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2012与2013年晶圆厂设备支出亮眼
SEMI 最新全球晶圆厂预测(SEMI World Fab Forecast)指出， 2012年及 2013年晶圆厂设备支出亮眼，2012年将达395亿美元，较去年成长2%；预估 2013年预估将大幅成长17%，达463亿美元，创历史新高点。 今年最强势的设备
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联电5月营收持平，Q2财测可望顺利达标
联电 (2303)今(8日)公布5月营收，微幅月增0.89%来到92.06亿元、年减2.06%，为去年6月以来新高，而累积其第二季营收为183.31亿元，已达第一季营收的77%。法人也普遍看好，联电于法说会提出，第二季晶圆出货量季增15%、
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全球晶圆厂设备支出大增 汉微科受惠
市场调查预估，今年全球晶圆厂设备支出金额将达395亿美元，比去年增长2%，明年将大幅增长达463亿美元，创历史新高可期，法人预期汉微科（3658）等设备股将受惠。 国际半导体设备材料产业协会（SEMI）最新报告指出
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晶圆厂设备支出：2012和2013年正增长 2013年创历史新高
2012年6月5日, 据2012年5月末出版的《SEMI全球晶圆厂预测》报告，2012年晶圆厂设备支出终于突破壁垒，实现增长，达到395亿美元，同比增长2%。预计2013年晶圆厂设备支出将创历史新高，达到463亿美元，较2012年增长17%
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SEMI估明年晶圆厂设备支出增17%，将创新高
半导体设备与材料协会(SEMI)在最新一期「SEMI全球晶圆厂预测报告(SEMI World Fab Forcast)」中指出，2012年全球晶圆厂总设备支出将达395亿美元，年增2%，而2013年全球晶圆厂更将投入总值达463亿美元的设备支出，较今
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SEMI：2013年晶圆厂设备支出达463亿美元将创新高
SEMI今(6)日公布最新全球晶圆厂预测(SEMI World Fab Forecast)，估今年及2013年晶圆厂设备支出亮眼，估今年晶圆厂设备支出将达395亿美元，较去年成长2 %，2013年预估将大幅成长17%，达463亿美元，创历史新高。SEMI指
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关键区域分析与存储器冗余
要点1.一个随机微粒缺陷的概率是布局特征间距的函数。因为存储器有相对致密的结构，它们天生就对随机缺陷更加敏感，于是就可能影响到器件的总良品率。2.一款关键区域分析工具要能精确地分析出存储器冗余，就必须了解
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英特尔开始在爱尔兰部署14nm晶圆厂
英特尔(Intel)日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示，总投资金额将超过十亿美元。英特尔(Intel) CEO Paul Otellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先进制程的蓝图及相关投资规划。这
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英特尔开始部署14nm产线
核心提示：英特尔于2009年关闭了位在都柏林附近Leixlip的Fab14厂，将当地晶圆厂的数量减少至三个，分别为Fab10,24和24-2。2011年1月，英特尔花费约五亿美元重建Fab14旧厂，但当时并未说明翻新这座晶圆厂的详细规划。
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英特尔开始部署14nm产线
英特尔(Intel)日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示，总投资金额将超过十亿美元。英特尔(Intel)CEOPaulOtellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先进制程的蓝图及相关投资规划。这些晶
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台电池厂报价涨声响起 晶圆厂续势待发
5月29日消息，据TrendForce旗下研究部门EnergyTrend的调查显示，受到美国双反判决的影响，加上太阳能安装进入传统旺季，订单加温，使得台湾电池厂商报价出现上涨，访查显示目前产品报价已来到$0.5/Watt以上。根据了解
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英特尔开始部署14nm产线
英特尔(Intel)日前公布了将部署14nm及以下制程的晶圆厂投资计划。据表示，总投资金额将超过十亿美元。 英特尔(Intel) CEO Paul Otellini稍早前说明了英特尔的晶圆厂部署14nm及未来更先进制程的蓝图及相关投资规划。
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联电南科厂动土2013下半年装机
在一个温暖、阳光明媚的日子，联电(UMC)砸下2,400亿兴建的南科Fab 12A新厂正式动土。据表示，新厂完工时每月产能将达五万片300mm晶圆，最初将采用28nm制程，随后将转移到20nm和14nm制程。该公司预计2013下半年开始装
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英特尔开始部署14nm产线
英特尔开始部署14nm产线
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晶圆厂大扩产设备商双雄汉微科、家登吃补股价大涨逾5%
随着台积电(2330-TW)及联电(2303-TW)纷纷砸下上千亿元以上积极扩产，激励半导体设备双雄汉微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股价逆势大涨，其中家登早盘一度攻上涨停，目前上涨3.62%，来到57.3元；另外汉微科早盘
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晶圆厂大扩产设备商双雄汉微科、家登吃补股价大涨逾5%
随着台积电(2330-TW)及联电(2303-TW)纷纷砸下上千亿元以上积极扩产，激励半导体设备双雄汉微科(3658-TW)、家登(3680-TW)今(25)日股价逆势大涨，其中家登早盘一度攻上涨停，目前上涨3.62%，来到57.3元；另外汉微科早盘
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联华电子12英寸纪元 大幅提升28nm产能
联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元，不仅大幅提升28nm产能，也为20nm及以下制程奠定稳固基石，除满足客户对先进制程的需求外，更将推动联华电
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联华电子12英寸纪元 大幅提升28nm产能
联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元，不仅大幅提升28nm产能，也为20nm及以下制程奠定稳固基石，除满足客户对先进制程的需求外，更将推动联华电
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联华电子开启12英寸纪元 为20nm及以下制程奠定基石
联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元，不仅大幅提升28nm产能，也为20nm及以下制程奠定稳固基石，除满足客户对先进制程的需求外，更将推动联华电
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联华电子12英寸纪元 大幅提升28nm产能
联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元，不仅大幅提升28nm产能，也为20nm及以下制程奠定稳固基石，除满足客户对先进制程的需求外，更将推动联华电
