晶体管

采用运算放大器和达林顿晶体管的恒流源

CW1840驱动双极晶体管的单端正激变换式开关稳压电路

CW117／CW217／CW317构成的具有限流保护的充电器电路

本电路图所用到的元器件：CW117 CW217 CW317 600) {i=this.width; j=this.height; this.width=600; this.height=j/i*600;}" border=0> 如图所示是具有限流保护的充电器。晶体管VT和电阻R3组成限流网络。从图中可知

CW117／CW217／CW317构成的具有限流保护的充电器

如图所示是具有限流保护的充电器。晶体管VT和电阻R3组成限流网络。从图中可知，电阻R3是晶体管VT的基极一发射极问电阻，与被充电电池串联在一起。充电电流流过电阻R3。当充电电流过大时，R3上的电压降超过0.6V，就会

改进光电晶体管线性运行的反馈电路

当设计者用光电晶体管将一个调制后的光信号转换成电信号时，如果有高亮度的背光使光电晶体管饱和，就会遇到麻烦。当光电晶体管基极端悬浮时，其集电极/射极电压只取决于信号与背光重叠而产生的光电流。光电晶体管增益

串联反馈型晶体管稳压电路解析分析方法的研究

1 串联反馈型晶体管稳压电路的计算模型 　　串联反馈型晶体管稳压电路中含有的元器件种类繁多，把他作为我们研究问题的对象，使得研究结果具有普遍性。串联反馈型晶体管稳压电路如图1所示。图中，Ui为电网电压经变压

23亿个晶体管 处理器挑战集成度及性能极限

尽管高登-E-摩尔（Gordon E. Moore）提出警告，认为“摩尔法则”无法继续有效，但微处理器的高集成度化仍在进一步发展，并为性能的提高作出重大贡献。虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加，但目前仍存在诸多应

关断检流放大器的两种基本方法

Prashanth Holenarsipur，产品定义和传统的运算放大器不同，高边检流放大器各个输入管脚以及电源引脚上并不带有内部静电放电(ESD)保护二级管。因此，它可以处理远大于VCC电源的共模电压。另外，把检流放大器的VCC引脚

赛灵思共同创始人荣登2009美国发明家名人堂

赛灵思公司（Xilinx, Inc.）日前宣布，赛灵思共同创始人之一 Ross Freeman 因发明现场可编程门阵列 (FPGA)荣登2009 美国发明家名人堂。 FPGA 是一种可配置的电子线路，内含可配置逻辑元件和可配置互联元件。美国发明

关断检流放大器的两种基本方法

Prashanth Holenarsipur，产品定义和传统的运算放大器不同，高边检流放大器各个输入管脚以及电源引脚上并不带有内部静电放电(ESD)保护二级管。因此，它可以处理远大于VCC电源的共模电压。另外，把检流放大器的VCC引脚

D类音频功率放大器的研究与实现

音频放大器已经快有一个世纪的历史了，最近几年，电子产品正在向薄型化、便携式迅速发展。音质好、电源效率高、发热少的D类放大器成为市场的需求。并且由于D类放大器的耗电低、发热少等诸多特点，越来越得到日益强调环保的市场的认同。同时，便携电子设备的工作时间一直是厂商全力追求的最重要的性能指标，新的无滤波器D类放大器在几瓦特的功率级别上正在取代原先固定的AB类器件。与体积庞大的传统线性放大器相比，使用D类放大器并不影响音频信号的音质却能够实现便携产品的小型化，因此市场对电子产品薄型化、便携式的需求趋势造就了传统放大器向数字放大器的转化。

“晶体管、刚性智能卡、二极管”加工贸易单耗标准起草工作启动

工信部（工信运行简函[2008]2号）文《关于下达晶体管等产品单耗标准制定计划的通知》：经海关总署及国家发改委审定，晶体管、刚性智能卡、两极管三个产品的加工贸易单耗标准列为2008年度加工贸易单耗标准制定计划（

2008-2009年度光电显示产业十大技术事件

编者话:2008 已经过去，在这一年中光电显示行业热闹非凡。国内京东方、深圳天马、上广电等加紧了扩张的步伐。国外的知名厂商向高世代液晶线发力，夏普索尼联手建设十代厂。新兴的OLED技术茁壮成长，势头令人瞩目。年

恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略

虽然半导体产业有时看上去可能有点多变，但本质上它是在循环，我想任何在半导体领域有多年经验的公司都会同意这一点。保证整个行业能够持续向前推动的，不论在好的时期还是坏的时期，是这个行业保持全神贯注于发展创

CMOS逻辑高压晶体管（富士通微电子）

富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世

IBM研发速度达26GHz的石墨烯晶体管

IBM宣布研发出号称全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET)，可在26GHz频率下运作。该公司Thomas J. Watson研究中心的研究人员并预测，碳元素更高的电子迁移率，可望使该种材料超越硅的极限，达到100GHz以上