富士通
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芯片制作工艺需追赶世界潮流 加倍努力
随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。 2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一
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我国芯片设计、制作工艺需加倍努力寻求突破
随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。 2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一
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富士通半导体推出支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列
近日，富士通半导体宣布推出最新支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列。该系列芯片是富士通半导体最新开发的LED驱动芯片系列，在MB39C602之前推出的MB39C601 LED驱动芯片可
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芯片制作工艺需追赶世界潮流 加倍努力
随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一度引发
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芯片制作工艺需追赶世界潮流 加倍努力
随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一度引发
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富士通率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工艺)，一度引发中国IC设计业的震动。而在日前于重庆举办的“中国集成电路设计业2012年会暨重庆集成电路
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SuVolta发布DDC技术的电路级性能与功耗优势
致力于开发低功耗CMOS技术的公司SuVolta日前发布了一项旨在展示其DDC(深度耗尽通道，Deeply Depleted Channel™)技术在性能和功耗方面优势的测试结果。该结果来自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平台
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风河为富士通新一代磁盘存储系统提供软件解决方案
风河为富士通新一代磁盘存储系统提供软件解决方案
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风河为富士通新一代磁盘存储系统提供软件解决方案
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风河为富士通新一代磁盘存储系统提供软件解决方案
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富士通半导体率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工艺)，一度引发中国IC设计业的震动。而在日前于重庆举办的“中国集成电路设计业2012年会暨重庆集
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SuVolta发布DDC技术的电路级性能与功耗优势
致力于开发低功耗CMOS技术的公司SuVolta日前发布了一项旨在展示其DDC(深度耗尽通道，Deeply Depleted Channel™)技术在性能和功耗方面优势的测试结果。该结果来自于采用SuVoltaPowerShrink™低功耗CMOS平台
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富士通率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工艺)，一度引发中国IC设计业的震动。而在日前于重庆举办的“中国集成电路设计业2012年会暨重庆集
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富士通半导体最新推出LED驱动芯片MB39C602系列
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出最新支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列。该系列芯片是富士通半导体最新开发的LED驱动芯片系列，在MB39C602之前推出的MB39C601 LED驱动芯片可支持可控硅调光的AC/
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富士通半导体率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
富士通半导体率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
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富士通半导体推出带新的小封装的超低功耗16Kb FRAM
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员-SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8,SON-8是为该产品添加的新型封装。 MB85RC16芯片图便携式医疗设备
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
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富士通半导体MB86L13A获2012年度创新奖之通信与网络类手机组最佳产品奖
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，其面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A荣获EDN China 2012年度创新奖“通信与网络类手机组”之最佳产品奖。 此芯片在延续富士通半导
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日本PC厂16人完成中国120人工作
富士通等日本企业开始将笔记本电脑等电子产品的生产制造回归日本，改变之前由中国工厂代工生产的模式。据日本媒体《日经电脑》报道，近日富士通向媒体公开了该公司制造笔记本电脑的日本岛根富士通工厂。该公司将保持
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