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扬州开发区助推半导体照明产业迅速发展

在日前举行的“第八届中国国际半导体照明展览会”上，来自扬州开发区国家级半导体照明高新技术产业化基地内的20多家企业，集中推出从衬底、外延片、芯片、封装器件、照明灯具到支架、荧光粉等最新产品，吸

电源-LED驱动
2011-11-28

照明产业半导体照明光电 GAN
三菱化学传13年度量产白色LED用GaN基板挑战40%市占

日本媒体化学工业日报21日报导，三菱化学(MitsubishiChemical)计划于2013年度藉由旗下水岛事业所正式量产白色LED用氮化镓(GaN)基板，之后并计划于2015年度将GaN基板营收提高至200亿日圆以上水准，挑战全球40%市占。报

显示光电
2011-11-23

LED 基板 CHEMICAL GAN
蓝宝石基板尺寸演进提升LED生产技术

随着设备效率与LED人才技术日渐提升下，预估在明年4吋的蓝宝石基板也将广泛得受到LED厂商所重视。虽然6吋的蓝宝石基板仍受限于目前的技术，以至于LED芯片生产的良率与破片率仍是目前仍须突破的瓶颈。近期LED设备市场

消费电子
2011-11-22

LED 基板 OV GAN
三菱化学有望在2013年度量产白色LED用GaN基板

日本媒体化学工业日报21日报导，三菱化学(Mitsubishi Chemical)计划于2013年度借由旗下水岛事业所正式量产白色LED用氮化镓(GaN)基板，之后并计划于2015年度将GaN基板营收提高至200亿日圆以上水准，挑战全球40%市场占

消费电子
2011-11-22

LED 基板 CHEMICAL GAN
日本MOCVD设备厂大阳日酸社长松本功:：GaN-on-Si必定是LED未来发展的技术之一

近期LED设备市场中的MOCVD竞争激烈，除了业界两大龙头厂商德商Aixtron、美商Veeco之外，其实还有其他设备厂商的舞台。大阳日酸株式会社(TAIYO NIPPON SANSO)成立于1910年，是日本最大的工业气体和空分设备制造公司，

显示光电
2011-11-18

LED 基板 OV GAN
我国LED产业上游环节发展提速

中国led产业保持较快稳定增长自国家半导体照明工程实施以来，中国LED产业取得了长足的发展。2008年，全球金融危机导致下游市场需求疲软，在一定程度上减缓了中国LED产业的发展速度。进入2009年，随着国家不断出台

显示光电
2011-11-17

AI LG LED产业 GAN
硅衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

按照led上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。其中前两条技术路线的核心专利主要掌握在日亚、丰田合成、科锐、欧司朗、

显示光电
2011-11-14

碳化硅 LED照明半导体照明 GAN
半导体龙头年省一座水库

台积电力倡科技业节水，昨（11）日号召业界共同成立节水联盟。台积电累计投入20亿元购买废水回收处理设备，去年一年省下一座新竹宝山水库、约30万家庭用水量，省水金额达4亿元。台积电昨天在竹科总部开设首场「产

模拟
2011-11-13

半导体台积电晶圆厂 GAN
为什么CT技术还停留在25年前?

这篇文章源于一个非常有意思的演讲，讲演者是 UCSD 放射肿瘤学系教授 Steve Jiang。这篇文章的题目来自于芝加哥大学放射诊断学系教授 Xiaochuan Pan 的一篇论文。问题一目了然：近二十年来，X 光断层扫描成像技术在学

医疗电子
2011-11-08

数学模型 PROJECT FILTER GAN
“微言“系统将医生语音生成电子病历

医生不喜欢技术来掣肘，尤其是当他们给病人口述诊疗记录时。当打字机被发明出来后，医生找别人来键入他们的观察。在录音机出现后，他们将磁带寄给转录服务处。通过电脑，语音识别软件已经能够自动将医生所说的话变成

医疗电子
2011-11-01

电脑电子病历 MIDDOT GAN
Optogan建成号称欧洲第二大LED芯片工厂

Optogan宣布在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。据了解，Optogan公司的新工厂以前曾是日立的半导体工厂，拥有多达4000平方米的超净间和100名员工，总

显示光电
2011-10-25

半导体日立 LED芯片 GAN
Optogan建成欧洲第二大LED芯片工厂

Optogan宣布在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。据了解，Optogan公司的新工厂以前曾是日立的半导体工厂，拥有多达4000平方米的超净间和100名员工，总

消费电子
2011-10-21

半导体日立 LED芯片 GAN
三星康宁展示1 6英寸GaN基板，2014年将量产4英寸产品

三星康宁精密材料（Samsung Corning Precision Materials，SCPM）在“KES2011（韩国电子产业展）”（韩国一山KINTEX，2011年10月12至15日）上，展示了1到6英寸的GaN基板。现已完成可试制4英寸以下高品质GaN基板的研发

模拟
2011-10-21

三星康宁基板 GAN
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

消费电子
2011-10-20

器件电池氮化镓 GAN
Optogan公司在德国建立欧洲第二大的LED芯片工厂

总部位于俄罗斯的LED芯片、元器件和灯具制造商Optogan公司近日宣布，其在德国兰茨胡特建成了号称欧洲第二大的LED芯片工厂，规模仅次于欧司朗设在德国雷根斯堡的LED芯片工厂。德国巴伐利亚州经济部部长Martin Zeil出席

显示光电
2011-10-20

半导体元器件 LED芯片 GAN
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

半导体
2011-10-19

器件电池氮化镓 GAN
纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好

电子设计自动化
2011-10-18

器件电池氮化镓 GAN
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究

氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材

电源-LED驱动
2011-10-16

器件电池氮化镓 GAN
iPhone 4S热卖推动苹果股价创422美元历史新高

10月15日消息，昨天iPhone 4S正式开始在零售店销售，因为用户热情高涨，销售旺盛，苹果今天股价上涨3.32%，涨13.57美元，达422美元，创历史新高。今年以来，苹果股价已经上涨近30%。在不同地区，用户排队购买iPhone

通信技术
2011-10-15

苹果 iPhone ANTI GAN
iPhone 4原型机盗窃者被判40小时社会服务

10月12日晚间消息，据国外媒体报道，去年三月iPhone 4样机丢失的肥皂剧终于落幕。因盗窃失物，并不当出售iPhone 4样机而涉案的两名人员，28岁的Sage Robert Wallower和22岁的Brian John Hogan承认自己的犯罪事实，未

通信技术
2011-10-13

苹果 iPhone TE GAN

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GAN

扬州开发区助推半导体照明产业迅速发展

三菱化学传13年度量产白色LED用GaN基板挑战40%市占

蓝宝石基板尺寸演进提升LED生产技术

三菱化学有望在2013年度量产白色LED用GaN基板

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Optogan建成号称欧洲第二大LED芯片工厂

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