晶体管

安森美 扩展低Vce(sat)双极结晶体管产品系列

安森美半导体 （ON Semiconductor）推出采用先进硅技术的 PNP 与 NPN 器件，丰富了其业界领先的低 Vce(sat) 双极结晶体管 (BJT) 产品系列。

日本自旋晶体管基础实验获成功

节能路灯用上半导体光源

日前，天津市路灯管理部门在王串场一号路附近安装了一批半导体光源新型路灯，通过半导体照明试验后，将广泛用于全市道路的照明。 这种半导体光源新型路灯的照明板由百余个半导体发光体组成，寿命能比传统灯延长3至

2011年美国晶体管市场规模将达11亿美元

美国俄亥俄州市场分析机构Freedonia的报告，包括化合物半导体材料在内，美国工业晶体管市场将在未来4年内，每年以6%的速度增长，到2011年将达到11亿美元的市场规模。报告作者NedZimmerman指出化合物半导体材料的增长

英特尔:45纳米晶体管使摩尔定律再延续10年

6月15日消息，据国外媒体报道，英特尔销售与市场推广事业部副总裁兼亚太区总经理蒋安邦不久前在接受采访时称，由于45纳米晶体管的诞生，摩尔定律将至少再延续10年。蒋安邦在泰国曼谷接受采访时称，英特尔最新研发的4

飞兆推出高集成无需外接电阻的数字晶体管

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列，在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做，无

恩智浦新型BISS晶体管减少功耗损耗

恩智浦半导体(NXP)近日发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便

恩智浦新推双极晶体管 功率损耗减少80%

恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路

Graphene晶体管问世 有望替代硅电路

曼彻斯特大学(UniversityofManchester)的研究人员与德国MaxPlanckInstitute的研究人员一起开发出采用一种新型材料的只有一个原子厚、不到50个原子宽的晶体管。这种被称为graphene的物质被描述二维材料，具有极高的晶

英特尔重组墨西哥工厂 08年生产45纳米芯片

英特尔周一表示，将投资10亿到15亿美元重组位于新墨西哥的一家工厂，这个工厂准备将2008年的下半年生产先进的45纳米晶体管芯片。 英特尔的发言人说，公司2007年的资本支出预计在53亿美元到57亿美元之间，他没有透露

英特尔重组新墨西哥工厂 08年生产45纳米芯片

英特尔重组新墨西哥工厂 08年生产45纳米芯片