CMOS
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采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
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ST发布500万像素CMOS影像传感器开发蓝图
意法半导体（ST）发布在照相手机中的标准四分之一英寸光学格式500万像素CMOS影像传感器开发蓝图的细节。意法半导体最新的先进传感器提供多种功能，是500万像素级别中功能最丰富的传感器。 意法半导体的新传感器产品为
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中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE：SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其
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0.18 µm CMOS制造工艺（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用
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基于ARM的便携式系统的功耗管理
arm微处理器因其高性能和低功耗的特性，特别适合于便携式系统的应用。而系统级的问题对于有效的功耗管理也是非常重要的。本文主要对硬件及系统的功耗管理作一些介绍。 功耗管理电路能尽可能地降低便携式系统的
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基于ARM的便携式系统的功耗管理
基于ARM的便携式系统的功耗管理
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采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以工作在2.5b/s，功耗约为6mW。
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CMOS升压型DC/DC控制器（SII）
S-8365/8366系列是精工电子有限公司(SII)开发的一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、时钟闩锁式短路保护电路、PWM控制电路(S-8365系列)、PWM / PFM切换控制电路(S-8366系列)等构成的CMOS升压
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新兴公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器
无晶圆厂半导体公司Black Sand Technologies（德克萨斯/奥斯汀）宣布推出全球第一款用于3G通信的CMOS射频功率放大器。 该公司表示，通过采用专利的PA架构，改进了器件的性能、成本、电池寿命和可靠性。Black Sand所推
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中芯国际在65纳米和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财解决方案
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">2009年9月25日，嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商 -- Kilopass 科技公司 (Kilopass Technology
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