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债权人将拍卖海力士15%股权 估价22亿美元
（无忌）北京时间7月4日消息，据国外媒体报道，全球第二大计算机存储芯片制造商海力士债权人周一表示，他们将在7月8日收到竞购海力士股权的初步报价。这将是持有海力士股权的债权人自2009年以来第四次出售持有的海力
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海力士社长担任韩国半导体产业协会新会长
据韩国电子新闻报导，兼任韩国半导体产业协会长的三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉即将卸除会长职务，7月1日召开总会时，会把半导体产业协会长一职移交给海力士(Hynix)社长权五哲。这将是11年来
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茂德出售12英寸晶圆厂 多家潜在买家浮现
据台湾有关知情人士透露，针对茂德出售晶圆厂计划，目前已有8组潜在买家陆续评估茂德12英寸晶圆厂买价，其中包括韩国大厂、茂德第2大股东海力士。除了海力士之外，茂德第3大股东联电对于茂德12寸晶圆厂的兴趣也很高，
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茂德出售12英寸晶圆厂计划已有多家潜在买家浮现
据台湾有关知情人士透露，针对茂德出售晶圆厂计划，目前已有8组潜在买家陆续评估茂德12英寸晶圆厂买价，其中包括韩国大厂、茂德第2大股东海力士。除了海力士之外，茂德第3大股东联电对于茂德12吋晶圆厂的兴趣也很高，
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茂德出售晶圆厂 8家厂商感兴趣
据台湾有关知情人士透露，针对茂德出售晶圆厂计划，目前已有8组潜在买家陆续评估茂德12英寸晶圆厂买价，其中包括韩国大厂、茂德第2大股东海力士。除了海力士之外，茂德第3大股东联电对于茂德12吋晶圆厂的兴趣也很高，
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茂德出售12英寸晶圆厂计划已有多家潜在买家浮现
据台湾有关知情人士透露，针对茂德出售晶圆厂计划，目前已有8组潜在买家陆续评估茂德12英寸晶圆厂买价，其中包括韩国大厂、茂德第2大股东海力士。除了海力士之外，茂德第3大股东联电对于茂德12寸晶圆厂的兴趣也很高，
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Rambus控告海力士与美光共谋排挤 索赔129亿美元
根据彭博(Bloomberg)报导，美国存储器业者Rambus于美国时间20日向加州一家法院提起反柯断诉讼，该公司指控韩国存储器业者海力士(Hynix)与美国存储器厂商美光(Micron)2厂非法共谋，意欲将Rambus排挤出存储器芯片市场。
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美光科技第三财季净利润7500万美元 不及预期
（小贝）北京时间6月24日消息，据国外媒体报道，内存芯片生产商美光科技周四发布了低于预期的第三财季财报，并警告称消费PC市场的不明朗前景可能进一步影响业绩。受此消息影响，美光科技股价在盘后交易中大幅下跌
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海力士美光称Rambus手段可耻 将失败归结他人
（中涛）北京时间6月22日消息，据国外媒体报道，计算机内存芯片厂商海力士半导体(Hynix Semiconductor)和美光科技(Micron Technology)周二表示，Rambus在PC内存芯片市场的一些手段“非常可耻”，并将其市场失败的
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Rambus指责海力士美光非法共谋 索赔129亿美元
（明轩）北京时间6月21日消息，据国外媒体报道，美国存储芯片制造商Rambus在周一加利福尼亚州开审的反垄断诉讼案中指出，韩国存储芯片制造商海力士和美国存储芯片制造商美光科技曾使用了“非法的阴谋”，欲将Ramb
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三星电子和海力士半导体大跌 因获利前景恶化
三星电子和海力士半导体周五延续跌势，因分析师表示，这两家世界数一数二的记忆体芯片制造商获利前景继续恶化。现代证券分析师Jin Seong-hye称，“三星电子和海力士半导体的获利预估最近几周持续恶化,记忆体芯片价格
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Rambus指控海力士美光合谋垄断索赔129亿美元
Rambus指控海力士美光合谋垄断索赔129亿美元
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现代重工欲24亿美元收购海力士债权人股权
（无忌）北京时间6月9日消息，据国外媒体报道，全球最大的造船厂现代重工日前表示，该公司可能斥资24亿美元收购海力士债权人持有的海力士股份。 现代重工发言人就此表示，“原则上讲，我们对海力士债权人出售该
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海力士转换NAND Flash制程 主打26纳米产品
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Fla
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海力士转换NAND Flash制程 主打26纳米产品
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NANDFlash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NANDFlash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。海力士相关人员表示，26纳米制程NANDFlash比
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海力士半导体30纳米工艺转换遇瓶颈
全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成制程转换作业，并动摇海
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韩媒称海力士半导体30纳米工艺转换不顺
据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成
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传海力士30奈米制程遇瓶颈 恐动摇市场地位
据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM记忆体晶片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30奈米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成
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海力士半导体厂气体外泄
据韩国电子新闻报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)位于京畿道利川的工厂发生气体外泄事故。19日晚间约10点50分，在维修DRAM半导体产线蒸镀设备过程中，海力士合作厂2位员工因操作不当，使设备内残留的液化气体外泄。
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韩DRAM微细制程比重高 占市场优势
据南韩电子新闻报导，南韩半导体业者在衡量记忆体晶片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40奈米等级微细制程扩大，使南韩企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其他
