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台积松江扩产 目标月产11万片
台积电（2330）大陆持续扩产，近期把7.62亿元机器设备移转到上海松江，其中包括日前才向美国海力士收购的5亿多元8寸机台，公司预计年底将完成月产能5万片目标，明年则往11万片月产能迈进。台积电董事长张忠谋日前才表
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三星、应用材料就间谍门达成和解
此前美国半导体设备供应商应用材料员工将三星芯片处理工艺技术外泄海力士从而联力上演了现实版无间道，为了避免日后遭到三星的起诉，应用材料近日与三星达成和解。应用材料今天表示，未来三年他们将以提供折扣的方式
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朝鲜半岛交锋 台DRAM产业仍难救赎
南朝鲜军事紧张情势再度升高，由于韩国是全球存储器DRAM和NANDFlash生产重镇，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率，NANDFlash则合计有超过50%市占，加上台湾DRAM产业近2年来被韩
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朝鲜半岛交锋 台DRAM产业仍难救赎
南朝鲜军事紧张情势再度升高，由于韩国是全球存储器DRAM和NAND Flash生产重镇，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率，NAND Flash则合计有超过50%市占，加上台湾DRAM产业近2年来被
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海力士将活用M8厂强化代工事业
海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用
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海力士半导体将投资2.31亿美元以提高芯片产能
11月19日电全球第二大计算机存储芯片制造商海力士半导体(HynixSemiconductor)周五表示，计划投资2610亿韩圜(约合2.31亿美元),，以提高和升级芯片产能。该公司对证交所表示，上述投资将于12月底做出。
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海力士半导体将投资2.31亿美元以提高芯片产能
11月19日电全球第二大计算机存储芯片制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor)周五表示，计划投资2610亿韩圜(约合2.31亿美元),，以提高和升级芯片产能。该公司对证交所表示，上述投资将于12月底做出。
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海力士M8产线将以代工为重心
海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用
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海力士将活用M8厂强化代工事业
海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用
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台积电购买二手设备
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。 台积电2010年积极扩产，日前法说会中
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台积电扩充产能
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。台积电2010年积极扩产，日前法说会中，
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台积电买海力士二手八寸设备
晶圆代工厂台积电积极扩产，除扩充12寸先进制程产能外，亦积极扩充8寸产能，3日公告斥资5.48亿元，购买海力士(Hynix)美国厂的8寸设备，主要用以扩充台湾8寸厂与大陆松江厂产能。台积电2010年积极扩产，日前法说会中，
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台积松江厂 Q3获利旺
台积电（2330）上海松江厂第三季税后纯益5.67亿元，不仅持续获利，季增幅更高达一倍。为扩大松江厂营运规模，台积电斥资逾5亿元收购海力士（Hynix）美国厂二手8吋机台，加快达成松江厂月产能达11万片目标，放大获利
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海力士半导体第三季营业利润为1.01万亿韩圜
海力士半导体(000660.KS:行情)公布第三季财报,季度获利为纪录第二高,因出货量增加,且产品重心转向高价值晶片,缓解了普通芯片价格大幅下降带来的影响.海力士半导体周四公布7-9月当季综合营业利润为1.01万亿(兆)韩圜(合
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海力士Q3获利翻5倍
受惠于出货成长及转进优势芯片的策略奏效，南韩海力士半导体第三季营业利益创下历史次高记录。海力士预估，内存芯片价格将于明年第一季开始止跌回稳。海力士周四公布，第三季营业利益为1.01兆韩元(8.849亿美元)，超越
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明年量产20纳米NAND Flash
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争
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韩半导体LCD大厂首长明年市场将有起色
12日三星电子（SamsungElectronics）半导体事业部长权五铉和海力士半导体（Hynix）社长权五哲出席12日~15日于南韩一山Kintex举办的2010韩国电子事业大展，受访时表示，价格跌幅将可能持续到2011年第1季，但2011年上半
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海力士拟明年量产20纳米NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自
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DRAM价格连跌5月 三星、海力士4Q营收不乐观
DRAM内存半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(SamsungElectronics)和海力士半导体(Hynix)等内存公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。据内存市场研究机构DRAMeXchange统计，DRAM主要产品DDR3在10月上半时平均
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海力士拟明年量产20奈米NANDFlash
南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NANDFlash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26奈米内存，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自2010年8月投
