CMOS
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联电：获重大优势
联电昨（15）日宣布，将向德州仪器购买大批的先进12吋晶圆CMOS制程设备，此举将能近一步提升公司的产能，尽管双方均未公布买卖价格，惟外界估计，此次交易总金额达新台币30至40亿元。 稍早德州仪器宣布在日本
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拼扩产！联电向德仪购12吋晶圆CMOS制程设备
晶圆代工业者联电(2303)15日宣布，将向德州仪器(Texas Instruments,TI)购买大批先进12吋晶圆CMOS制程设备，此举将可望进一步提升公司的产能规模。稍早德仪宣布在日本对飞索半导体(Spansion) 日本子公司完成设备资产
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英特尔工艺开发负责人谈15nm工艺以后的CMOS技术
LSI的基本元件CMOS晶体管长期以来一直被指存在微细化极限，但目前来看似乎还远未走到终点。全球最大代工厂商台积电（TSMC）于今年夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产。台积电是半导体行业中唯一一家具体
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极端环境下代工厂的发展之道
过去，上海宏力半导体公司一直是一家相当低调的公司。这家代工服务提供商的大部分赢利来自西方国家，特别是欧洲和美国。EETimes欧洲的记者终于有机会采访宏力半导体公司首席执行官兼总裁UlrichSchumacher先生。Schum
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SILVACO-UMC 0.18um CMOS PDK 通过联华电子验证
顶尖IC自动化设计软件供货商Silvaco 宣布，通过世界晶圆专工技术领导者联华电子 (UMC) 验证之0.18um CMOS 制程设计套件 (Process Design Kit, PDK) ，可支持模拟/ 混合信号之完整IC 设计流程。 此套 PDK支援 Gatew
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Qualcomm与SEMATECH签署合作协议 共同开拓新技术
全球领先的芯片制造协会SEMATECH和先进无线芯片供应商Qualcomm宣布Qualcomm已与SEMATECH签署了合作协议，共同推进CMOS技术进一步发展。Qualcomm是第一家进入SEMATECH的芯片设计公司，Qualcomm将深入参与和SEMATECH的
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0.5um CMOS新型电流反馈放大器的分析与设计
本文的低压低功耗 CFOA,它在只需1V 电源电压情况下，仅产生0.7mW 功耗，84.2dB 的开环增益，62°的相位裕度，高达138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的输出电压范围
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逻辑门电路的传播速度
理论上的数字逻辑设计重点关注的是逻辑门电路的传播延迟。相比之下，高频电子工程中的许多实际的问题通常只取决于一个更细微的指标：最小输出转换时间。图2.13举例说明了这一差别。较快的转换时间会导致返回电流，串
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TTL或CMOS集电极开路输出的功耗
用来计算TTL集电极开路输出电路静态功耗的公式如下：其中：VT=上拉电阻的有效端接电压 R=端接电阻的有效值 VHI=高电平输出（通常等于VT） VLO=低电平输出 VEE=输出晶体管的射极（或源极
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芯片如何输入功率
芯片的输入功率来自于其他器件。对于输入电路的偏置和触发来说它是必需的。表2.1比较了4种不同逻辑系列的静态和动态输入特性，4种逻辑系列为：SIONETICS 74HCT CMOS，TEXAS INSTRUMENTS 74AS TTL，MOTOROLA 10KH ECL
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驱动容性负载的动态功耗
逻辑电路每一次跳变，都要消耗超过它正常静态功耗之外的额外的额外功率。当以一个恒定速率循环时，动态功耗等于功耗=周期频率*每个周期额外的功率动态功耗最常见的两个起因是负载电容和叠加的偏置电流。图2.2说明了驱
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Imec与台积电合作40奈米制程技术
欧洲半导体研究所Imec与台积电共同宣布，将Europractice IC拓展至台积电40奈米的制程技术。透过这项这项合作，将可透过提供台积电晶圆共乘(Cybershuttle)多重计划晶圆给欧洲的公司与学术机构。 这项合作包括台积
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高线性度设计的CMOS调幅电路技术
引言 本文采用±5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS双向开关工作原理
CMOS双向开关也称CMOS传输门。CMOS双向开关在模拟电路和数字电路应用非常广泛。集成电路CMOS双向开关产品有CC4066/4051/4052/4053等，性能优良，使用方便且成本低。每个开关只有一个控制端和两互为输入/输出信号端，
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高线性度设计的CMOS调幅电路技术
引言 本文采用±5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好的使用
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CMOS PA陷入成本和性能两难，“单芯片手机”梦受阻
在基带、电源管理和射频收发等关键器件相继被CMOS工艺集成后，采用砷化镓工艺的功率放大器（PA），成为CMOS工艺通向真正的“单芯片手机”的最后堡垒。多家初创公司一直致力用CMOSPA替代砷化镓PA，其中AXIOM已经在2G手
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音频功率放大器的CMOS电路设计
完成了一种桥式连接音频功率放大器的仿真和设计。该音频功率放大器的主体为桥式连接的两个运算放大器，使用尽可能小的外部组件提供高质量的输出功率，不需要输出耦合电容、自举电容和缓冲网络。应用Cadence的Spectre模拟仿真工具进行电路仿真，得到其电路指标如频响特性、电源电压抑制比、总谐波失真等均达到要求。该音频功率放大器具有良好的市场应用前景。
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IMEC与台积电进行后CMOS合作
IMEC总裁Luc van den Hove表示为了开发新型的混合工艺技术(沿着后摩尔定律), 它的研究所决定与台积电进行合作。尽管IMEC己经与诸多先进芯片制造厂在CMOS材料与工艺方面进行合作, 但是仍需要有大量的创新应用來推动CM
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器，而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命，能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps，冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能，所以，由
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用于LED驱动器的改进型CMOS误差放大器的设计
本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
