本文将介绍ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
器件的电容低至15.5pF,漏电流小于0.05μA,可用于LIN总线保护。日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两颗新的采用小尺寸SOD-323封装的双
目前对于许多流行的手机而言,手机的彩色LCD、OLED显示屏或相机模块CMOS传感器等部件,都是通过柔性电路或长走线PCB与基带控制器相连的,这些连接线会受到由天线辐射出的寄
摘要 在通信设施、成像设备、工业仪器仪表等需要大量数据的系统中,要求数据转换级提供越来越宽的分辨率和越来越高的采样率。并行接口的物理布局和串行LVDS方法的比特率限制,给设计人员带来技术障碍。文中基于Xili
一.ESD引起集成电路损伤的三种途径(1)人体活动引起的摩擦起电是重要的静电来源,带静电的操作者与器件接触并通过器件放电。(2)器件与用绝缘材料制作的包装袋、传递盒和传送
对ESD进行防护的最好方法,是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽,静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。一般有了静电屏蔽,磁场屏蔽就不再是十分需要的了
ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 的
21ic讯 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管),旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电 (ESD)以及雷击导致的浪涌现象的破坏。
21ic讯 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出SP4044和SP4045两个系列的瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护敏感的电子设备免遭破坏性静电放电 (ESD)以及雷击导致的浪涌现象的破坏。 低电
中心议题: 设计PCB时防范ESD的多种手段 解决方案: 尽可能使用多层PCB 确保每一个电路尽可能紧凑 尽可能将所有连接器都放在一边来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于
日前,Littelfuse 宣布推出小型四通道双向SP1015系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管),旨在为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的数据线提供保护。 该系列功能强大的二极管
日前,全球领先的电子元器件制造商村田制作所(以下简称村田)推出了其最新研发的陶瓷ESD防护器件。该产品在性能上比上一代产品提高了20%,大大减少了静电带来的损害。 村田的
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯
器件通过AEC-Q200认证,其分压比公差低至±0.05%,长期分压比稳定率为0.015 %,采用小尺寸8-Pin SOIC封装21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过AEC-Q200认证的新系列高精度双列直插式薄膜电
器件采用小尺寸CLP0603封装,高度0.27mm,典型电容低至0.29pF日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新的双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05B1-SD0,其采用
包括微软(Microsoft)、英特尔(Intel)、苹果(Apple)纷将2015年新款PC介面全面升级至USB 3.1规格,Wintel阵营2015年新款PC产品亦将全面采用USB 3.1介面设计,国外芯片大厂透
相比类似硅解决方案,0.3Ω动态电阻可将箝位电压至少降低23%21ic电源网讯 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管---VESD15A1-HD1-G4-08。该二极管具有超过15.5V的反向雪崩击穿电压和低正向电压,采用超小的LLP10
EOS英文全称 Electrical Over Stress,是对所有的过度电性应力的总称。当EOS超过其最大指定极限后,器件功能会减弱或损坏,同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。由于它可能发生在产品的研发、测试乃至生产、存储、
高清电视及显示器的发展加速提高了信号传输速率,除此之外,USB 2.0以及USB 3.0等高速串行协议的应用也使信号速率在不断提高。随着信号速率的提高,以前传统的ESD保护技术已