晶体管
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宜普电源转换公司(EPC)的200 V 氮化镓产品系列(eGaN®FET)的性能提升了一倍
新一代200 V 氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
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世界最大AI芯片升级，采用7nm工艺
在日前举办的Hotchips 32会议上，美国AI初创企业CerebrasSystems旗下的明星产品WES(Wafer Scale Engine)芯片公布了第二代芯片的相关信息。据悉，WES 2代芯片核心数翻倍到了85万个，晶体管数量翻倍到2.6万亿个，最关键的是，将从16nm工艺进入7nm工艺。
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Intel 10nm SuperFin变革晶体管：性能提升超15％
这些年，随着半导体技术的日益复杂化，先进制造工艺的推进越来越充满挑战性，同时由于没有统一的行业标准，不同厂商的“数字游戏”让这个问题更加复杂化，也让大量普通用户产生了误解。 作为半导体行业的龙头老大，Intel曾经一直站在先进制造工艺的最前沿，领
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LED首字母代码是什么意思？一款高低电平智能控制的LED电路设计
LED首字母代表型号是什么？ 命名规制 1、A——公司名称：采用公司缩写名称“XM”表示。 2、 B&md
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LCD驱动工作原理 ，基于51单片机LCD底层时序程序该如何编写？
LED驱动原理方式解析： （1）被动矩阵LCD技术 高信息密度显示技术中首先商品化的是被动矩阵显示技术，它得名于控制液晶单元的开和关的简单设计。被动矩阵液晶显示的驱动
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华虹半导体“8英寸+12英寸”全线发力 加速进军IGBT市场
华虹半导体有限公司宣布，公司将全面发力与IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品客户的合作，积极打造IGBT生态链。
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一分钟快速了解碳纳米管芯片：超长手机续航 皮肤贴合传感器等
近日，国内科技产业缺少核心芯片技术一事引发关注。此前据媒体2017年报道，北京大学教授彭练矛带领团队成功使用碳纳米管制造出芯片晶体管，工作速度5-10倍于同尺寸的硅基晶体管，能耗只有其10分之1
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3nm工艺风险量产 晶体管密度提升70%，台积电来了
台积电一直是芯片生产领域的龙头老大，台积电两年前量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。
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IGBT，半导体皇冠上的明珠
IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET (绝缘栅型场效应管)组成的全控电压驱动的功率半导体。
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台积电宣布3nm工艺将在2021年实现风险量产
在7月16日举行的台积电第二季度业绩说明会上，台积电宣布，预计将于2021年上半年进行3nm的风险量产，2022年正式量产。
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Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管！搭档3nm？
Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel的实力仍是行业数一数二的。 在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mi
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埃赋隆推出600W 915MHz ISM托盘放大器，简化射频放大器系统设计
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盘放大器
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Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶体管，你了解吗？
什么是Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶体管?他有什么作用?2018年6月6日荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出专为诸如数字视频广播(DVBT)和特高频(UHF)模拟电视等UHF广播应用设计的BLF989射频(RF)功率晶体管。
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埃赋隆推出“突破性” Si LDMOS器件，在VHF和UHF应用中效率达到80%
BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS
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40万核心1.2万亿晶体管！世界第一芯片卖出两块：3500万元
去年9月份，半导体企业Cerebras Systems发布的世界最大芯片“WSE”(Wafer Scale Engine)，一颗如同晶圆大小的AI处理器，台积电16nm工艺制造，拥有46225平方毫米
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通过超级计算机的“模拟显微镜”仿真，创建新一代的晶体管材料
自从发现石墨烯以来，二维材料一直是材料研究的重点。二维材料，是指电子仅可在两个维度的纳米尺度(1-100nm)上自由运动(平面运动)的材料，如纳米薄膜、超晶格、量子阱。二维材料是伴随着2004年曼切斯特大学Geim 小组成功分离出单原子层的石墨材料——石墨烯(graphene) 而提出的。
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苹果 A12 仿生芯片每平方毫米晶体管比 A11 仿生芯片多 70％
据悉，苹果 A12 仿生芯片内部集成 69 亿个晶体管，其晶体管密度为 8390 万个/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶体管密度为 4900 万个/平方毫米。对比之下，苹果 A12
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IGBT／MOSFET的内置保护功能的光耦，你知道吗？
什么是IGBT/MOSFET的内置保护功能的光耦?它有什么作用?东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
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如何制作高端芯片以及安装上百亿颗晶体管？
纳米芯片在我们的生活中非常常见，并被广泛的应用在手机、电脑、电视等各种数码家电中。而美国对华为制裁开始后，我国芯片研发能力的不足就开始显现了，而大多数人并不知道经常提起的芯片到底是如何制作的，到底有何难度?下面带大家了解一下芯片的制作过程。
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你知道强大的GaN-on-SiC晶体管吗？
你了解强大的GaN-on-SiC晶体管吗?移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段航空电子应用来说至关重要。
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