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下半年DRAM面临短缺风险
据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1590万个1Gb器件，比去年的1070
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日半导体业1Q财报两样情,东芝尔必达报喜瑞萨铁青
日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升；瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。东芝半导体
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瑞晶落实节能减碳 台湾第1份DRAM厂环境报告书出炉
DRAM厂瑞晶宣布发表台湾DRAM产业第1份企业环境报告书 (Corporate Environmental Report；CER)，并经过独立公正第3者英商劳氏检验(LRQA)的查证；瑞晶强调，2009年总产能较2008年成长5.7%，但用水量减少、温室气体排放
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东芝扭亏为盈,日本芯片制造商业绩纷纷改善
*东芝4-6月营业利润295亿日圆,好于预估*东芝维持全球获利目标2,500亿日圆不变,低于分析师预期的2,560亿日圆*尔必达未公布财测,富士通维持2010/11年获利预估路透东京7月29日电---日本芯片制造商东芝(6502.T:行情)、瑞
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尔必达飞索结盟形成全球第5大NAND Flash阵营
DRAM大厂尔必达(Elpida)和NOR Flash大厂飞索(Spansion)宣布结盟，将共同开发NAND Flash技术和产品，尔必达取得相关专利，未来将以日本广岛12?厂做为生产基地，初期从43纳米切入，未来再导入32纳米，全面抢进NAND
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尔必达与Spansion签署NANDFlash代工协议
日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NANDFlash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NANDFlash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NORFlash，并为其代工的可能性。据
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南亚科、华亚科三度上修资本支出 提前布局42纳米
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头，第2季仍处于亏损状态，近期决定全面加速转进42纳米，南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产，全力转亏为盈，并共同宣布三度上修资本支出，南亚
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Immersion机台缺货台DRAM厂改采购旧机种应急
全球半导体产业走入50奈米制程后，浸润式曝光机台(ImmersionScanner)出现大缺货，尤其是最新款的NXT:1950i机种上，交期几乎拉到快12个月，使得2010年才下订单的台系DRAM厂苦等多时；存储器业者透露，尔必达(Elpida)阵
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尔必达赴台设NAND Flash研发中心
据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NANDFlash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。据悉，尔必达与台湾创新存储器公司（TIMC）
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尔必达计划削减债务并收购资产
由于电脑行业复苏推动全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达扭亏为盈，因此该公司计划削减债务，并购买资产。负责管理财务和会计事务的尔必达高管TakehiroFukuda说：“我们将寻求包括并购和合作在内的各种机会。”他表
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尔必达发布首款自行开发制造的图形DRAM
尔必达内存发布了首款自行开发制造的图形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戏机及个人电脑的图形处理用途之外，还面向科学计算、物理模拟及数字图像处理等的GPU（图形处理器）用途。将
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尔必达宣布50nm制程2GbGDDR5显存开发完成
日本尔必达公司最近完成了采用铜互连技术的50nm制程2Gb密度GDDR5显存芯片的开发，这款产品据称是在尔必达设在德国慕尼黑的设计中心开发完成的。尔必达表示公司将于今年7月份开始试销这种50nm2GbGDDR5显存样片，而这款
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茂德63纳米试产成功将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63纳米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63纳米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45纳米制程，届时考虑将12寸晶圆厂的产能扩充至8万片
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茂德63纳米试产成功 将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63纳米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63纳米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45纳米制程，届时考虑将12寸晶圆厂的产能扩充至8万片
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联电：明年试产28nm工艺3D堆叠芯片
据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-Wei Sun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成
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联电、尔必达第2阶段合作朝交*持股进行
逻辑和DRAM技术跨产业合作大戏正式登场，联电、尔必达(Elpida)携手开发TSV技术的签约仪式将于21日召开记者会对外宣布；值得注意的是，业界透露，双方技术合作仅是第1阶段，未来第2阶段考虑以交*持股的方式，让双方的
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尔必达将与联华电子将研发新技术
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
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联电、尔必达、力成宣布联手开发TSV 3D IC技术
随著半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3D IC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解，由联电以
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联电私募 传尔必达策略结盟
联电昨日与尔必达、力成签订直通硅晶穿孔（TSV）技术合作开发合约，市场则再度传出，尔必达将是联电私募案引进策略合作伙伴的口袋名单之一，且双方未来不排除朝向交叉持股的合作方向进行。唯联电及尔必达对此一市场消
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联电尔必达力成 合攻3D IC
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
