缩减电路板空间。与竞争器件相比，12位AD9963和10位AD9961 MxFE的功耗降低40%，印刷

采用霍尔器件作限位器的电路

FPGA架构的功耗(图)

减少FPGA的功耗可带来许多好处，如提高可靠性、降低冷却成本、简化电源和供电方式、延长便携系统的电池寿命等。无损于性能的低功耗设计既需要有高功率效率的FPGA架构，也需要有能驾驭架构组件的良好设计规范。

飞思卡尔推出新器件系列，加强在消费电子领域的RF领先地位

2010年8月24日，中国上海（飞思卡尔技术论坛）， 随着消费者对更多集成的家庭娱乐设备和隐藏式外设需求的增加，射频（RF）器件的制造商正在设计性能更好、效率更高以及更经济的解决方案，以满足这些需求。为了满足

2010年MEMS市场分析：快速扩张，强力回升

据iSuppli公司分析，手机和消费电子产业对于传感器和激励器的需求，将帮助全球MEMS市场在2010年强力回升，结束之前两年的下滑局面。 预计今年MEMS市场将增长11 .1%，达到65.54亿美元，略高于2007年创下的高点65

MEMS市场将在2010年反弹 结束此前的下滑局面

据iSuppli公司，手机和消费电子产业对于传感器和激励器的需求，将帮助全球MEMS市场在2010年强力回升，结束之前两年的下滑局面。 预计今年MEMS市场将增长11 .1%，达到65.54亿美元，略高于2007年创下的高点65.5

MEMS市场将在2010年反弹，结束此前的两年下滑局面

据iSuppli公司，手机和消费电子产业对于传感器和激励器的需求，将帮助全球MEMS市场在2010年强力回升，结束之前两年的下滑局面。 预计今年MEMS市场将增长11 .1%，达到65.54亿美元，略高于2007年创下的高点65.50亿美元

美研制可自我校准的微机电系统

微机电系统在未来的高科技领域有很大的应用潜力，但目前它们也有一个难以克服的缺陷，那就是计量结果不够精确，彼此之间存在偏差。据报道，美国普渡 大学的研究人员现已找到了一种方法，可以让微机电系统进行自我校准

全新AUDO MAX系列32位微控制器（英飞凌）

英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车动力总成和底盘应用的全新AUDO MAX系列32位微控制器。AUDO MAX系列可为发动机管理系统满足欧5和欧6排放标准提供支持，使电动汽车的动力总成功能实现电气化。AUDO MAX系列的主要

线路驱动器件NCS5650（安森美半导体）

安森美半导体(ON Semiconductor)推出一款新的线路驱动器件NCS5650，用于智能电表、工业控制和街道照明等电力线载波(PLC)通信应用。NCS5650是一款高能效、低失真的AB类驱动器，专门用于驱动电力线路主电源(mains)，能

适用于超便携式电子产品的小型SOT963封装器件（Diodes）

Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60

科学家研制出可自我校准的微机电系统

微机电系统在未来的高科技领域有很大的应用潜力，但目前它们也有一个难以克服的缺陷，那 就是计量结果不够精确，彼此之间存在偏差。据《大众科学》杂志网站8月10日报道，美国普渡大学的研究人员现已找到了一种方法，

全新AUDO MAX系列32位微控制器（英飞凌）

英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车动力总成和底盘应用的全新AUDO MAX系列32位微控制器。AUDO MAX系列可为发动机管理系统满足欧5和欧6排放标准提供支持，使电动汽车的动力总成功能实现电气化。AUDO MAX系列的主要

适用于超便携式电子产品的小型SOT963封装器件（Diodes）

Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60

结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）

随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE

发改委亿元打造数字电视国家工程研究中心

8月7日，数字电视国家工程研究中心在上海浦东成立，标志着我国国家级的数字电视产业支撑平台正式投入运作。此前一日，国家发改委根据《国家高技术产业发展项目管理暂行办法》的规定，批准20余家企业的31项关于数字电

首款单栅极逻辑产品（Diodes）

Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。74LVCE1Gx

安森美半导体向三洋电机收购三洋半导体作为策略交易

2010年7月15日－安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation 美国纳斯达克上市代号：ONNN）及三洋电机株式会社(SANYO Electric Co., Ltd)（日本东京证券交易所代号：6764），今日宣布签署正式购买协议，涉及