GTC 2012大会上,曾担任斯坦福大学计算机科学系主任的NVIDIA首席科学家Bill Dally在接受EE Times采访时谈到了3D整合电路,技术层面上中国的崛起以及美国研发投资的现状。关于3D芯片方面,Dally称GPU的未来存在着整合
据报道,目前最先进的技术应该是使用硅通孔的3D芯片堆叠,几乎主要的半导体公司都在研究这种技术。去年举行的国际固态电路会议上,三星公开宣布了其2.5D技术,据称这种2.5D技术非常适合位于在系统级芯片上进行带硅通
据报道,目前最先进的技术应该是使用硅通孔的3D芯片堆叠,几乎主要的半导体公司都在研究这种技术。 去年举行的国际固态电路会议上,三星公开宣布了其2.5D技术,据称这种2.5D技术非常适合位于在系统级芯片上进行带硅
您可能听说过这样的宣传:随着目前还是平面结构的裸片向多层结构的过渡,半导体制造基础在今后几年内将发生重大转变。为了使这种多层结构具有可制造性,全球主要半导体组织作出了近10年的不懈努力,从明年开始三维(
GLOBALFOUNDRIES日前宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体
GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂,已开始安装一套特殊的生产工具于公司
尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高,但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用,而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢,目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段
GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体
公司今天宣布,在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。表示,旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂,已开始安装一套特殊的生产工具于公司领先的20nm技术平台,在半导体晶圆处
【IT168 资讯】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂,已开始安装一套特殊
21ic讯 GLOBALFOUNDRIES日前宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上
尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高,但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用,而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢,目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段
应用材料公司和新加坡科技研究局研究机构--微电子研究院 (IME) 7号共同在新加坡第二科学园区共同为双方连手合作的先进封装卓越中心举行揭幕典礼。该中心由应用材料和 IME 合资超过 1 亿美元设立,拥有14,000 平方英尺
应用材料公司和新加坡科技研究局研究机构--微电子研究院 (IME) 7号共同在新加坡第二科学园区共同为双方连手合作的先进封装卓越中心举行揭幕典礼。该中心由应用材料和 IME 合资超过 1 亿美元设立,拥有14,000 平方英尺
应用材料公司和新加坡科技研究局研究机构--微电子研究院 (IME) 7号共同在新加坡第二科学园区共同为双方连手合作的先进封装卓越中心举行揭幕典礼。该中心由应用材料和 IME 合资超过 1 亿美元设立,拥有14,000 平方英尺
应用材料公司和新加坡科技研究局研究机构--微电子研究院 (IME) 7号共同在新加坡第二科学园区共同为双方连手合作的先进封装卓越中心举行揭幕典礼。 该中心由应用材料和 IME 合资超过 1 亿美元设立,拥有14,000 平方英
一位高通(Qualcomm)公司的主管稍早前表示,若要在2013年如期量产3D芯片,就必须在半年内制定出3D芯片堆叠标准。 好消息是JEDEC在今年一月初公布了对移动应用处理器来说至关重要的Wide I/O存储器初始标准。坏
虽然2D转3D技术在电视领域的应用正逐渐趋于成熟,但该技术在便携机领域的使用还并不多见。好消息是,德国高效电源管理和音频半导体解决方案厂商 Dialog Semiconductor日前宣布,他们已经开发出了首款针对便携产品使用
美国半导体科技研发联盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)与美国半导体产业协会(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC),日前共同定义出了wide I/O DRAM 之后的未来3D芯片(3D IC)技术杀手级应用,以及
美国半导体科技研发联盟Sematech旗下的3D Enablement Center(3DEC)与美国半导体产业协会(SIA)、Semiconductor ResearchCorp.(SRC),日前共同定义出了wideI/ODRAM之后的未来3D芯片(3DIC)技术杀手级应用,以及将遭遇的