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SRAM存储器
静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
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存取存储器
随机存取存储器(英语：Random Access Memory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
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DRAM 的需求已经减弱 内存要降价？
市场研究机构 TrendForce 的数据也显示，10 月份 PC 用 DRAM 通用产品(DDR4 8GB)成交价为 3.71 美元，环比降价 0.39 美元，比上一季度下降 9.51%。DRAM 自今年 1 月份起一直保持价格上升趋势，此次是全年首次降价。TrendForce 分析认为，随着 PC 制造商的 DRAM 库存水平上升，市场对 DRAM 的需求已经减弱。
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IC Insights：DRAM价格将在今年第4季度回落
据全球知名半导体分析机构ICInsights更新的《麦克林报告》，DRAM价格在今年前八个月飙升了41%，从1月份的平均销售价格（ASP）3.37美元上涨至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增长37%（如下图）。2019年对DRAM来说是相...
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三星开发出其业界首款基于14纳米的LPDDR5X DRAM
（全球TMT2021年11月9日讯）三星宣布开发出其业界首款基于14纳米的下一代移动DRAM -- LPDDR5X（低功耗双倍数据速率5X），将引领超高速数据服务市场的增长。 三星成功开发LPDDR5X DRAM 三星的14纳米LPDDR5X在“速度、容量和省电...
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前HBMDRAM已经发展到了第四代，HBM3进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示，2020...
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绿芯工业级温度 NVMe U.2 固态硬盘最高容量可达 7.68TB
先进的数据完整性和安全性为用户提供高可靠性保障
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美光推出全新 Crucial 英睿达 DDR5 内存，为消费者提供下一代台式电脑所需的高速度和海量带宽
与 DDR4 内存相比，Crucial 英睿达 DDR5 内存的数据传输速度提高 50%，达到 4800MT/s，开箱即用的有效带宽几乎翻倍
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。
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DRAM中，1x、1y、1z、1α究竟是多少nm制程？
DRAM制造工艺上的1x、1y、1z1z之类的代表的是什么？DRAM产品目前处在10-20nm工艺制造的阶段，并且由于DRAM制程工艺进入20nm以后，制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成类似1x、1y、1z的定义。1x-nm制程相当于16~...
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SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
（全球TMT2021年10月20日讯）SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。...
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集邦：DRAM明年供过于求，恐进入跌价周期
市调机构集邦科技指出，随着后续买方对DRAM的采购动能收敛，加上现货价格领跌所带动，第四季合约价反转机会大，预估将下跌3～8％，结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道，将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素，预期20...
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三星宣布：14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
10月12日消息，三星宣布开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14nmDRAM。继去年3月三星推出首款EUVDRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管JooyoungLee表示，“通过...
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三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
（全球TMT2021年10月12日讯）三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。 “通过开拓关键的图...
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内存不再好卖，DRAM合约价格四季度跌幅将超出预期
9月23日消息，据国外媒体报道，在今年8月份，研究机构就曾表示，由于供求状况发生了变化，加之供求双方存在较大的分歧，在三季度已经过了一半的情况下，供求双方仍未就三季度DRAM的合约价格达成一致。
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微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
本文将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DRAM工艺中存在的AA形状扭曲和与之相关的微负载效应与制造变量。
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供过于求，近几个季度DRAM价格大幅下跌：美光确认EUV工艺
由于供过于求，近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本，并为内存所需要的新应用程序做好准备，DRAM制造商正在积极转向更新的工艺技术。尽管他们承认需要平衡DRAM的供需，但实际上他们为扩大生产能力制定了积极的计划，因为他们需要为即将到来的制造技术提供更干净的空间。
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推进内存和存储迭代升级，美光将1α DRAM与176 层 NAND 实现更为全面量产落地
1α DRAM和176层NAND是下一代内存和存储产品的重要技术突破，行业内正在跟随这一技术路线进行产品创新升级。此前这两项新技术在发布之时也宣布了重要产品的量产发布，例如LPDDR5等。但在近日台北Computex展会同期，美光继续推进这两项创新技术的的下放和量产，推出了更多适用于更大终端市场的全新内存和存储产品，全面推进PC、数据中心和汽车等应用场景升级。
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美光发布第六次年度可持续发展报告，可持续项目成果显著，进一步坚定促进创新与社会发展的承诺
内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.近日发布《快步前行：美光 2021 年可持续发展报告》，凸显美光在特殊时期不但体现出企业韧性，更在促进创新、人、社区和制造等方面取得长足进展。
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应用材料公司推出DRAM微缩领域的材料工程解决方案
应用材料公司今天宣布推出一系列材料工程解决方案，为存储客户提供三种全新进一步微缩DRAM的方法，并加速改善芯片性能、功率、面积、成本和上市时间(即：PPACt)。
