近日, 欧司朗光电半导体公司 因在直接绿色放射雷射(direct green-emitting laser)研究领域具有卓越贡献而获得贝库茨基金会颁奖。 欧司朗是 亚光(3019) 客户 MicroVision 的合成绿色雷射供应商。MicroVision在此前宣
日前,英飞凌监事会提名Wolfgang Mayrhuber(63岁)出任监事会主席。于2011年2月17日召开的2011年年度股东大会(AGM)上,监事会将提议选举Wolfgang Mayrhuber加入监事会。2011年年度股东大会结束后,目前担任此职
英国经济与商务研究中心(Centre for Economics and Business Research)的一份报告显示,如果欧盟五个最大的经济体在部分服务中采用云计算,他们在未来五年间一共可以节省6450亿欧元。 以英国为例,如果能大力推广
今天,英飞凌监事会提名Wolfgang Mayrhuber(63岁)出任监事会主席。在将于2011年2月17日召开的2011年年度股东大会(AGM)上,监事会将提议选举Wolfgang Mayrhuber加入监事会。2011年年度股东大会结束后,目前担任此
拉贾(Andimuthu Raja)原本只是印度南部一个名不见经传的小镇律师,没有电信或商业方面的任何资历。2007年,他却一跃成为印度经济命脉电信部掌门人,统领世界上发展最快的手机市场。原因很简单:他得到了所在党派DMK领
IC设计龙头联发科近期营运回温,受惠产品售价调降及中国农历年拉货效应激励下,市场直指联发科第4季手机芯片出货量将重回历史高峰单月2,000万套的水平。联发科表示,单月出货量还无法确定,不过12月因为有农历年前拉
据《金融时报》报道,由于大量更为年轻、精通技术的观众选择在诸如Hulu和Netflix这样的视频网站上观看电视节目,美国有线电视订户数呈现三十年来最大幅度的下滑。 研究公司SNLKagan称,有线电视、卫星和电信公司提
富士通半导体在“CEATEC JAPAN 2010”(2010年10月5~9日,幕张Messe会展中心)上,展示了集成GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆。在该元件量产线所在的会津若松市的工厂中进行了试制。面向2012年的正式量产,将于20
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4 GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
据彭博社报道,由于成熟市场的个人电脑需求较预期疲软,英特尔今日宣布下调其第三财季营收和毛利率预期。英特尔今日在一份声明中表示,该公司预计第三财季营收将达110亿美元,或在此基础上增加或减少2亿美元,相比此
围绕GaN类蓝色LED的相关专利,大型LED厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日亚化学工业,此后便展开了有关侵害专利以
8月25日消息,据国外媒体报道,美国市场研究公司iSuppli周一发布报告称,由于美国和印度对安全问题的担忧,华为和中兴将面临增长放缓的压力。iSuppli称:“在一些亟待拓展的最大的市场中,这两家企业面临着强烈
北京时间8月24日消息,根据咨询公司SNL Kagan的最新报告显示,美国付费电视产业(包括有线电视、卫星电视和通信公司的电视业务)用户数在今年二季度首度出现下滑。SNL Kagan报告称,美国的经济疲软是导致下滑的原凶,
韩国ITU研究委员会于近日宣布,韩国电子通信研究院(ETRI)服务融合标准研究组的Lee-gangchan博士已获任ITU-T下属FGCloud标准组的副主席,韩国KT公司的Jim-hyeongsu部长已获任FGSmart标准组的副主席。ITU-T在今年2月IT
北京时间6月22日凌晨消息,据国外媒体报道,美国康涅狄格州总检察长理查德·布鲁门萨尔(Richard Blumenthal)周一称,他下属的办公室将会领导一项针对谷歌未经授权即从无线电脑网络中收集个人数据的跨州调查。目
目前,功率半导体受到越来越多的关注。这是因为在实现CO2减排及环保对策时,功率半导体起到的作用极大。比如在日本国内,“变频器家电(空调、洗衣机、冰箱)”已变得相当普遍。采用变频器可使电力效率获得飞跃性提高
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
某研究报告指出,2010年下半年成长迅速的液晶电视用高亮度LED恐将因关键半导体材料短缺而受到限制。该研究报告指出,液晶电视用LED背光模块的设备需求已大幅攀升,尤其是生产氮化镓(galliumnitride,GaN)LED的有机金
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
MILMEGA有限公司总经理 Pat Moore 氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。 与现有技术相比,