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机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(ImmersionScanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

模拟
2010-01-26

DRAM 尔必达制程技术美光
机台交期延　DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

电子设计自动化
2010-01-26

DRAM 尔必达制程技术美光
美光、尔必达提前导入40纳米4大DRAM阵营火药味浓

2010年4大DRAM阵营三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代！继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。

模拟
2010-01-22

40纳米 DRAM 尔必达美光
尔必达将在台湾设DRAM开发基地合作开发4F2技术

尔必达内存将在台湾设立DRAM开发基地。计划于2010年第一季度（1～3月）在与台湾力晶半导体（PSC）的合资公司台湾瑞晶电子设立个人电脑通用DRAM开发基地。这是尔必达和瑞晶于1月5日在台湾召开的新闻发布会上发布的（瑞

消费电子
2010-01-15

电子内存 DRAM 尔必达
瑞晶调整封测分配，华东赚到

日本DRAM大厂尔必达（Elpida）拿下瑞晶电子7成股权后，直接掌控瑞晶所有产能，瑞晶后段封测订单分配也出现重大变化。据设备业者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也调拨了2成至3成订单下给华

模拟
2010-01-13

PID DDR3 DRAM 尔必达
瑞晶调整封测分配华东赚到

日本DRAM大厂尔必达（Elpida）拿下瑞晶电子7成股权后，直接掌控瑞晶所有产能，瑞晶后段封测订单分配也出现重大变化。据设备业者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也调拨了2成至3成订单下给华

模拟
2010-01-13

PID DDR3 DRAM 尔必达
DDR3将成为2010年主流厂商以先进制程跟进

　DRAM业在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM厂商积极扩产应对。其中台塑集团的南科、华亚科最为积极，华亚科全年资本支出更比2009年呈倍数成长。　　南科、华亚科已迈入50纳米制程技术阶段，南科暂定2010年资本支出

智能硬件
2010-01-12

先进制程 DDR3 尔必达制程技术
尔必达将在台湾设立DRAM开发基地与瑞晶等合作开发4F2技术

尔必达内存将在台湾设立DRAM开发基地。计划于2010年第一季度（1～3月）在与台湾力晶半导体（PSC）的合资公司台湾瑞晶电子设立个人电脑通用DRAM开发基地。这是尔必达和瑞晶于1月5日在台湾召开的新闻发布会上发布的（瑞

模拟
2010-01-11

电子内存 DRAM 尔必达
尔必达40纳米制程正式对战美光

一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产

电子设计自动化
2010-01-07

40纳米 DRAM 尔必达美光
尔必达拟投资400亿日圆提高瑞晶产能

日本经济新闻报导，日厂尔必达(Elpida)与台厂力晶合资成立的瑞晶，计划在2010年度内将DRAM产能提高为目前的2倍。日经报导，双方将投资约400亿日圆(约4。3亿美元)将瑞晶产线全数转进45奈米制程，以提高生产效率。

模拟
2010-01-06

PID ELECTRONICS DRAM 尔必达
美光争取华亚科主导权　台塑拒绝成瑞晶翻版

华亚科办理6.4亿股的现金增资，南亚科和美光(Micron)等大股东按原持股比例认购现增额度，但近期传出美光向台塑集团摊牌，希望能增加认购比例，争取华亚科更多股权，惟台塑集团回决此提议，认为目前「等权共治」策略较

智能硬件
2010-01-05

Flash DRAM 尔必达美光
集邦：DDR3将居主流，下半年封测产能将吃紧

根据集邦科技(DRAMeXchange)调查显示，由于去年第四季欧美感恩节与圣诞节销售畅旺，加上经济景气复苏及Windows7带动下，PC销售表现一路旺到年底，展望今年，Windows7 效益持续，PC表现畅旺，零组件将出现短缺，且由于

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2010-01-05

测试机 DDR3 DRAM 尔必达
记取DRAM再造失败教训台“经济部”拟推动“产业再造法”

台“经济部”主导的「DRAM产业再造方案」几乎已确定翻案无望，“经济部”长施颜祥29日首度松口表示，若国发基金无法投资台湾创新存储器公司(TIMC)，或许可改由民间资金投入。由于产业经常会遇到再造的需求，“经济部

模拟
2009-12-31

PID DRAM 尔必达
东芝、尔必达提高半导体事业资本支出

自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1，500亿日圆(约16亿美元)于NANDFlash事业，提高约4成产能；尔必达(Elpida)亦计

模拟
2009-12-23

半导体东芝 NANDFLASH 尔必达
尔必达蚕食台12寸厂DRAM产能

日系DRAM大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄再度访台，8日将与新策略联盟伙伴茂德董事长陈民良联合召开记者会，说明双方合作代工细节。由于坂本幸雄过去惯常与力晶合作亮相，这次换成茂德，变化过程颇耐人寻味，尔必达2

消费电子
2009-12-11

存储器晶圆厂 DRAM 尔必达
台“经济部”无力扭转情势　DRAM再造方案全面停摆

根据政府官员表示，日前“立法院”经济委员会通过决议，要求行政院国发基金不得用于「DRAM产业再造计画」一事，经过“经济部”一再向立委沟通，确定未获得立委同意，目前「DRAM产业再造方案」已面临全面停摆的情况。

模拟
2009-12-07

PID DRAM 尔必达
台DRAM厂拼增产抢回市占率惟制程进度仍落后

经历上一波DRAM产业不景气，台系DRAM厂伤得很重，好不容易等到价格反弹到现金成本之上，开始全力扩产找回过去失落的市占率，惟即使目前台系DRAM厂再努力，也只能用落后的制程来追赶，传出三星电子(SamsungElectronic

模拟
2009-11-30

芯片 DDR3 DRAM 尔必达
台DRAM厂拼增产抢回市占率惟制程进度仍落后

经历上一波DRAM产业不景气，台系DRAM厂伤得很重，好不容易等到价格反弹到现金成本之上，开始全力扩产找回过去失落的市占率，惟即使目前台系DRAM厂再努力，也只能用落后的制程来追赶，传出三星电子 (Samsung Electron

智能硬件
2009-11-30

芯片 DDR3 DRAM 尔必达

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尔必达

机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

机台交期延　DRAM厂制程微缩绊脚石

美光、尔必达提前导入40纳米4大DRAM阵营火药味浓

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DDR3将成为2010年主流厂商以先进制程跟进

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台DRAM厂拼增产抢回市占率惟制程进度仍落后

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