深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波,在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比,基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深紫外发光二极管(LED)具备坚固、节
LED半导体照明网讯 Yole Développement预计,毫无疑问,LED技术的市场份额将会超过传统灯泡和光管业务。LED厂商最近发布的新闻(比如LED光效超过150lm/W)证明了LED性能已与传统灯泡和光管差不多。块体氮化镓
IHS最新研究报告显示,从2013年至2017年,微型逆变器的全球市场规模将有望随着海外市场需求的持续增长而增长四倍以上。微型逆变器相对于传统逆变器来说,在很多方面都有所提
据美国知名研究机构Navigant研究的报告指出,全球智能电表安装基数将从2013年的3.13亿只增长到2022年的近11亿只。智能电表的直接运营效益和社会效益,及智能电网的广泛收益,使智能电表继续成为决策者、公共事业单位
21ic讯 宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电
一.IQE、LEE与EQE定义 首先给出内量子效率(IQE:Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE:Light Extraction Efficiency)与外量子效率(EQE:External Quantum Efficiency)参数的定义与表达如下: IQE=单位时间内
极值发光效率的解决方案在哪里?我们距离发光极限(400lm/W )还有多远? 11月10日下午,CHINASSL2013材料与装备技术分会首位发言人,中科院半导体研究所照明中心副研究员刘志强在介绍《低维结构—GaN LED的潜在发展趋势
据市场研究机构Yole的最新报告,IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后,今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言,市场预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美元。IGBT将在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能
[摘要] 过度依赖石油资源已经成为美国军方不得不面临的问题,为缓解这一局面,美军将目光投向了电动汽车,而这些新能源汽车未来将被派往前线。 【第一电动网】(编译 李媛媛) 美国Navigant Research研究机
21ic讯 据市场研究机构Yole的最新报告,IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后,今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言,市场预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美
由爱戴爱集团主办,《Bodo's功率系统》杂志协办的PEC-电力电子峰会苏州站于10月25-26号苏州会议中心落下帷幕。继PEC电力电子苏州站圆满结束后,PEC电力电子西安站蓄势待发。据PEC组委会工作人员表示:PEC电力电子苏州
据SNL Kagan一份调查结果显示,2017年之前,OTT TV月租付费市场将显著增长,北美也将成为最大的OTT TV月租付费市场。SNL Kagan的报告指出,消费者对个性化的收视体验以及种类繁多的内容选择的需求在不断提升,由此就
Soraa公司10月23日宣布已获得美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)数额几百万美元的拨款,以推进与将大尺寸GaN基底用于电力电子技术的研究相关的两个项目。该公司目前已参与ARPA-E的SWITCHES项目,负责执行项目第一
发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源,耗电量仅约同亮度传统光源的20%,并具有体积小、寿命长、效率高、不含汞等环保与健康特性,且现今LED商品效率已超出每瓦110流明,LED应用领域更是无限宽广。尤其在照明、笔
LED价格下滑趋势不变,LED晶片厂不断在制程与技术方面进行改善以降低成本,半导体设备厂极特先进科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)开发取代MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统,未来LED晶片厂可以透过增加
LED半导体照明网讯 韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程,以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍,首尔半导体指出,nPola产品即将推出,其中,首
美国公司Soraa23日宣布,它已获得美国能源部高级研究项目署ARPA-E的几百万美元增投资金,继续开展与块状氮化镓(GaN)衬底相关的两个项目的研究。早在2011年,Soraa就被ARPA-E的能源转换机构选定进行GaN衬底项目研究
韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程,以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍,首尔半导体指出,nPola产品即将推出,其中,首尔半导体的nPola UV产品目前已
Soraa公司10月23日宣布已获得美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)数额几百万美元的拨款,以推进与将大尺寸GaN基底用于电力电子技术的研究相关的两个项目。该公司目前已参与ARPA-E的SWITCHES项
宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电子器件的高压、高频、