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增强型25V及30V MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS8610
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C8051F020单片机及其在总磷在线自动分析仪中的应用
1 概述 C8051F0XX系列单片机是Cygnal公司新推出的一种混合信号系统级单片机。该系列单片机片内含CIP－51的CPU内核，它的指令系统与MCS－51完全兼容。其中的C8051F020单片机含有64kB片内Flash程序存储器，4352B
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LED器件对LED全彩显示屏性能参数的影响
李漫铁 (深圳雷曼光电科技有限公司,深圳,518108) 摘要：本文从LED器件的参数着手，分析了LED器件的各类参数对LED全彩显示屏整屏参数的影响，对LED显示屏的参数控制和品质提高具有指导意义。关键词：LED；全彩显示屏
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Altium为OrCAD Capture用户带来新的生机
继 2009 年 4 月 21 日向电子设计人员提出“什么使您与众不同”的问题之后，Altium再为前端电子设计人员推出功能强大的工具选择，使他们能够进入全新的设计领域并在快速发展的行业中做到真正的“与众不同”。Altium
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采用65纳米工艺的SRAM（赛普拉斯）
赛普拉斯日前宣布在业界率先推出采用 65 纳米线宽的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件样品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器采用了赛普拉斯合作伙伴
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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AUIRS4427S双低侧驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS4427S双低侧驱动IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。AUIRS4427S是一款低压、高速功率MOSFET和
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AUIRS4427S双低侧驱动IC（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS4427S双低侧驱动IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。AUIRS4427S是一款低压、高速功率MOSFET和
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的
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解读FPGA设计的安全性
与开发成本很高的ASIC相比，FPGA可重复编程的性能正受到系统设计者的青睐。此外， FPGA的性能和功能也越来越强大，包括32位软处理器、SERDES、 DSP块和高性能的接口。现在的低成本FPGA甚至可以满足大批量的应用。
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解读FPGA设计的安全性
与开发成本很高的ASIC相比，FPGA可重复编程的性能正受到系统设计者的青睐。此外， FPGA的性能和功能也越来越强大，包括32位软处理器、SERDES、 DSP块和高性能的接口。现在的低成本FPGA甚至可以满足大批量的应用。
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新型部分耗尽SOI器件体接触结构
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构，该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层，采用源漏浅结扩散，形成体接触的侧面引出，适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE一TCAD三维器件模拟结果表明，该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且，该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下，通过适当的增加si膜厚度的方法减小体引出电阻，从而更有效地抑制了浮体效应。
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爱特梅尔触摸屏控制器荣获《今日电子》年度产品奖
爱特梅尔触摸屏控制器荣获《今日电子》年度产品奖
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新型部分耗尽SOI器件体接触结构
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构，该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层，采用源漏浅结扩散，形成体接触的侧面引出，适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE一TCAD三维器件模拟结果表明，该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且，该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下，通过适当的增加si膜厚度的方法减小体引出电阻，从而更有效地抑制了浮体效应。
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选择一款节能、高效的MOSFET
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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爱特梅尔触摸屏控制器荣获《今日电子》年度产品奖
爱特梅尔公司 (Atmel® Corporation) 宣布其多点触控 (multi-touch) 器件AT42QT5320和AT42QT5480荣获权威电子刊物《今日电子》之2008年度产品奖。这两款爱特梅尔真正的双手指式触摸器件是由该杂志经验丰富的评审小
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艾比森LED显示屏挺进上海 连签三单
2009年3月，艾比森上海市场连连告捷，连续与三家客户签署销售合同，一举拓展上海这一市场空白区。至此，艾比森LED显示屏仅在国内就已经覆盖到30个省、市、自治区。 由于全球金融危机的影响，显示屏市场竞争日益激烈
