半导体晶体管的发明让电脑工业发生了一场革命,对于许多其它领域也有长远的影响。不过,电子元件尺寸和价格的大幅度降低,是由于后来的一项发展,也就是集成电路的发展而得
此功法电路可谓一装即成,特别适合初学者制作。这款功放一声道只需17个零件,却收到了意想不到的效果,还音效果真实,频响平直,解析力高,且功率可以达到50W。具体电路如
晶体管的持续微缩化对我们的日常生活有着超乎寻常的影响力。回想1997年,IBM所制造的巨型超级计算机“深蓝”重量达到1.4吨,运算能力为11.38 GFLOPS 。“深
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于工作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管,用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。
手机处理器市场已经不能满足高通的需要,因为手机行业中苹果、三星、华为等都有自家的处理器,高通的市场逐渐被蚕食,高通需要借助PC端处理器来保持自家的竞争力。
即将推出的Snapdragon 8180代号为“Poipu”项目,将拥有超过85亿个晶体管。作为对比,骁龙835拥有30亿个晶体管,而苹果A12拥有69亿颗晶体管。新的骁龙8180还可以提供高达15W的最大功率,与英特尔的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相当。骁龙8180的尺寸为20×15mm,由台湾制造商台积电制造,基于7nm工艺打造。
随着微电子制造业的发展,制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫,从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度
摘要:采用分立元件设计了一个3级单调谐放大器,可用于通信接收机的前端电路,通过合理分配各级增益和多种措施提高抗干扰性,具有中心频率容易调整、稳定性高的特点。电路经
各种类型低频放大器,主要特点是,工作频率范围宽,放大信号的中心频率从几十赫至几百千赫;这类放大器通常处于低频多级放大器的前几级,故称前置放大器,它的输入信号幅度
在图1(a)中, 晶体管工作于共发射极方式, 其集电极电压通过变压器T反馈回基极, 而变压器绕组的接法应实现正反馈。 当电路一接通, 立即产生强烈的自激振荡, 晶体管迅速进入饱
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可
一、集成电路及其特点集成电路是利用氧化,光刻,扩散,外延,蒸铝等集成工艺,把晶体管,电阻,导线等集中制作在一小块半导体(硅)基片上,构成一个完整的电路。按功能可
与传统量子电子元件不同,单原子晶体管不需要在接近绝对零度的低温条件工作,它可以一直在室温下工作,这是未来应用的一个决定性优势。
准方波谐振转换器也称准谐振(QR)转换器,广泛用于电源适配器。准方波谐振的关键特征是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在漏极至源极电压(VDS)达到其最低值时导通,从而
集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。
Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能,有效地缩减印刷电路板的尺寸。 SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米,与SOT223器件6.7毫米
晶体管15W甲类功放的制作一、 电路原理与特点 来源:1次
1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。 (b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳
近半个世纪以来,摩尔定律一直是推动半导体器件发展的动力。但是原子水平的物理限制打破了摩尔定律,下一代电子产品需要一项新举措来推动计算领域的下一次重大革命。英特尔的联合创始人Goron Moore曾经说过,芯片上的晶体管数量每年都会增加一倍,同时成本可以减少一半。自1965年以来,这种观念一直存在,并且在过去一年中基本保持不变。