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新世纪周刊：印度电信腐败难局
拉贾(Andimuthu Raja)原本只是印度南部一个名不见经传的小镇律师，没有电信或商业方面的任何资历。2007年，他却一跃成为印度经济命脉电信部掌门人，统领世界上发展最快的手机市场。原因很简单：他得到了所在党派DMK领
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联发科手机芯片出货量重登高峰
IC设计龙头联发科近期营运回温，受惠产品售价调降及中国农历年拉货效应激励下，市场直指联发科第4季手机芯片出货量将重回历史高峰单月2,000万套的水平。联发科表示，单月出货量还无法确定，不过12月因为有农历年前拉
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美国有线电视订户数下滑 观众流向网络平台
据《金融时报》报道，由于大量更为年轻、精通技术的观众选择在诸如Hulu和Netflix这样的视频网站上观看电视节目，美国有线电视订户数呈现三十年来最大幅度的下滑。 研究公司SNLKagan称，有线电视、卫星和电信公司提
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富士通展示GaN功率晶体管的试制晶圆
富士通半导体在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕张Messe会展中心）上，展示了集成GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆。在该元件量产线所在的会津若松市的工厂中进行了试制。面向2012年的正式量产，将于20
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一种GaN宽禁带功率放大器的设计
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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英特尔下调第三季度营收预期
据彭博社报道，由于成熟市场的个人电脑需求较预期疲软，英特尔今日宣布下调其第三财季营收和毛利率预期。英特尔今日在一份声明中表示，该公司预计第三财季营收将达110亿美元，或在此基础上增加或减少2亿美元，相比此
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GaN类蓝色LED的相关专利诉讼不断
围绕GaN类蓝色LED的相关专利，大型LED厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日亚化学工业，此后便展开了有关侵害专利以
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iSuppli：华为中兴面临增长放缓压力
8月25日消息，据国外媒体报道，美国市场研究公司iSuppli周一发布报告称，由于美国和印度对安全问题的担忧，华为和中兴将面临增长放缓的压力。iSuppli称：“在一些亟待拓展的最大的市场中，这两家企业面临着强烈
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美国付费电视用户数受互联网冲击首度下滑
北京时间8月24日消息，根据咨询公司SNL Kagan的最新报告显示，美国付费电视产业（包括有线电视、卫星电视和通信公司的电视业务）用户数在今年二季度首度出现下滑。SNL Kagan报告称，美国的经济疲软是导致下滑的原凶，
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韩国争取云计算国际标准主导权
韩国ITU研究委员会于近日宣布，韩国电子通信研究院(ETRI)服务融合标准研究组的Lee-gangchan博士已获任ITU-T下属FGCloud标准组的副主席，韩国KT公司的Jim-hyeongsu部长已获任FGSmart标准组的副主席。ITU-T在今年2月IT
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美国各州将跨州调查谷歌收集个人数据活动
北京时间6月22日凌晨消息，据国外媒体报道，美国康涅狄格州总检察长理查德·布鲁门萨尔(Richard Blumenthal)周一称，他下属的办公室将会领导一项针对谷歌未经授权即从无线电脑网络中收集个人数据的跨州调查。目
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瞄准GaN及SiC功率半导体检测标准—安捷伦开发新型测试装置
目前，功率半导体受到越来越多的关注。这是因为在实现CO2减排及环保对策时，功率半导体起到的作用极大。比如在日本国内，“变频器家电（空调、洗衣机、冰箱）”已变得相当普遍。采用变频器可使电力效率获得飞跃性提高
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基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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HBLED或因材料限制缺货
某研究报告指出，2010年下半年成长迅速的液晶电视用高亮度LED恐将因关键半导体材料短缺而受到限制。该研究报告指出，液晶电视用LED背光模块的设备需求已大幅攀升，尤其是生产氮化镓(galliumnitride，GaN)LED的有机金
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基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN（氮化镓）射频器件市场分析
MILMEGA有限公司总经理 Pat Moore 氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 与现有技术相比，
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德国MOCVD设备商AIXTRON接获上海龙德芯光电设备订单
德国MOCVD设备供货商AIXTRON AG于日前接获上海龙德芯光电公司的设备订单，预计于2010年Q2出货。龙德芯光电将利用AIXTRON MOCVD设备生产GaN高亮度LED，藉以进军显示器背光产业。目前中国大陆厂商积极引入MOCVD机台，届
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Veeco2010年Q1营收受惠于LED市场火热磊晶厂积极扩产效应
美国设备大厂Veeco日前公布2010年Q1财报，营收达1.632亿美元，季度增12%，年增120%，创下该公司史上新高。Veeco对外指出，台厂新世纪光电已在2010年Q1向该公司订购了数台TurboDiscK465iGaNMOCVD机台，扩充高亮度LED产
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MOCVD接单畅旺 Veeco获利报喜
受惠于LED厂积极扩产，有机金属化学汽相沉积系统(MOCVD)设备大厂Veeco首季营收达1.632亿美元，年增120%，季成长12%，本业每股稀释盈余0.49美元，远优于2009年同期的本业每股亏损0.22美元，截至3月底在手订单金额已达
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GaN功率半导体市场将迅速增长，2013年市场规模达1.8亿
美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSupp
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