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联电与力成及尔必达28奈米TSV技术合作 最快2012年量产
晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。 联电执行长孙世伟表示，有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓
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签订3D IC技术合约 蔡笃恭：技术到位后自然有市场需求
力成董事长蔡笃恭今日表示，只要3D IC的TSV技术率先达成熟阶段，市场需求自然会浮现。(巨亨网记者蔡宗宪摄) 日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP)，台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21
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联电、尔必达、力成宣布连手开发TSV 3D IC技术
随着半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3DIC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发硅穿孔(TSV)3D IC制程。据了解，由联电以逻
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茂德63奈米试产成功 将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12吋晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63奈米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45奈米制程，届时考虑将12吋晶圆厂的产能扩充至8万片
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联电、尔必达、力成挥军铜制程3D芯片
联电（2303）、尔必达（Elpida）、力成（6239）等3家半导体大厂今（21）日将宣布策略合作，据了解，3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技术进行合作开发，除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作
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尔必达计划在中国大陆和台湾建厂
据国外媒体报道，尔必达总裁阪本幸雄上周五接受媒体采访时表示，该公司计划在中国大陆和台湾建厂，以满足市场需求并减少税收成本。阪本幸雄表示，尔必达必将进军中国市场，该公司最早将于2012年与一家台湾芯片制造商
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尔必达中国大陆设厂将引发新一轮DRAM战火
继三星电子(SamsungElectronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂
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探讨尔必达存储器项目的可行性
日前传闻尔必达可能牵手台湾茂德来中国建存储器厂，引起业界兴趣。如今不管项目成与否？作些准备还是十分有必要的。尔必迖在中国建厂的目的尔必达社长坂本幸雄是个有野心之人，誓言要与三星争个高低，作全球存储器第
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尔必达中国大陆设厂将引发新一轮DRAM战火
继三星电子(Samsung Electronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂
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英飞凌尔必达和解专利纠纷达成交*授权协议
据国外媒体报道，欧洲第二大芯片厂商英飞凌日前宣布，公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。英飞凌发言人MonikaSonntag今日在接受电话采访时称，双方已经同意交*授权半导体专利技术，公司不会公布和解
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华亚科年底机台数将超过尔必达阵营
华亚科（3474）欲将2011年部分资本支出，提前在2010年启动，以平均一台浸润式曝光显影机台约新台币12亿元计算，推估华亚科提前挪用的资本支出金额约36亿元，今年度等于二度上修资本支出，在今年底之前，若与南科（24
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力成订单塞爆 Q4大成长
内存封测龙头力成（6239）董事长蔡笃恭昨（27）日表示，近期订单旺到爆，第三季前出货都会改写新高，第四季大客户又导入新制程增加产出，力成更添动能。 力成昨天举行股东会，通过去年财报及每股配发3.5元现金股利
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英飞凌尔必达和解专利纠纷 达成交叉授权协议
（编译/林靖东）北京时间5月21日消息，据国外媒体报道，欧洲第二大芯片厂商英飞凌今日宣布，公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。英飞凌发言人MonikaSonntag今日在接受电话采访时称，双方已经同意交叉
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英飞凌与尔必达就专利侵权诉讼达成和解
英飞凌科技股份公司宣布，该公司与尔必达公司（Elpida Memory Icn.）就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，起诉尔必达
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英飞凌与日本尔必达籍专利交叉达成和解
北京时间5月21日凌晨消息（舒允文）欧洲第二大半导体制造商德国英飞凌（Infineon）21日宣布，公司与日本尔必达（Elpida Memory）已通过半导体技术专利交叉许可，就专利侵权诉讼达成和解，双方均同意撤销所有未决专利
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尔必达获利持续成长今年资本支出增加163%
日系存储器大厂尔必达(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月财报，尔必达单季营收为1,475亿日圆，毛利率36.8%，营运获利持续成长，达337亿日圆；尔必达表示，2010年资本支出将达1,150亿日圆，较2009年增加163
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茂德厂房概况
茂德原本有新竹厂和中科厂，新竹厂日前卖给旺宏，此厂房单月产能为5万片，之前一部分用来作为8吋晶圆厂，单月产能厂4.4万片，但机器设备已卖掉，另外的12吋晶圆厂在2009年金融海啸DRAM价格大崩盘时，进行大幅减产，卖
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追随三星之路 尔必达推出32GB容量模块
日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将
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追随三星之路尔必达推出32GB容量模块
日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将
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茂德出售竹科12寸厂尔必达旺宏受益
茂德以新台币85亿元价格将茂德位于竹科12寸晶圆厂Fab-2(未来将成为旺宏的Fab-3)出售予旺宏电子。茂德售厂所获得新台币85亿元资金中，估计约有25亿~30亿元将用于偿还银行债务，减轻偿债压力。由于茂德另一12寸厂位于中
