CMOS

一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35 μm双层多晶硅工艺实现,驱动32 Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70 dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100 MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3 V电源电压下,电压输出摆幅为2.7 V.

2.4GHz CMOS功率放大器设计

本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法，并基于TSMC 0.35μm RF工艺设计了一种工作频率在2.4GHz，电源电压为3.3V的三级CMOS功率放大器。

2.5伏 HCMOS XPRESSO振荡器（FOX）

FOX ELECTRONICS 目前供应工作电压为2.5伏的HCMOS XPRESSO 振荡器。

三菱电机将上市半透射型5.7英寸液晶面板模块

三菱电机将面向产业领域上市半透射型TFT液晶面板模块“AA057VG02”。画面尺寸为5.7英寸。通过改进液晶面板构造，在反射和透射时实现了NTSC比40％的色彩表现性。另外，通过采用色转换技术“NCM（Natural Color Matri

Icera 将收购专注于射频 CMOS 技术的 Sirific Wireless

英国布里斯托尔2008年4月7日电 /新华美通/ -- 软件定义无线调制解调器芯片集领域的领导者 Icera Inc. 今天宣布，该公司已经与专注于先进 CMOS 射频 (RF) 收发器的无晶圆厂半导体公司 Sirific Wireless 签署了一项最终

CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计

最近出现了一种有可能利用CMOS工艺制造PA的新技术，这样，PA就可以被放在一个简单塑料封装内。

由半导体和有机分子组成的分子电子器件研制成功

手机单芯片RF CMOS是分水岭 EDGE成角逐点

超低成本手机是2007年全球手机市场的主要驱动力，一年就有3亿部～4亿部的市场需求，因此全球前四大的手机制造商，即诺基亚、三星、摩托罗拉和索尼爱立信都参与到这一市场的竞争中。而单芯片的低成本、结构简单、重点

国内首款CMOS卫星导航接收芯片研发成功

国内首款CMOS卫星导航接收芯片研发成功

ST芯片向先进的45nm CMOS 射频技术升级

ST芯片向先进的45nm CMOS 射频技术升级