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iOS 11.1最新测试版找回3D Touch手势：体验后惊喜
今天早些时候，苹果对外发布了iOS 11.1的第二个测试版，其中被老果粉心心念念的3D Touch多任务手势功能被找回，而实际体验后发现，苹果还做了一定的升级，相当不错。
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苹果获得超声波力传感器,3D Touch再进一步
苹果当地时间周二获得一项基于超声波的力和触摸传感器，将催生更薄和更顺畅的3D Touch装置，消除把Touch ID指纹传感器嵌入iPhone屏幕中的一大障碍。美国专利和商标局向苹果授予的“基于超声波的力量感知和触摸
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“英特尔精尖制造日”展示10纳米制程、FPGA技术进展及业内首款面向数据中心的64层 3D NAND产品
“英特尔精尖制造日”活动近日举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
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为什么选择软硬结合设计技术
帮助设计师和设计团队迎接这些挑战的一个解决方案就是采用软硬结合设计技术，即印刷电路板(PCB)的软硬结合设计。虽然这并不是最新的技术，多方的综合因素表明，该项技术具有普适性，而且能降低成本。
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5G大规模MIMO天线阵列3D OTA测试
5G将使用多天线技术，通过结合增强的空分复用为多个用户提供数据，称为大规模MIMO。一个结论是不能采用传导方式评估辐射方向图性能，因此必需通过OTA方式。本文介绍使用OTA测试装置测量天线三维方向图的技术要点。
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SanDisk Ultra 3D固态盘开卖：读写均破500MB/s
规格方面，Ultra 3D系列采用了64层堆叠的3D NAND闪存，尺寸为2.5英寸，接口为SATA 6Gbps，持续读写速度都能达到500MB/s以上。
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西部数据推出采用64层3D NAND技术移动固态硬盘
存储解决方案提供商-西部数据公司(NASDAQ: WDC) 日前宣布推出64层3D NAND技术打造的移动固态硬盘。该技术使西部数据能够提供更低功耗、更高性能、耐用度更高且容量更大的新型移动固态硬盘，这是西部数据公司在闪存行业一标志性产品。
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三星为确保晶圆货源，开启抢晶圆大战
2017年三星电子(Samsung Electronics)同步启动DRAM、3D NAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿~220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球硅晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%，主要便是为支持三星产能需求做准备。
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戴眼镜看3D图像做手术，大大提高肿瘤诊治效率
近日，在中山市人民医院放疗科，陈阿姨做完了宫颈癌的全部六次后装近距离放疗，其中最后两次由于麻醉的实施，使整个放疗过程实现了无痛化。“没有不适的感觉，与以前比，舒服很多。”陈阿姨说。
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3D NAND亟待解决的技术问题，你知道答案吗？
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
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三星或于明年推出一款超大容量的3D NAND芯片
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
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三星的970/980系列将全部采用3D TLC闪存
继三星旧金山闪存峰会上宣布，推出新V-NAND单晶粒，容量1Tb后，不少同行科技人员表示，这不过是三星的QLC闪存，只不过换了说辞，它比TLC的存储密度更大，但相应的牺牲寿命和读写。
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SK海力士斥巨资投资存储器，被警告产能过剩
据海外媒体报道，从去年下半到今年上半以来，DRAM 均价飙升 17%、NAND 均价攀涨 12%，主要是由于存储器进入制程转换，产能大减，使得厂商无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告，过度投资恐怕会导致产能过剩。
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西部数据推出X4 3D NAND技术
西部数据公司今天宣布，该公司已成功开发用于64层3D NAND (BiCS3)的X4闪存。在西部数据过去成功开发创新和商品化X4 2D NAND技术的基础上， 该公司运用其深厚的重直整合能力，开发出X4 3D NAND技术，包括硅晶圆加工、装置工程(在每个存储节点上提供16个不同的资料等级)、和系统专门技术(用于整体闪存管理)。
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紫光融资道路被截断 恐是风暴开端
近期大陆紫光集团抛出旗下紫光国芯终止对长江存储的股权收购，成为两岸存储器产业震撼弹，紫光国芯原本要100%收购专职3D NAND业务的长江存储，但紫光内部评估长江存储未来要进入获利阶段，可能要等上5年，因此，紫光国芯暂停该收购案，但紫光仍强调长江存储需要的人民币386亿元(折合新台币逾1，700亿元)资金全数到位，建设时程一切按既定计划。
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半导体行业：“新入局者”带来“芯”未来
据报道，世界的半导体市场此前一直以美韩日厂商唱主角，现在中国企业正试图参与进来，而中国企业的巨额投资很有可能成为半导体市场混乱的风险因素。
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大联大世平集团联合驰晶科技推出基于众多国际大厂产品的Full-HD 3D 360°全景环视与ADAS系统解决方案
2017年7月14日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平联合驰晶科技推出基于众多国际大厂产品的Full-HD 3D 360°全景环视与ADAS系统解决方案，支持360°车载全景可视系统、行车记录功能、还具有前车碰撞预警、轨道偏移预警和行人检测功能。
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硅穿孔技术可提高闪存能源效率？
人们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品，而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的，就是东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗，同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS 。据外媒所述，这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。
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2D NAND和3D NAND横向对比，3D NAND完美接班
多年以来，2D NAND 一直都是半导体工业光刻(lithography)技术的发展推动力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。随着 2D NAND 的尺寸缩小到了十几纳米节点(16nm、15nm甚至 14nm)，每个单元也变得非常小，使得每个单元中仅有少数几个电子，而串扰问题又使得进一步缩小变得非常困难而且不够经济。
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SSD降价有望了，三星等“大咖们”都在提高产能
据外媒报道，从去年下半年至今，SSD/内存的价格就坐上了火箭，而且一点降价的迹象都没有，反而是SSD厂商不断传出不利因素，致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了，首先是三星即将量产第四代堆叠闪存，还有是SK海力士也在进一步提高产能。
