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英特尔和美光发布20nm工艺的128Gbit MLC NAND闪存
通过20nm工艺，在单枚芯片上实现128Gbit。 美国英特尔和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（当地时间）发布了通过20nm级工艺技术制造的128Gbit MLC（2bit/单元）NAND闪存。美光科技NAND解决方案部门
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ADI战术级MEMS陀螺仪性能媲美光纤式
美商亚德诺(ADI)日前发表ADIS 16136战术等级iSensor数位微机电系统(MEMS)陀螺仪，该元件在其火柴盒大小的模组当中能够提供3.5o/hr的典型偏压稳定度，且只消耗 低于1瓦特的功率，重量则只有25公克，相较于成本更高的
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推手助力 我国光伏企业将进军北美市场
2011年12月2日，全球领先的测试认证机构CSA在上海召开了光伏产品出口北美认证研讨会，来自CSA北美和中国的专家向国内的光伏设备制造商详细介绍了北美市场的政策、法规、标准和消费者偏好，为中国光伏企业拓展北美市场
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英特尔和美光推出20nm 128Gb多层单元NAND闪存
21ic讯 英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，IBM表示促使美光（Micron）的混合式记忆体立方体（HybridMemoryCube）在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔（through-siliconvias;TSVs）所打造的第一颗芯片。硅
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制
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IBM帮助美光生产采用3D制程的商用芯片
12月5日消息，据国外媒体报道，IBM和美光公司近日宣布，美光公司将开始生产一款新的存储芯片—采用3D制程的商用芯片。这一芯片将使用IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技术(through-silicon vias; TSVs)。 IBM在一
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制
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第四季北美光伏市场预计较去年同期翻倍
根据NPD Solarbuzz最新发布的北美光伏市场季度报告指出，北美光伏市场正处在十字路口，面临着公用事业项目的强劲需求，分布式发电应用补贴的下滑，光伏组件的供应过剩，以及显著的政策不确定性。NPD Solarbuzz总经理
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北美光伏市场将面临严峻挑战
最新研究结果显示，2011年北美光伏市场预计在2010年基础上增长101%，截止年底光伏装机容量需求将达2.2GW。然而，由于刺激减弱，光伏组件供过于求等因素，其市场正处于十字路口，明年将会面临更多挑战。国际光伏研究机
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。 美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制
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Sony与美光共同研发下一代非挥发性记忆体
据LED环球在线，Sony副社长吉冈浩于28日接受采访时证实，Sony正携手美国半导体大厂美光(MicronTechnologyInc.)共同研发下一代非挥发性记忆体。报导指出，吉冈浩未就次世代记忆体的细节多作说明，仅表示双方计划于3-4
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Sony与美光共同研发下一代非挥发性记忆体
据悉，Sony副社长吉冈浩于28日接受采访时证实，Sony正携手美国半导体大厂美光(MicronTechnologyInc.)共同研发下一代非挥发性记忆体。报导指出，吉冈浩未就次世代记忆体的细节多作说明，仅表示双方计划于3-4年后商用化
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兰巴斯告美光操纵DRAM价导致其股价暴跌
兰巴斯公司（Rambus）指控美光（Micron）与海力士（Hynix）共谋阻止其记忆芯片成为业界标准的官司失利，16日股价一度暴跌78%。兰巴斯指称美光科技与南韩海力士公司违反加州反托辣斯法，串通操纵DRAM价格，但旧金山的
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内存晴雨表:三星与美光在DRAM市场低迷之际表现出色
三星份额进一步接近50%；整体产业营业收入下降16%据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报，DRAM市场第三季度形势困难，但几家厂商和表现优于产业整体水平，占市场营业收入的份额略有增长，尤其是韩国三星电子和美国美光。总
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Rambus起诉美光和海力士失败股价大跌近2/3
北京时间11月17日早间消息，美国一家法院周三判决Rambus在与美光和海力士的反垄断诉讼中败诉。这一判决导致Rambus股价周三下跌近2/3。Rambus此前对美光和海力士提起反垄断诉讼，索赔40亿美元。在周三法庭做出判决后，
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Rambus起诉美光和海力士失败股价大跌近三分之二
美国一家法院周三判决Rambus在与美光和海力士的反垄断诉讼中败诉。这一判决导致Rambus股价周三下跌近2/3。Rambus此前对美光和海力士提起反垄断诉讼，索赔40亿美元。在周三法庭做出判决后，Rambus股价一度大跌80%，至
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2011年北美光伏市场预计劲增200%
据IHS iSuppli公司的北美光伏市场报告，美国加州的许多太阳能项目经过多年开发之后终于投产，预计2011年北美的光伏(PV)太阳能系统安装容量将大增200%。今年北美新安装的PV容量预计将达3.5GW，是2010年1.2GW的三倍。其
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力晶呼吁美光Flash技转台塑 台厂勿再死守DRAM
力晶亟欲与标准型DRAM划清界限的同时，也积极往NANDFlash产业靠拢，董事长黄崇仁表示，不要再说台湾没有内存自有技术了，力晶的NANDFlash技术目前台湾唯一自产自销，同时也呼吁美光（Micron）赶快把NANDFlash技术技转
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森与海巷
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