3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash,3D NAND 闪存)的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元(Memory Cell)在垂直方向上的堆叠(3D堆叠)数量(Word Line的堆叠数),3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术(在1个存储单元上存储多个bit的技术),获得了具有较大存储容量的Silicon Die(硅芯片)。
自从USB闪存盘最初面世以来,各种流言和传说一直伴随左右,其中流传最广的包括以下几种:
8月10日晚,知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的闪存性能测试数据。
北京(2019年8月9日)——8月6日至8日,圣克拉拉会议中心举行闪存峰会(FMS),期间宣布美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra(桑杰·梅赫罗特拉)获得2019年终身成就奖,表彰其“共同创立SanDisk,推动闪存行业和市场的发展,以及对美光科技和半导体行业协会的非凡领导力。”
由于被美国商务部制裁,华为的供应链面临断供的风险,特别是美国公司的芯片及软件,除了CPU、射频、网络芯片之外,华为的闪存芯片也会受到压力,智能手机、服务器、基站等产品中都会用到大量NAND闪存。 目前
台北电脑展旗舰,AMD发布的锐龙三代平台首次为消费级市场带来了PCIe 4.0,群联和慧荣则同时公布了各自的PCIe 4.0 SSD主控方案,技嘉、影驰、海盗船、威刚、博帝等厂商成为首批PCIe 4.
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。 影响闪存价
SLC、MLC、TLC、QLC……一路发展下来,存储密度和容量越来越高,成本越来越低,但是性能、可靠性、寿命却是越来越短,只能不断通过闪存、主控的各种优化来维持。 虽然很多
7月11日消息,据BusinessKorea报道,三星电子计划将NAND闪存价格提高10%,且美光科技有意效法。报道称,NAND闪存的库存已经降至四周,约为DRAM的一半,但需求出现上扬。Busine
说到存储芯片,目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存,内存速度极快但成本贵,而且断电不能保存数据,NAND、NOR闪存可以保存数据,成本也廉价,不过性能、延迟是没法跟内存相比的。 在
三星,可谓内外交困。上周发布的营收前瞻显示,由于内存、闪存、面板、手机等多线失利,当季利润可能不及去年同期的一半。同时,日本自7月4日起制裁韩国,限制3项关键半导体面板材料的出口,对三星在内的科技企业
RF电路及传感器或LCD阵列中分立单元的正常变化必须落在可接受的范围内,否则组件就不能被采用。现场可编程OTP存储器提供了增加CMOS图像传感器和LCD良率的途径,并且OTP存储器使得这些组件被采用的比率更高,从而降低了最终的生产成本
作为NAND闪存的发明人,虽然市场地位已经被三星超越,不过东芝存储(Toshiba Memory)的名字已经为人熟知,可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”,公司中文名为“铠侠株式会社”。
业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最大的价值,但要挖掘数据的价值除了需要很强的计算能力之外,数据的存储也非常关键。目前,新型存储器也是领先的企业非常关注的一个方向,兰开斯特大学(Lancaster U
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。影响闪存价格走势的还
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。
在全球闪存厂商还在削减产能以减缓闪存降价的敏感时刻,东芝、西数位于日本的5座闪存晶圆厂15日遭遇停电事故,尽管部分工厂停工5天后就恢复生产了,但是Fab 2、Fab 3及Fab 4晶圆厂并没有复工,东
耐高低温、耐高湿、耐冲击的工业级SSD大家应该都有所耳闻,宜鼎国际(Innodisk)今天发布的这款“Fire Shield”(火盾)却更加超乎寻常,可以承受最高800℃的温度,以及最长30分钟的火烤
6月24日消息 日前全球第二大闪存供应商东芝位于日本三重县的闪存工厂因地震遭遇断电事故,虽然停电过程非常短,13分钟之后就恢复供电了,但是工厂却一直停产,直到21日上午才恢复,至少停工了5天时间。 根
SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来,虽然容量越来越大,但是性能、寿命、可靠性却是越来越弱,只能通过其他方式弥补。就像之前很多人抗拒TLC一样,现在依然