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瑞萨推出650V/1250V耐圧IGBT新产品，性能提高30％
瑞萨电子近日发布了性能指数(FOM)较上代产品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新产品“G8H系列”，已开始供应样品。FOM是开关损耗与集电极-发射极间饱和电压(VCE(sat))的乘积，FOM越
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瑞萨电子为无人驾驶汽车推出硬件故障探测及预警技术
瑞萨电子近期宣布推出为汽车运算系统的功能安全而研发的硬件故障探测及预警技术。与此同时，还成功开发出一种支持ISO26262 ASIL B汽车功能安全标准、采用16纳米FinFET工艺
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瑞萨：MCU将承担BMS设计的重要角色
在电动车的各大系统中，莫过于BMS(电池管理系统)的表现最为关键，它扮演电动车所有电力输出的重要来源，与此同时，电池寿命的长短与否也与BMS息息相关。
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瑞萨车用MCU 强化读取与覆写速度
瑞萨电子(Renesas)开发全新28奈米嵌入式快闪记忆体技术。该技术可达更快的读取与覆写速度，且针对采用28奈米(nm)嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术的晶片内建快闪记忆体微控制器(MCU)所设计。新技术利用记忆体单元电
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瑞萨：从悬崖上成功退身，结果后面也是悬崖
“这两年都在拼命精简机构，设法生存下去。所有员工都知道，不改革就必死无疑，我也一直抱着走错一步公司就会倒闭的想法。如今终于能走出困境了，今后的目标将不再是
