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基于DSP的3D图形芯片的算法原理分析
三维图形处理已成了热门话题，一些报刊杂志连篇累牍地刊出有关文章，但综观其内容，似缺乏系统性和深度。在本期每月专题中，董社勤、石教英和陈爽三位专家的二篇文章，对图形学的基本原理和图形芯片结构做了深入浅出。
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苹果的3D Touch技术为何不受待见？
苹果的3D Touch功能为什么会惨淡收场呢?外媒Hackernoon从用户体验的角度分析了其中的原因，称该技术实用性不强，没有给iPhone的交互方式带来任何改进，而且与iPhone原有的轻触式触控方式相冲突。
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东芝、西数宣布Fab 6工厂正式启用！重点生产96层堆栈3D NAND闪存
今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用，配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。
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中韩大力兴建晶圆厂，两国投资占全球一半
近年来中国对半导体愈加重视，并大力投资兴建晶圆厂，而半导体产业相对发达的韩国也对建设晶圆厂非常重视，投资金额超过中国成为世界投资晶圆厂最多的国家。
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Intel M.2傲腾905P SSD已经准备就绪，10月底开卖
3D XPoint技术是Intel与美光联合开发的黑科技，虽然读写速度平平，但其读写寿命、4K小文件读写速度可说傲视群雄，缺点就是很贵啦。Intel发布至今，已经推出了多形态的产品，包括有傲腾加速SSD、傲腾SSD、傲腾内存。而其中消费级的Intel傲腾905P SSD是最火热的产品，除了有U.2、PCI-e两种接口外，现在还多了个M.2版本，这种用起来当然更加方便啦。
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中韩近年来大手笔兴建晶圆厂，投资远远超过其他地区
其中韩国将以630亿美元的投资领于其它地区，仅比排名第二的中国多10亿美元。日本和美洲在晶圆厂方面的投资分别为220亿美元和150亿美元。而欧洲和东南亚投资总额均为80亿美元。其中大约60%的晶圆厂将服务于内存领域(占比最大的将是3D NAND闪存，用于智能手机和数据中心的存储产品)，而三分之一的晶圆厂将用于代工芯片制造。
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3D集成电路将如何同时实现？
三维集成电路的第一代商业应用，CMOS图像传感器和叠层存储器，将在完整的基础设施建立之前就开始。在第一部分，我们将回顾三维集成背后强大的推动因素以及支撑该技术的基础
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与美光分道扬镳，英特尔宣布下一世代3D XPoint存储器芯片的研发计划
英特尔与美光于2015年携手开发3D XPoint存储器芯片，英特尔的Optane存储器就是以3D XPoint技术打造。不过，今年两公司已决定分道扬镳，意味着英特尔必须独立研发新技术。
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什么是实现完全自动驾驶的关键技术？
当我们谈及3D捕捉时，总是先想到光学传感器。当我们讨论在第四维度(时间)讨论视觉数据时，倾向于考虑场景数据调度。这些是我们多年来关注激光雷达(LiDAR)和摄影测量，以及用户针对缓慢移动的大型项目，在时间尺度上将这些技术应用于静态物体所造成的偏见。时间来到2018年，当自动驾驶汽车细分市场已经成长为达到甚至超过这个市场规模时，我不得不开始重新审视3D。
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3D Touch功能反应平平，新iPhone或抛弃？
外媒MacRumors获悉的一份巴克莱银行分析师布兰恩·柯蒂斯(Blayne Curtis)写给投资人的文件显示，人们“普遍相信”今年的部分iPhone机型将不再支持3D Touch功能。
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长江存储正式公布3D NAND新架构Xtacking
Xtacking可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，而存储单元则在另一片晶圆上被独立加工，也就是说长江存储打算在用不同的工艺在两块晶圆上生产NAND的阵列电路与NAND的逻辑电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
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武汉光谷自主32层3D NAND即将量产
在光谷国家存储器基地，首批芯片生产机台也进入到了调试阶段。中国拥有完全自主知识产权的32层三维闪存芯片，有望在光谷实现批量生产。
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号称I/O速度堪比DDR4，长江存储将展示新型3D NAND结构Xtacking
根据长江存储发布的公告，他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存，将具有前所未有的I/O速度，从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。
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苹果明年全面取消3D Touch功能？
苹果极有可能在2019年的iPhone智能手机设计中，全面取消3D Touch压力触控功能，这也意味着苹果所推动的压力触控在智能手机上的应用，也将跟此前的指纹识别功能应用一样，面临着退出智能手机市场的命运。
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美光科技和英特尔宣布 3D Xpoint 联合开发计划的最新动态
美光科技和英特尔今日发布关于两家公司 3D Xpoint™ 联合开发合作关系的最新动态。双方联合开发了一种全新的非易失性内存，与 NAND 存储相比，其延迟大幅降低，耐久性显著提高。
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结束14年合作关系 Intel在3D Point闪存领域要超过美光
英特尔(Intel)和美光(Micron)正式宣布双方的3D XPoint共同开发计划即将在2019年划下句点，结束自2006年合资成立IMFT公司以来长达14年的合作关系。那么，有关3D Xpoint的未来呢?
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3D NAND这么火，比2D NAND到底优秀在哪？
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
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3D ToF人脸识别技术要商用 vivo宣称下半年将推出3D ToF
ToF(Time Of Flight，飞行时间)，本质是一种光雷达系统。其原理为测量近红外光线从发射到反射回来所需时间，并以此计算出距离，最后将距离数据转换为 3D 图像。
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3D NAND堆叠大战如火如荼！中国存储需跟上国际技术演进节奏
如果说几家国际闪存大厂，如三星、美光、东芝、西数、SK海力士当前推向市场的主流产品是64层(或72层)3D NAND，那么明年就将跨入96层。在近日举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上，应用材料公司预测，到2020年3D存储堆叠可以做到120层甚至更高，2021年可以达到140层以上。
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32G满足不了！ 3D NAND拯救手机内存不足
3D NAND是闪存领域的一个重大进步，可望释放巨大的储存容量成长潜力。其布置在硅基板上的内存单元能够被移动到第三维空间，也就是在各个分层上以垂直方式堆栈，并且透过传播电荷的导线进行连接。
