晶体管
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基于LabVIEW的三极管老化测试系统设计
针对一些功率器件(功率三极管、VDMOS,IGBT等),通过有规律给元器件通电和断电,循环施加电应力和热应力,可以检验其承受循环应力的能力。基于上述原理,借助可视化编程语言LabVIEW和NI系列sb RIO-9612板卡,本文设计了一种三极管老化测试系统,该系统满足国军标GJB1036的试验要求,每个工位的采样时间不大于4μs,总共64工位的采样周期不大于300μs,满足了快速控制的要求,同时还不失精准,电压和电流的采样分辨率达到了12 bit,精度达到1%,从而控制了器件结温误差。
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EPC产品荣获2017年度“Top10电源产品–最佳应用奖”
宜普电源转换公司(EPC)第五代氮化镓(eGaN®)晶体管及集成电路系列荣获《今日电子》与21IC中国电子网颁发2017年度“Top10电源产品—最佳应用奖”。该奖项在2017年9月15日于北京举行的电源技术研讨会上颁发。
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“英特尔精尖制造日”首推全球晶体管密度最高的制程工艺
今天举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
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英特尔首款10纳米FPGA计划
“英特尔精尖制造日”活动今天举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
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抑制启动电流的好方法
最简单的办法是串个电感，利用通过电感的电流不能突变的特性来抑制峰值，但此法体积较大。更好的方法是利用晶体管限流电路来做软启动，最好的办法则是改进电源电路本身来实现软启动。
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突破！美休斯顿大学研制可拉伸全橡胶电子器件
美国休斯敦大学华人科学家余存江助理教授课题组在新一期美国《科学进展》杂志上报告说，他们在柔性可拉伸电子领域取得新突破，研制出了可拉伸的橡胶半导体和导体材料，并利用这些材料制成全橡胶晶体管、传感器和机器人皮肤。
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论iPhone处理器十年进化史
今天，苹果发布了最新一代的iPhone，作为新一代的旗舰，新手机的功能承载了苹果对未来的希望和消费者的期待。但从我们半导体人看来更关注的是内部技术的演变，尤其是其处理器上。
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关于芯片的那些事儿
三星宣布，加入了11nm 工艺，性能比此前的14nm提升了15%，单位面积的功耗降低了10%。若要遵循摩尔定律继续走下去，未来的半导体技术还会有多大所提升空间呢?
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采用光电隔离的SIPMOS晶体管控制电路图
输入端经过电阻R2接地，以使其输出端在电源电压降至4V时还是开路的，即两个推挽输出晶体管保持在截止状态。这样可使电源电压在上升至3V左右时光耦输出侧仍为低电平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶体管。在工
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简单的晶体管逆变器电路图
在偏远乡村，经常会有停电现象，有些大学到一定时间也会自动关灯，不过这没关系，有了它，这些就可以解决。 这是一款非常容易制作的逆变器，可以将12V电源电压变为220V市电，电路由BG2和BG3组成的多谐振荡器推动，再
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摩尔定律在半导体行业正在逐渐消失？
摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。
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特殊晶体管的检测方法
普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极b 与发射极e之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ档来测量。
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摩尔定律再获续命丹？三维芯片研发取得突破
近年来由于各项智能设备以及人工智能的应用，人们对芯片计算能力的需求越来越大。芯片的运算能力取决于基本运算单元电晶体的多寡，但由于电晶体的研发已渐渐接近物理极限，无法再继续缩小，因此科学家及各个科技大厂正在不断研究下个能使芯片运算速度提升的方法。
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单向感应器电路
当一个物体以一个方向运行时，该电路可以探测该物体，但是如果它以相反方向运行，则无法探测。两个感应器是用来确定方向感的。物体是否能够阻挡光线到达光电晶体管Q1和Q2是
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要成为模拟电路的设计者 必须掌握以下四个组成部分
模拟电路再怎么说，关键的是多学多做，做出片子就自然懂得哪些知识点需要掌握了。这里就主要谈谈学习模拟电路要求的四个知识部分，要成为模拟电路的设计者，我们必须掌握其最基本的以下四个组成部分：
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IBM试产5nm芯片：指甲盖大小可容纳300亿晶体管
当前商用晶体管栅极大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已开始了 7nm、甚至 5nm 工艺的研究。不过为了制造 5nm 芯片，IBM 也抛弃了标准的 FinFET 架构，取而代之的是四层堆叠纳
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电机驱动集成的故事
就像每个MOSFET需要一个栅极驱动器来切换它，每个电机后面总是有一个驱动力。根据复杂程度和系统成本、尺寸和性能要求，驱动电机的方式多样。
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EPC eGaN 技术在性能及成本上实现质的飞跃
EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)，对比前一代的产品，这些晶体管的尺寸减半，而且性能显著提升。
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Diodes公司带高压晶体管的开关稳压器提高线式充电器效率
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于线式(line-powered)充电器和适配器的高性能开关稳压器(power switcher)，它通过独特的集成式高压(HV)启动电路为
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三极管的开关速度
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。 如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。
