DDR2和DDR31月上旬合约价走势迥异,DDR2合约价大跌,DDR3却大涨,凸显世代交替已提前来临,将加速DDR2需求急速降温,快速转移到DDR3身上,近期台系DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3,尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和
DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异,DDR2合约价大跌,DDR3却大涨,凸显世代交替已提前来临,将加速DDR2需求急速降温,快速转移到DDR3身上,近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3,尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶
存储器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类,DRAM及闪存类。由于其两大特征,能大量生产以及应用市场面宽,使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。纵观DRAM发展的历史,
2010年存储器产业热度急速升温,许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂,纷积极募资抢钱,而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱,未来再以货源抵债,近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援,
2010年存储器产业热度急速升温,许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂,纷积极募资抢钱,而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱,未来再以货源抵债,近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援,
由于存储器市场需求上升,但是投资显得严重不足,所以今年可能出现供不应求局面。按ICInsight数据,在2007年存储器投资达323亿美元,而在2009年为68亿美元,预计2010年为144亿美元。Bill McClean认为即便存储器投资1
Maxim推出集成MTP (多次可编程)存储器的10位gamma校准基准系统MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了数字可变电阻、VCOM放大器、gamma缓冲器、电阻串和高压线性稳压器等多个分立元件,极大地降低了方案成本。Maxim的M
哈哈,前一个项目终于完成了,费了那么多天的劲,确实也找到了一些设计上的缺陷和不合理的地方,在代码中也找到了几个BUG.呵呵. 现在将我在FPGA部分设计的一点心得记录下来. 故障情况: 外部EEPROM存储器在设备上电过程
芯片设计的进度经常估不准,连带影响芯片的开发成本、芯片的上市时间、及上市后的销售。许多芯片投制商(ASIC Supplier)会用总项目管理数据库来估算芯片投制设计的进度。同时绝大多数的进度估算都认为,投制设计完成
摘 要: 新型超大容量Flash存储器K9F2G08U0M的基本组织结构,给出了存储器与C8051F020单片机外部存储器接口(EMIF)的硬件连接方式以及存储器的主要操作流程和部分C语言代码。关键词: K9F2G08U0M 外部存储器接口 管道
按ICInsight的观点必须依重组经济的思维来看待全球IC产业的前景。 仅仅12个月IC产业结束了历史上最动荡的季度业绩变化。ICInsight总裁BillMaClean指出,当2008Q4和2009Q1时IC出货量达到创记录的季度最低值时,此后的
摘要:就闪存应用于星载大容量存储器时的写入速度慢、存在无效块等关键问题探讨了可行性解决方案,并在方案讨论的基础上论述了一个基于闪存的大容量存储器的演示样机的实现。 无效块空间飞行器的数据记录设备是
便携式技术的发展使人们越来越依赖蜂窝电话、PDA和导航系统这类便携式装置。随着处理器技术的不断进步,过去几年中大容量存储器件的设计和开发呈指数级增长。例如,从苹果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano产品
按华尔街的一位分析师预计,2010年半导体固定资产投资在存储器和代工的再次推动下可达335亿美元,比09年增加50%。 由于09年存储器的产能紧缩,在2010年为了满足市场需求的增加,制造商又开始增加投资。按Barclays
存储器模块大厂威刚2009年获利交出赚进1个股本的丰硕成绩单,董事长陈立白表示,2010年的DRAM产业多数时间将处于缺货的状态,只要价格维持平稳,预计对于模块产业绝对是好事,往年会是传统淡季的第2季,2010年将会见
1、引言 当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60%的速率增长,存储器芯片每年仅仅增加10%的带宽,本文就如何设计一种符合当代DRAM结构的高效存储器控制器进行研究。 本文第二部分介绍当代D
Digital Signal Processing 数字信号处理 作为一个案例研究,我们来考虑数字领域里最通常的功能:滤波。简单地说,滤波就是对信 号进行处理,以改善其特性。例如,滤波可以从信号里清除噪声或静电干扰,从而改善其
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报,由于存储器价格回温,因此在连续亏损11季之后,终于由亏转盈。第1季营收为17。4亿美元,较2009年度同期成长约24%。净利为2。04亿美元,每股盈余
沈寂已久的DRAM价格再度动起来,存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观,DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态,目前个人计算机(PC)搭载存储器平均容量成长16%至2。92GB,未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB,市场对于
瑞萨科技公司宣布推出能够为路由器和开关等网络设备实现高速包处理的高性能TCAM(三重CAM)*1 系列产品,及TCAM存储器产品组合。这一系列的首款产品是R8A20410BG TCAM,具有20Mb的容量,并实现了高达360 MSPS/Table的