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三星与海力士纷纷提升NAND Flash芯片产量
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
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三星与海力士纷纷提升NAND Flash芯片产量
据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)需求暴增，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年双双提升NANDFlash芯片产量。据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NANDFlash位元成长率(
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移动设备应用扩大NAND Flash投资
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
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海力士一季度净利润2.54亿美元 同比下降66%
据国外媒体报道，全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示，今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元（约合2.538亿美元），比去年同期大幅下降66%，这主要是受到个人电脑需求低
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海力士找买主 市场意见分歧
南韩半导体厂海力士(Hynix)股权人3度寻求买主，拟出售该公司15%股权，市价约达3.4兆韩元(31.9亿美元)，为半导体产业盛事。然市场意见纷杂，有人称海力士股权出售恐难立即出现进展，然另一方面海力士潜在买主也不少。
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海力士找买主 市场意见分歧
据Korea Times报导，南韩半导体厂海力士(Hynix)股权人3度寻求买主，拟出售该公司15%股权，市价约达3.4兆韩元(31.9亿美元)，为半导体产业盛事。然市场意见纷杂，有人称海力士股权出售恐难立即出现进展，然另一方面海
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全球DRAM产业第一季营收83亿美元小跌4%
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元，虽然DRAM合约均价较上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约成长15%，以及各DRAM厂逐步降低标准型D
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海力士看好记忆体价格反弹 台厂注入强心针
南韩记忆体大厂海力士(Hynix)对DRAM及NANDFlash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在矽晶圆部分，海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存，短期仍可支应生产，但中长线来看，日本地震
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海力士：DRAM市况可望进入恢复期
海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出
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四大重要因素制约DRAM八大厂商排名
据IHSiSuppli公司的最新研究，根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综
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左右DRAM厂商排名的重要因素
根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综合考虑这些因素，韩国三星名列
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四个因素决定DRAM八大厂商排名
据IHSiSuppli公司的最新研究，根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。 这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实
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四个重要因素 决定DRAM八大厂商排名
据IHSiSuppli公司的最新研究，根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综
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iPad 2存储器由三星、海力士供应
苹果（Apple） 3月2日正式对外发表iPad 2，据韩国媒体指出，此产品使用韩国零组件范围更广，将对韩国零组件业者的营收改善有莫大助益。iPad 2所采用的NAND Flash由三星电子（Samsung Electronics）供应。此外，苹果
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半导体投资两极化 三星海力士资金雄厚投资积极
韩国媒体披露，韩国半导体业者2010年营收成绩亮眼，2011年也将积极进行投资计划。相对的，日本及台湾企业投资额则较2010年减少60~70%，投资转为保守。在半导体事业上，投资规模与微细制程的进展及价格竞争力等息息相
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半导体投资两极化
韩国媒体披露，韩国半导体业者2010年营收成绩亮眼，2011年也将积极进行投资计划。相对的，日本及台湾企业投资额则较2010年减少60~70%，投资转为保守。在半导体事业上，投资规模与微细制程的进展及价格竞争力等息息相
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海力士加入美国芯片三维互连研究计划
韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管Sung Joo博士表示，三维互连是高性能芯片
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海力士成功运用硅穿孔技术制造16GbDRAM
海力士9日对外宣布，成功运用硅穿孔(TSV)封装技术制成40纳米2GbDDR3DRAM+16GbDRAM，这是首度诞生单一封包内呈现高容量16Gb的产品。海力士称，该产品若制作成模块，最大可实现64GB的高容量，适合应用于需要大容量内存
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海力士半导体加入芯片三维互连研究计划
韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管Sung Joo博士表示，三维互连是高性能芯片
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海力士半导体加入芯片三维互连研究计划
韩国海力士半导体日前正式加入美国SEMATECH的一项有关芯片三维互连研究计划，这一研究主要由美国Albany大学的实验室承担，SEMATECH提供组织和协调。海力士半导体研发部门主管SungJoo博士表示，三维互连是高性能芯片实
