存储器
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相变存储器已经悄悄现身在手机产品中
相变存储器(phase-change memory，PCM) 已经悄悄现身在手机产品中?根据工程顾问机构 UBM TechInsights 的一份拆解分析报告，发现在某款神秘手机中，有一颗由三星电子(Sams
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视频压缩系统中大容量存储器的应用设计
O 引言随着航空航天航海等技术的发展，无论是星载还是舰载方面的技术要求，都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作，并且易于保存的大容量视频记录设
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美科学家开发“量子硬盘”概念认证
美国加州理工学院(California Institute of Technology，Caltech)已经证实，量子缠结(quantum entanglement)能同步传递整个量子信息区块(block)，为将来的“量子硬盘
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Vxworks下的高速缓冲存储器一致性问题
1. Vxworks下的高速缓冲存储器一致性问题美国风河(WindRiver)公司的VxWorks是目前最先进的实时嵌入式操作系统。Tornade是它的集成一体开发环境。然而，vxWorks下编程硬件驱
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一种通用的嵌入式系统ISP方法
摘要：针对没有集成ISP功能的MCU系统，提出了一种通用的嵌入式系统Flash在线编程(ISP)方案。该方案借用RAM作为ISP的程序存储器，可降低系统成本并具有较大的灵活性。以MC68332平台为例，详细介绍了这种ISP方案的具体
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基于多密钥iButton的智能水卡的设计
摘要：DS1991是一种多密钥信息纽扣，文章介绍了DS1991的主要特点、工作原理及读写方法。给出了一种基于DS1991和PIC单片机的智能水卡设计方案，同时给出了整个系统的硬件组成原理和软件设计方法。 关键词：信息纽扣;
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基于SDR SDRAM的视频数据逻辑分析存储器的设计与实现
摘要：针对传统硬件测试软件的弊端，文章提出一种便携式视频数据逻辑分析存储器的设计方法，这种分析存储器能够针对网络多媒体数据进行采集、分析和存储等操作。在不影响网络正常传输的前提下，针对TS流进行采集、存
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全球最小9纳米存储器亮相 性能提高20倍
半导体制程再告前进一里!财团法人国家实验研究院国家纳米元件实验室成功开发出9纳米的超节能存储器阵列晶胞，不仅容量较快闪存储器增加了20倍，同时也降低了两百倍的功耗，
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存储器大厂尔必达标准型DRAM将依赖台厂
日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加，但相较上季却是明显缩水，主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响，未来尔必达
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DRAM下季合约价喊涨
DRAM拉货潮启动，加上芯片厂制程推进受阻，主流DDR34Gb颗粒现货报价攀上4.35美元，创近一年半新高价，本季涨幅近二成，有机会向历史新高4.6美元迈进，华亚科、南科将成为大赢家。DRAM市调机构集邦科技表示，本季DRAM
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32位ARM内核微处理器W90N740及其应用
摘要：在对ARM体系结构进行分析的基础上，介绍了32位ARM核处理器W90N740的结构特点和优异性能，讨论了它的应用方法。给出了用 W90N740芯片降低系统成本的实现方案。 关键词
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嵌入式微处理器MCF5249及其应用
摘要：文中介绍了MOTOROLA公司的嵌入式微处理器MCF5249的原理、特点和引脚功能，说明了基于该处理器和嵌入式操作系统UCLINUX的网络相机结构，给出了用MCF5249进行网络相机设
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一种可进化IP核的设计和实现
摘要：提出一种可进化IP核的设计和实现方法。这种IP核采用进化硬件的设计思想，将遗传算法运用于硬件电路的设计中，使电路能根据当前的环境自动进行内部电路的时化，从而生
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美光多元化布局 不再独钟DRAM产品
美系存储器大厂美光(Micron)交出连续4季获利财报，美光近几年多角化发展十分成功，目前DRAM营收比重有仅剩下25%，受到下半年标准型DRAM价格重挫的冲击已大幅减少;然值得注意
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挑战快闪存储器 首款CBRAM预计明年亮相
一家股东包括半导体设备大厂应用材料(Applied Materials)的新创存储器公司Adesto Technologies，正准备推出首款导电桥接随机存取存储器(conductive-bridging RAM， CBRAM
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美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一
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清华大学开发新技术改善MRAM存储速度与功耗
来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术，号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善;这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少。上述新技术的基本
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日研制出4Tbit/平方英寸存储密度的铁电存储体
据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道，日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界
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Ramtron开始提供MaxArias无线存储器商用样片
低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布，已经开始提供基于F-RAM的MaxArias™无线存储器商用样
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大厂偏重生产移动存储器,DRAM供货吃紧
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，由于DRAM大厂持续将产能从标准型记忆体转移至行动式记忆体，加上部份DRAM厂转进25nm制程良率偏低及20nm制程转进有延宕的情形
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