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Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器，提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间
MAX22701E将CMTI性能提升3倍、总体系统能耗降低30%，有效延长系统运行时间
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隔离式栅极驱动器的重要特性
在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。
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采用小巧，坚固封装的高功率步进栅极驱动器IC
TMC2590是Trinamic最新的2相步进电机栅极驱动器。低功耗的EMI优化芯片具有保护和诊断功能，使得为极具竞争力的解决方案提供小型化设计成为可能。
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将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100kHz。IGBT可以是单一器件，甚至是半桥器件，如为图1所示设计选择的。
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解决功率转换应用中的新型方案
在隔离系统中，它们还可实现隔离，将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能，栅极驱动器必须提高其控制信号的频率。
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Trinamic推出高功率BLDC / PMSM栅极驱动器
TMC6200是新型高压栅极驱动器，具有在线电机电流检测功能，可使用外部MOSFET实现高达100A的BLDC电机和PMSM伺服电机。
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电机驱动集成的故事
作者：Wenjia Liu就像每个MOSFET需要一个栅极驱动器来切换它，每个电机后面总是有一个驱动力。根据复杂程度和系统成本、尺寸和性能要求，驱动电机的方式多样。最简单和离散
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驱动APTMC120AM20CT1AG SiC电源开关的ADuM4135栅极驱动器的性能
在太阳能光伏(PV)和储能应用中，提高功率密度已经成为一种趋势，另外我们还需要不断提高效率。碳化硅(SiC)功率器件提供了这个问题的解决方案。SiC器件是宽带隙器件，能够在高于1000 V dc的电压下工作，通常具有较低的漏源阻抗(RDSON)。SiC器件还能满足降低导电性从而提高效率的需求。SiC器件还能达到高于100 kHz的快速开关速度，而且开关过程中的寄生电容和相关电荷也比较低。但它们也存在一些缺点，包括要求栅极驱动器具有大于100 kV/μs的较高共模瞬变抗扰度(CMTI)。另一个缺点是，SiC
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隔离式栅极驱动器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1] )。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2] 。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
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业界最小栅极驱动器以“智”取胜
一款智能电源模组需要在封装中集成控制、保护、栅极驱动器和功率切换器件，以满足紧凑、高效要求，以及特定应用的电源管理需求。目前，两个主要的解决方案是智能电源模组(IPM)和即插即用栅极驱动器板。为了满足新一代
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TI推出用于电机控制的业界最小栅极驱动器和功率MOSFET解决方案
设计人员可以将空间有限的电机驱动器的功率密度提高一倍近日，德州仪器 (TI) 推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流
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了解您的栅极驱动器
观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉!该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍了关键的栅极驱动器参数。涉及的主题包括负电压处理、延迟匹配、宽VDD和工作温度范围等。这篇博文将更全面地解释这些主题。
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了解您的栅极驱动器
观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉!该
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如何利用高电流栅极驱动器实现更高的系统效率
当今世界，设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力，这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。
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如何利用高电流栅极驱动器实现更高的系统效率
当今世界，设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力，这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控
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基于EPC的eGaN FET、采用高频同步自举拓扑结构，工作频率可高达15 MHz的半桥式开发板
EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器，展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。
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Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包
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TI推出业内速度最快的600V栅极驱动器
近日，德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。UCC27714高侧、低侧驱动器具有4A源电流和4A灌电流的处理能力，能够将组件占板面积减少50%，从而可在应用于服务器、电信和不间断电源等工业设计所使用的高频、离线AC/DC电源中实现更高的功率密度。
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Allegro推出具有故障检测和独立启用功能的新型汽车用全桥式栅极驱动器 IC
21ic讯 Allegro MicroSystems, LLC 宣布推出能与 N 沟道外部电源 MOSFET 连用的新型全桥式控制器，它是专门为汽车应用而设计的。Allegro A5929 具有独特的电荷泵稳压器，它
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TI推出业内首款具有可调节电流驱动能力的刷式直流栅极驱动器
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器，该器件提供了可调节的栅极驱动设置，可在更为宽泛的范围内，灵活的驱动外部场效应晶体管(FET)，从而支持多种电机，以及各
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