与其他类型的半导体相比,存储芯片的竞争厂商数量更多,而且芯片本身的差异化程度较低,这使得存储芯片更加商品化,对需求变化也就更加敏感。存储芯片通常是第一个感受到需求变化并出现价格下跌的组件。
Sep. 22, 2022 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示,在高通胀影响下,消费性产品需求疲软,旺季不旺,第三季存储器位元消耗与出货量持续呈现季减,各终端买方因存储器需求明显下滑而延缓采购,导致供应商库存压力进一步升高。同时,各DRAM供应商为求增加市占的策略不变,市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形,皆是导致第四季DRAM价格跌幅扩大至13~18%的原因。
(全球TMT2022年9月22日讯)DRAM市场出现急剧下滑 研究机构IC Insights日前表示,DRAM市场出现急剧下滑。6月份全球DRAM产品销售额环比下滑36%,7月份再次环比下滑21%,较5月份数据缩水约50%。该机构分析称,DRAM销售急剧下滑同时,...
Aug. 29, 2022 ---- 由于过去两年疫情造成生活形态改变,远程教育需求增长,电子产品销售畅旺,带动DRAM模组的出货增长,据TrendForce集邦咨询统计,2021年全球DRAM模组市场整体销售额达181亿美元,年成长约7%,由于各模组厂的经营策略不同,使得各模组厂的营收出现分歧。
8月20日消息,据国外媒体报道,在消费电子产品领域业务广泛的三星电子,在终端产品及关键零部件方面都实力强劲,他们也是当前全球最大的存储芯片制造商,在DRAM和NAND闪存市场的份额都远高于其他厂商。
存储器是半导体产业的重要分支,约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。存储器已经形成主要由DRAM与Flash构成的超千亿美元的市场。尽管存储器产品品类众多,但从产品营收贡献的角度来看,DRAM和Flash(NAND、NOR)的营收占比超95%。
JSR株式会社(JSR Corporation)今天宣布加速与SK hynix Inc.的合作开发进程,以便将JSR旗下公司Inpria的极紫外光刻(EUV)金属氧化物抗蚀剂(MOR)应用于制造先进的DRAM芯片。Inpria拥有广泛专利的EUV金属氧化物光刻胶平台使客户能够高效地对先进节点设备架构进行制版。
(全球TMT2022年6月9日讯)SK海力士宣布公司开始量产HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存,其数据处理速度大幅领先于传统 DR...
与以往版本相比,新开发的CXL内存容量为其4倍,从而让服务器扩展至数十TB,而系统延迟仅为其五分之一 三星还将推出其开源软件工具包的升级版本,以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署 深圳2022年5月10日 /美通社/ -- 今日,作为先进内存技术的厂商,三...
(全球TMT2022年4月27日讯)SK海力士发布截至2022年3月31日的2022财年第一季度财务报告。公司2022财年第一季度结合并收入为12.156万亿韩元,营业利润为2.860万亿韩元,净利润为1.983万亿韩元。2022财年第一季度营业利润率为24%,净利润率为16%...
结合并收入12.156万亿韩元,营业利润2.860万亿韩元,净利润1.983万亿韩元 第一季度为准营收创历史新高,相比2018年第一季度大幅增加3万亿韩元以上 "存储器产业变动性减少,呈现持续增长趋势" 首尔2022年4月...
(全球TMT2022年3月3日讯)三星宣布,高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM,并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。 ...
近年来,数据与新型服务在数量和类型方面均呈指数级增长,带动数据中心与相关云基础设施方面支出的大幅增长。但要从宝贵的数据中获取价值和洞察,人工智能(AI)工作负载的发展是关键所在。因此,企业越来越注重构建能够帮助他们满足这些需求的基础设施——无论在本地、智能边缘,还是在云上,以进一步提高效率和扩大规模。上述条件为云服务提供商创造了难得的机会。
缓存(cache),原始意义是指访问速度比一般随机存取存储器(RAM)快的一种高速存储器,通常它不像系统主存那样使用DRAM技术,而使用昂贵但较快速的SRAM技术。缓存的设置是所有现代计算机系统发挥高性能的重要因素之一。
随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展,泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战,以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。
据全球知名半导体分析机构ICInsights更新的《麦克林报告》,DRAM价格在今年前八个月飙升了41%,从1月份的平均销售价格(ASP)3.37美元上涨至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元,仍比年初增长37%(如下图)。2019年对DRAM来说是相...
近日,一批半导体项目落地、开工、投产,涉及第三代半导体氮化镓、存储封测、以及硅晶圆外延片等领域。60亿,第三代半导体氮化镓项目落地福州近期,4个重大产业项目落地福州长乐区,涉及新材料、大数据、第三代半导体等,投资额超396亿元,其中包括第三代半导体氮化镓项目。据福州新闻网报道,第...
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。
SRAM (Static RAM),即静态RAM.它也由晶体管组成。接通代表1,断开表示0,并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新,但停机或断电时,它们同DRAM一样,会丢掉信息。SRAM的速度非常快,通常能以20ns或更快的速度工作。一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容.而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件。所以,除了价格较贵外,SRAM芯片在外形上也较大,与DRAM相比要占用更多的空间。由于外形和电气上的差别,SRAM和DRAM是不能互换的。