晶体管

英特尔完成下一代32纳米芯片开发工作

据报道，英特尔公司完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至32纳米。英特尔计划将于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶体管的产品。 英特尔公司将于下周在旧金山举行的国际电子器件会议（IE

科学家制成首个等离子晶体管

北京时间11月17日消息，据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途

美国科学家制成首个等离子晶体管

计算机世界：石墨烯晶体管延续摩尔定律

众所周知，根据半导体业著名的摩尔定律，芯片的集成度每18个月至2年提高一倍，即加工线宽缩小一半。人们普遍认为，这一定律还能延续10年。提出该定律的摩尔本人也曾公开表示，10年之后，摩尔定律将很难继续有效，因为

芯片节能：由高性能到高效能引发变革

不知从何时起，芯片厂商将产品的宣传语由“高性能”改成了“高效能”。“性能”在《现代汉语词典》中的解释是“机械或是其他工业制品对设计要求的满足程度”，而“效能

台积电明年32nm量产 22nm将2011年投产

根据台积电最新技术蓝图，2009年32纳米制程将放量生产，22纳米制程则于2011年投产。台积电研发副总孙元成指出，32纳米制程之后晶体管成本快速增加，投入18吋(450mm)晶圆或许是进一步降低成本方法之一，但预计最快要

英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺

在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会(IEDM)，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。 根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0.17

晶体管热阻测试系统的设计与实现

晶体管双稳态触发电路图

常用的控制基极的晶体管电子继电器

图a为NPN型晶体管利用+Ec电源控制的电子继电器。 图b为NPN型晶体管接地控制电路。 图c为PNP型晶体管利用-Ec控制的电子继电器。 图d是有自生偏压的电子继电器。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

晶体管放大倍数测试电路图

晶体管fT挑选电路图

台积电将28纳米制程定位为全世代制程

台积电日前宣布，将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程，同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料两种选择，以支持不同产品的应用及效能需求。此一28纳米制程预计于2010年第一季开始

2008首届中国融合通信发展高峰论坛将隆重召开

为了推动融合通信在中国的应用和发展，2008年9月24日，“2008首届中国融合通信发展高峰论坛”将在北京世纪金源大酒店隆重召开。 本次论坛由工业和信息化部科学技术司批准，中国电信、中国联通、中国移动协