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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
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新加坡进口中国灯具概况
随着经济的发展和人民生活水平的提高，人们对于灯具的要求越来越高，不仅要求灯具的照明效果而且更注重灯具的装饰效果。近年来，新加坡政府不断推行公共房屋翻新计划，翻新楼宇的内部及外墙，维修街灯和小型公园等。
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
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新型 3mm 红外发射器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出 3mm (T1) 红外发射器 --- VSLB3940，拓展了其光电产品系列，且这些新器件的性能特征与领先的 5mm 发射器相当。新型 VSLB3940 940nm 红外发射器在 100 mA 时具有 65 mW/s
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新型3A降压转换器（Allegro）
Allegro®宣布推出新型 3 A 降压转换器，扩展其现有的通用降压稳压器系列。此新器件采用波谷电流回授控制。此控制方法可确保实现极低的开关时间，从而非常适合需要较高切换频率及高输入电压 (9 V - 46 V) 和低输出
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新型表面贴装红外发射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面贴装红外（IR）发射器系列，从而拓展了其光电子产品系列，这些新推出的器件具有远高于标准发射器技术的辐射强度。这些新型发射器采用 1.8mm（T¾）鸥翼式（
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高效灵活的HB LED驱动器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出电流模式、高亮度LED (HB LED)驱动器MAX16834，用于升压、升/降压、SEPIC及高边降压结构。该器件可降低固态照明(SSL)设计(如：MR16聚光灯)的尺寸、复杂度和成本，从而简化了绿色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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高效灵活的HB LED驱动器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出电流模式、高亮度LED (HB LED)驱动器MAX16834，用于升压、升/降压、SEPIC及高边降压结构。该器件可降低固态照明(SSL)设计(如：MR16聚光灯)的尺寸、复杂度和成本，从而简化了绿色照明技
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高效灵活的HB LED驱动器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出电流模式、高亮度LED (HB LED)驱动器MAX16834，用于升压、升/降压、SEPIC及高边降压结构。该器件可降低固态照明(SSL)设计(如：MR16聚光灯)的尺寸、复杂度和成本，从而简化了绿色照明技
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高效灵活的HB LED驱动器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出电流模式、高亮度LED (HB LED)驱动器MAX16834，用于升压、升/降压、SEPIC及高边降压结构。该器件可降低固态照明(SSL)设计(如：MR16聚光灯)的尺寸、复杂度和成本，从而简化了绿色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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业内最低导通电阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同
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业内最低导通电阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
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数字电视机顶盒主器件STx5105与QAMi5516的对比分析
数字电视机顶盒主器件的选择涉及多方面的因素。从硬件结构方面对STx5105和QAMi5516两款器件进行详细对比分析，主板电路设计采用不同的外部元器件设计主板，给出了高频头、内存型号的选择事项。事实证明，选择STx5105器件作为机顶盒主器件是一种理想选择。
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940nm表面贴装红外发射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面贴装红外 (IR) 发射器系列--- VSMB1940X01、VSMB3940X01、VSMB2020X01、VSMB2000X01。该系列器件的面世，进一步拓展了Vishay光电子产品系列。而更重要的是，这些新
