绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。在今天的电力电子领域中,IGBT已经得到广泛的应用。而在实际使用中除IGBT自身外,IGBT 驱动器的
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V 的输入电压工作,在高达 100V 瞬态时
内燃机(ICE)、混合动力汽车以及电动汽车继续推动新型功率半导体支持技术的发展。低压和高压应用中的功率器件需要以逐渐增加的频率运行、具有更强的抗干扰能力和更高的效率。
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
Silicon Labs (芯科实验室有限公司)日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案,可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV浪涌保护,其
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
器件提供关键保护功能以及出色的共模瞬态抑制性能对于目前的高功耗工业应用,设计人员传统上对IGBT驱动器使用分立器件,导致整体设计复杂性和系统成本大大提高。 为了帮助设
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板, 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。该 UC
21ic讯 罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的
21ic讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗
当前,新能源汽车技术和市场正处于一个火热发展的阶段,以节能为核心的相关技术研发和应用也扩大到包括传统汽车和新能源汽车在内的整个汽车领域。对于汽车应用工程师来说,当前所面临的最大挑战是:为汽车带来更高效
当前,新能源汽车技术和市场正处于一个火热发展的阶段,以节能为核心的相关技术研发和应用也扩大到包括传统汽车和新能源汽车在内的整个汽车领域。对于汽车应用工程师来说,当前所面临的最大挑战是:为汽车带来更高效
21ic讯 汽车应用工程师面临提供具有更高效率、更大驱动电流和更强抗噪能力的逆变器的设计挑战,尤其是在混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)领域。为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconduct
21ic讯 汽车应用工程师面临提供具有更高效率、更大驱动电流和更强抗噪能力的逆变器的设计挑战,尤其是在混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)领域。为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconduct
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高灵活低侧栅极驱动器带来高效率与高电源密度日前,德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。 LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转
高灵活低侧栅极驱动器带来高效率与高电源密度日前,德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。 LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转
21i讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器,进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。首款 120 V 启动高侧/低侧 MOSFET 驱动器 UCC27210 与 UCC27211
21ic讯 美国国家半导体公司近日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱