CMOS

ST与Soitec合作开发CMOS影像传感器技术

意法半导体（ST）与工程基板供应商Soitec，宣布两家公司签订一项排他性合作协议。根据此协议，两家公司将合作开发300毫米晶圆级背光（BSI）技术，制造用于消费电子产品中的下一代影像传感器。当今的前沿影像传感器技

思源科技与联华电子提供65奈米PDK支持客制芯片设计

近日，思源科技与联华电子共同宣布，将提供已通过晶圆专工验证的LakerTM制程设计套件（PDK）予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双

思源科技与联华电子合作推出65nm制程设计套件

电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子共同宣布，即日起将提供已通过晶圆专工验证的Laker制程设计套件（PDK）予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖

3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计

设计了一款3．7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化，并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0．18 μm CMOS混合信号制造工艺，芯片面积为0．4 mm×1 mm。测试结果显示，芯片的工作频率为3．4~4 GHz，根据输出频谱得到的相位噪声为一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明，该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能，可以用于锁相环和频率合成器。

3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计

3．7 GHz宽带CMOS LC VCO的设计

IMEC扩建研究基地 新增实验室面积2800平方米

比利时纳电子研究中心IMEC日前宣布扩建位于鲁汶的研究基地，实验室面积将新增2800平方米，其中包括高端净化间。扩建后，IMEC将加强32nm以下节点CMOS技术、低成本高效率太阳能电池和生物电子等技术的研究。IMEC同时还

低功耗CMOS电压基准源的设计

l 引 言 电压基准可以在温度及电源电压变化环境中提供稳定的参考电压，被广泛应用于比较器，A／D，D／A转换器，信号处理器等集成电路中。目前已有不少Bipolar工艺和CMOS工艺的电压基准应用于实际中，并且获得了

高速CMOS LDO电压调整器（特瑞仕）

特瑞仕半导体在日本东京开发了输出电流高达1A、带自动节能功能的高速CMOS　LDO电压调整器--XC6220系列产品。XC6220系列是采用高精度、低噪声、低压差的CMOS工艺、输出为1A的大电流式LDO电压调整器。内置低导通电阻的

基于USB2.O的CMOS图像采集系统的设计

O 引言 CMOS图像传感器与CCD图像传感器相比，具有功耗低、集成度高，便于采用高速的并行读取体系等优点，因而在图像传感、天文观测、星敏感器等领域得到广泛应用。目前图像采集主要基于PCI总线或其他传统接串并

低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器设计

　　放大器作为集成电路的一种重要的组成部分是国内外研究的热点。电压模式放大器有一个明显的缺点就是随着被处理信号的频率越来越高,电压模式电路的固有缺点开始阻碍它在高频高速环境中的应用。主要由于闭环增益和闭

无线设备中CMOS频率源的应用趋势

采用CMOS技术提供频率参考源比采用传统频率发生方法有更多的优点。而最近发布的CMOS时钟发生器主要是针对有线应用设计的，可以在高频率下工作、尺寸小和易于集成的优点使其能够非常容易地扩展到更加广泛的无线应用中。在有些应用中，CMOS振荡器可以为那些要求严格的产品改善性能；而在另外一些应用中，通过它们就能够设计出全新的无线产品且避免使用非半导体器件。

3G中的CMOS基RF集成

用户需要更小更便宜的手机,在手持装置中得到快速服务和更多功能。这正在促使业界加速创新解决方案,降低成本使产品尽快上市。这种外加压力,使制造商重新考虑解决这些问题的技术。　　硅技术和集成关键元件单元(如RF 收

3G中的CMOS基RF集成

用户需要更小更便宜的手机,在手持装置中得到快速服务和更多功能。这正在促使业界加速创新解决方案,降低成本使产品尽快上市。这种外加压力,使制造商重新考虑解决这些问题的技术。　　硅技术和集成关键元件单元(如RF 收

采用互补晶体管和CMOS驱动级的推扭电路