据中国国防科技信息网报道,美国半导体研究公司(SRC)和美国国防预研计划局(DARPA)1月17日宣布未来5年将投入1.94亿美元致力于创建6个新的大学微电子研究中心,以支持美国半导体行业的持续增长和领导地位。该“半
中国大陆手机品牌厂中兴、华为旗下晶片厂积极进攻TD-LTE市场,今年将陆续有新晶片上市,前段的晶圆代工厂台积电(2330)、日月光、矽品等受惠。 中兴和华为旗下分别有晶片厂中兴微电子和海思,看好4G LTE的市场规
[据SRC公司网站2013年1月17日报道]美国半导体研究公司(SRC)和美国国防预研计划局(DARPA)1月17日宣布未来5年将投入1.94亿美元致力于创建6个新的大学微电子研究中心,以支持美国半导体行业的持续增长和领导地位。该
专注于消费电子市场的上海智浦欣微电子(Chipstar),将在IIC China 2013上带来两款最新的音频功放IC:CS8615和CS8625,除此之外,Chipstar还将展示针对安防监控市场推出的36V@2A的DC-DC BUCK。届时,来自Chipstar的
在“2012电子元器件行业十大品牌企业”奖项揭晓后,2012年度华强电子网“优质供应商”获奖企业也相继出炉,20家企业成功摘得2012年度“优质供应商”这一桂冠。 这20家企业依次为:香港宏图伟业集团有限公司、深圳市正
作为高清机顶盒大脑的芯片,我市实现了自主研制。昨日,市科委介绍,重庆四联微电子公司承担的重庆市科技攻关重大项目自主研制的首款高清视频解码芯片SIC8008通过验收。芯片不但性能和国外产品相当,而且还加上了安卓
近日,国民技术在智能卡芯片行业又获突破,公司正式取得卫生部居民健康卡芯片供应商资质。根据卫生部发布的《通过备案的居民健康卡部分生产单位及产品目录》,国民技术产品型号为Z32H256CPR(D040)的芯片通过卫生部各
继三星显示、LG显示与友达先后量产AMOLED面板后,中国大陆业者亦纷纷跟进布局,甚至投资兴建最先进的5.5代AMOLED生产线,预计2013年底将可陆续投产,分食中小尺寸AMOLED市场商机大饼。中国大陆面板厂正积极加入全球主
21ic讯 奥地利微电子公司今日宣布推出可使42寸平板电视能耗少于60瓦并提供最佳视觉体验的新技术。奥地利微电子将在于拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES)中展示这种技术。届时奥地利微电子将在现场展示配有奥地利微
21ic讯 友达光电2012年12月份合并营业额为新台币三百二十亿五千五百万元,营业额较11月份下降5.4%,较去年同期增长15.7%。累计2012年第四季合并营业额为新台币九百九十四亿零五百万元,较2012年第三季下滑3.3%,与20
比利时法兰德斯大区政府宣布将大幅增加对比微电子研究中心(IMEC)的投资。初步将投资1亿欧元,为IMEC兴建450毫米晶圆半导体生产洁净车间,并计划在未来五年帮助其扩展投资到10亿欧元,用于开展450毫米晶圆半导体技术
比利时法兰德斯大区政府宣布将大幅增加对比微电子研究中心(IMEC)的投资。初步将投资1亿欧元,为IMEC兴建450毫米晶圆半导体生产洁净车间,并计划在未来五年帮助其扩展投资到10亿欧元,用于开展450毫米晶圆半导体技术
电子工程师面试常被问到的问题模拟电路1.基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子)基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等.基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定
AMOLED成为全球面板大厂积极布局的次世代面板领域,目前9成市场由三星显示器(Samsung Display)占据。虽然AMOLED技术是由三星电子(Samsung Electronics)的Galaxy系列智慧型手机打响名号,事实上最早发展AMOLED面板的厂
近日,有消息传出,比亚迪)旗下的比亚迪微电子日前与德国顶尖电子元器件销售商Rutronik公司正式签署全球战略合作协议,并宣布其为比亚迪微电子首家全球代理商,负责比亚迪微电子产品的全球分销。
百慕达南茂科技为半导体封装测试领域公司,于美国那斯达克股票市场公开上市(代号:IMOS)。百慕达南茂除了拥有记忆体半导体及混合讯号产品后段测试业务,LCD驱动IC产品也是业务重点。 百慕达南茂旗下的台湾南茂科技亦
据业内人士透露,深圳天马微电子股份有限公司(ShenzhenTianmaMicro-electronics)在最近的一次试生产过程中,已成功生产4.5寸全高清(FullHD)和3.2寸OLED面板。据说天马微电子旨在生产用于高端智能手机的面板,并继
根据上海市质量技术监督局(沪质技监标【2012】615号文)“关于下达2012年第二批上海市地方标准(能源消耗限额类)制修订项目计划的通知”需要制订“集成电路封装单位产品能源消耗限额”,标准性质是“强制”类型。该
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能表现良好。22 纳
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFET,器件性能良好,达到国内领先