从SiP系统级封装的传统意义上来讲,凡是有芯片堆叠的都可以称之为3D,因为在Z轴上有了功能和信号的延伸,无论此堆叠是位于IC内部还是IC外部。
9日,记者在2018年第四批科技成果转化签约大会湖北大学专场上获悉,湖北大学物理与电子科学学院王浩教授领衔的团队,与长江存储科技有限责任公司签约受让3D存储器选通管技术,年产值预计将达60亿元。双方达成战略合作,将继续在3D存储器选通管和高密度阻变存储器及其集成技术的研究上开展合作,全力研发下一代3D存储芯片,为早日实现存储器芯片技术的国产化贡献力量。
Anandtech在国内主控厂商联芸科技(Maxio Technology)的展台上找到了使用Intel 3D QLC闪存的4TB SSD,当然这款产品还是处于初期的样品阶段,它采用是一颗联芸自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控,主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2与虚拟奇偶校验恢复等技术,而闪存型号是Intel N18A 3D QLC。
我们大家知道传统的鼠标只能做到上下左右移动的功能,而当我们在玩游戏的时候例如大家不陌生的CS游戏,因为对枪的移动、射击等操作是利用“趴”在桌面上鼠标的移动和点击实现的,然而真实的场面并不是这样。
光科技近期不断为股东送出大礼包,此前它宣布,将从明年起把至少50%的自由现金流返还给股东。 另外,美光还宣布与英特尔达成协议,生产并交付全球性能最强劲的3D NAND闪存芯片。
5G窗口期,稍显温吞的智能手机市场,终于要迎来新一轮“激荡”,产业各方纷纷在暗中加快布局。
在以往的手机升级中,苹果推出了压感屏功能(3D Touch),虽然被一些科技媒体质疑为“鸡肋功能”,但是仍然有一些消费者青睐压感操控的使用。不过据外媒最新消息,苹果计划升级手机使用的玻璃面板,而压感屏技术将成为牺牲品,面临被淘汰的命运。
身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行
4月11日,长江存储以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修
LTM4636 是一款能提供 40A 的 μModule® 稳压器,其采用 3D 封装技术,即旨在保持其低温运行的组件级封装 (component-on-package,CoP),见图 1。该器件的主体是模制的 16mm x 16mm x 1.91mm BGA 封装,在封装顶部叠置了一个电感器以使其暴露在冷却气流中。总体封装高度为 7.16mm。
根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出:全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩,年收入比2016年增长了22%,达到4291亿美元。HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品,这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。
Acconeer AB 与全球电子元器件分销商Digi-Key Electronics 签署了一项新的经销协议,其 A1 SRD 雷达传感器现通过 Digi-Key 面向全球现货发售。
以往仅搭载16GB、32GB容量的智能手机已无法满足当前由数据驱动的新兴移动应用需求,从而为3D NAND快闪存储器的进展铺路…
受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬碟(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。
DRAM严重供不应求,三星明年首季再涨价3%至5%之后,SK海力士 下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次。
半导体大厂英特尔(Intel)在2017年初正式推出与存储器厂美光(Micron)合作的3D XPoint快闪存储器,并将其用在英特尔的Optane系列产品,协助过去运用传统硬盘开机的电脑,大幅缩减开机时间。尤其在极低延迟的情况下,3D XPoint快闪存储器有突出的随机性能,速度甚至是当前SSD的好几倍。
随着AI技术在手机上的逐步渗透,“刷脸时代”渐行渐近。
英特尔(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布,IM Flash B60晶圆厂已完成扩建工程。 新闻稿指出,规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint内存媒体。 成立于2006年的IM Flash合资企业替英特尔与美光生产非挥发性内存,初期生产用于SSD、手机、平板的NAND。
随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...