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日本MOCVD设备厂大阳日酸社长松本功:：GaN-on-Si必定是LED未来发展的技术之一

近期LED设备市场中的MOCVD竞争激烈，除了业界两大龙头厂商德商Aixtron、美商Veeco之外，其实还有其他设备厂商的舞台。大阳日酸株式会社(TAIYO NIPPON SANSO)成立于1910年，是日本最大的工业气体和空分设备制造公司，

显示光电
2011-11-18

GAN LED 基板 OV
我国LED产业上游环节发展提速

中国led产业保持较快稳定增长自国家半导体照明工程实施以来，中国LED产业取得了长足的发展。2008年，全球金融危机导致下游市场需求疲软，在一定程度上减缓了中国LED产业的发展速度。进入2009年，随着国家不断出台

显示光电
2011-11-17

AI LG LED产业 GAN
硅衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

按照led上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。其中前两条技术路线的核心专利主要掌握在日亚、丰田合成、科锐、欧司朗、

显示光电
2011-11-14

碳化硅半导体照明 LED照明 GAN
半导体龙头年省一座水库

台积电力倡科技业节水，昨（11）日号召业界共同成立节水联盟。台积电累计投入20亿元购买废水回收处理设备，去年一年省下一座新竹宝山水库、约30万家庭用水量，省水金额达4亿元。台积电昨天在竹科总部开设首场「产

模拟
2011-11-13

半导体台积电晶圆厂 GAN
为什么CT技术还停留在25年前?

这篇文章源于一个非常有意思的演讲，讲演者是 UCSD 放射肿瘤学系教授 Steve Jiang。这篇文章的题目来自于芝加哥大学放射诊断学系教授 Xiaochuan Pan 的一篇论文。问题一目了然：近二十年来，X 光断层扫描成像技术在学

医疗电子
2011-11-08

数学模型 PROJECT FILTER GAN
“微言“系统将医生语音生成电子病历

医生不喜欢技术来掣肘，尤其是当他们给病人口述诊疗记录时。当打字机被发明出来后，医生找别人来键入他们的观察。在录音机出现后，他们将磁带寄给转录服务处。通过电脑，语音识别软件已经能够自动将医生所说的话变成

医疗电子
2011-11-01

电脑电子病历 MIDDOT GAN
Optogan建成号称欧洲第二大LED芯片工厂

Optogan宣布在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。据了解，Optogan公司的新工厂以前曾是日立的半导体工厂，拥有多达4000平方米的超净间和100名员工，总

显示光电
2011-10-25

半导体日立 LED芯片 GAN
Optogan建成欧洲第二大LED芯片工厂

Optogan宣布在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。据了解，Optogan公司的新工厂以前曾是日立的半导体工厂，拥有多达4000平方米的超净间和100名员工，总

消费电子
2011-10-21

半导体日立 LED芯片 GAN
三星康宁展示1 6英寸GaN基板，2014年将量产4英寸产品

三星康宁精密材料（Samsung Corning Precision Materials，SCPM）在“KES2011（韩国电子产业展）”（韩国一山KINTEX，2011年10月12至15日）上，展示了1到6英寸的GaN基板。现已完成可试制4英寸以下高品质GaN基板的研发

模拟
2011-10-21

三星康宁 GAN 基板
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

消费电子
2011-10-20

器件电池氮化镓 GAN
Optogan公司在德国建立欧洲第二大的LED芯片工厂

总部位于俄罗斯的LED芯片、元器件和灯具制造商Optogan公司近日宣布，其在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。德国巴伐利亚州经济部部长Martin Zeil出席

显示光电
2011-10-20

半导体元器件 LED芯片 GAN
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

半导体
2011-10-19

器件电池氮化镓 GAN
纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好

电子设计自动化
2011-10-18

器件电池氮化镓 GAN
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

电源-LED驱动
2011-10-16

器件电池氮化镓 GAN
iPhone 4S热卖推动苹果股价创422美元历史新高

10月15日消息，昨天iPhone 4S正式开始在零售店销售，因为用户热情高涨，销售旺盛，苹果今天股价上涨3.32%，涨13.57美元，达422美元，创历史新高。今年以来，苹果股价已经上涨近30%。在不同地区，用户排队购买iPhone

通信技术
2011-10-15

苹果 iPhone ANTI GAN
iPhone 4原型机盗窃者被判40小时社会服务

10月12日晚间消息，据国外媒体报道，去年三月iPhone 4样机丢失的肥皂剧终于落幕。因盗窃失物，并不当出售iPhone 4样机而涉案的两名人员，28岁的Sage Robert Wallower和22岁的Brian John Hogan承认自己的犯罪事实，未

通信技术
2011-10-13

苹果 iPhone TE GAN
同方光电多项LED技术发明获得新型专利证书

近日，同方光电科技有限公司GaN基发光二极管、大功率发光二极管结构、提高发光效率的发光二极管等多项led领域专项技术获得了由中国知识产权局颁发的新型专利证书。截至目前，同方光电科技有限公司已申请发明专利23项

显示光电
2011-10-12

光电发光二极管 LED技术 GAN
宜普开发板专为使用增强型eGaN FET的系统而设计

普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。EPC9005开发板EPC9005开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)

消费电子
2011-09-29

开发板 FET EPC GAN
三菱化学传将量产白色LED用GaN基板

日刊工业新闻14日报导，三菱化学(MitsubishiChemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色LED的氮化镓(GaN)基板。报道指出，三菱化学计划投下5亿日圆于旗下水岛事业所内设置一座支援6吋基板

显示光电
2011-09-16

照明 GAN LED 基板
三安光电GaN基薄膜LED获美国专利证书

三安光电14日公告称，9月9日，公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司收到美国专利商标局下发的专利证书，专利名称为制作GaN基薄膜led的方法。三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN

显示光电
2011-09-15

薄膜三安光电 GAN LED

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GAN

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Optogan建成号称欧洲第二大LED芯片工厂

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