GAN

关注人关注

我要报错

黑莓宣布刚售出1000部手机

1月17日消息，据外国媒体报道，黑莓发布声明，该公司与一家德国软件公司达成购买1000部黑莓10智能手机的协议。而在过去的鼎盛时期，黑莓每小时的手机销量近7000部。近来黑莓境况艰难，它不得不时刻提醒人们它仍然在开

通信技术
2014-01-17

黑莓软件 GAN
诺基亚控告HTC侵犯其专利案件遭德国法院否决

与其他科技公司一样，诺基亚这段时间以来一直忙着诉讼案件。在欧洲，诺基亚之前在英国已经赢得了禁售HTC手机的诉讼案件。但是，尽管赢得了这次与HTC的专利诉讼案，HTC One及One mini并没有被禁售。但是，诺基亚现在在

通信技术
2014-01-10

诺基亚手机软件 HTC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

半导体
2014-01-10

元件功率半导体 SIC GAN
如何使用氮化镓第四章：在高频降压转换器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）

我们在之前章节谈论了使用氮化镓场效应晶体管在驱动器及版图方面的考虑因素从而提高性能。本章我们会探讨在高频降压转换器使用最优版图并在1 MHz频率开关时可实现高于96%效

功率器件
2014-01-09

降压转换器氮化镓 FET GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后

半导体
2014-01-08

元件功率半导体 SIC GAN
芯片级拆解：全面剖析新型LED灯泡设计的艺术

时下，LED照明技术正掀起产业革命旋风。LED照明灯泡厂商正致力于快速提高性能和降低LED灯泡价格。去年，普通家庭款式的LED灯泡，如A19LED灯泡售价在20美金至60美金之间，当时已具有非常高的性价比。今年，高端的LED灯

显示光电
2014-01-06

芯片级 LED芯片 LED灯泡 GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

半导体
2014-01-04

元件功率半导体 SIC GAN
新一代功率半导体加速导入元器件厂商拼杀

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

消费电子
2014-01-03

功率半导体元器件 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

消费电子
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后

模拟
2014-01-02

元件功率半导体 SIC GAN
汽车共享业正从快速扩张步入盈利时代

[摘要] 清洁技术市场调研与咨询公司Navigant Research预计，2013年初到年末，全球加入汽车共享的成员已从230万增加到1200万。　　随着消费者对开车燃油成本逐年上升愈加失望，以及购车欲望的下降，汽车共享

汽车电子
2014-01-02

汽车 IPC VI GAN
元件开发竞争激烈亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2013-12-31

元件功率半导体基板 GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

模拟
2013-12-30

元件功率半导体 SIC GAN
新一代功率半导体：元件开发竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业

电源
2013-12-30

元件功率半导体 SIC GAN
奥迪注册新商标预示未来新车阵容

[摘要] 奥迪近期注册了一系列新商标，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，其中f-tron可能为一款燃料电池车型。奥迪近期注册了一系列新商标，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，这些新商标可能是未来新车阵容的名称。

汽车电子
2013-12-27

奥迪 SUV LAN GAN
日本低阻值的n

日本名城大学和名古屋大学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝稼(n-AlGaN)。通过将n-AlGaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率(wall-plug efficiency )提升了15%左右。这种低阻值的n

显示光电
2013-12-24

电极阻值 LG GAN
日本低阻值的n-AlGaN，电光转换效率提升15%

日本名城大学和名古屋大学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝稼(n-AlGaN)。通过将n-AlGaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率(wall-plugefficiency)提升了15%左右。这种低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在

半导体
2013-12-21

阻值电光 LG GAN
吉利2014年初在巴西运营将在当地建厂

[摘要] 中国吉利控股集团计划2014年1月开始正式进军巴西市场，从2014年1月开始，吉利将在巴西销售帝豪EC7和全球鹰GC2两款车。

汽车电子
2013-12-20

吉利 NI UI GAN

首页上一页 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 下一页尾页

GAN

黑莓宣布刚售出1000部手机

诺基亚控告HTC侵犯其专利案件遭德国法院否决

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

如何使用氮化镓第四章：在高频降压转换器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

芯片级拆解：全面剖析新型LED灯泡设计的艺术

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

新一代功率半导体加速导入元器件厂商拼杀

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

汽车共享业正从快速扩张步入盈利时代

元件开发竞争激烈亚洲企业纷纷涉足

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

新一代功率半导体：元件开发竞争激烈

奥迪注册新商标预示未来新车阵容

日本低阻值的n

日本低阻值的n-AlGaN，电光转换效率提升15%

吉利2014年初在巴西运营将在当地建厂

相关标签

关注此标签的用户(人)

热门活动

课程视频