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GlobalFoundries和imec共同研发22nm节点以下CMOS技术

全球领先的半导体代工厂商之一GlobalFoundries与纳电子研发中心imec签署了一项长期的战略合作协议，共同研发22nm节点以下CMOS技术以及GaN-on-Si技术。

电子设计自动化
2011-04-06

CMOS 节点 GLOBALFOUNDRIES GAN
乌干达政府接管由利比亚控股的乌干达电信

北京时间3月30日上午消息（张月红）乌干达信息与通信技术部长周二表示，乌干达政府已经接管了近日陷入困境的，由利比亚执股的乌干达电信。信息与通信技术部长Aggry Awori在电话采访中表示，乌干达政府作为监管机构，

通信技术
2011-03-30

电信通信技术 MT GAN
硅基GaN担当下一阶段LED成本下降的重任

近日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J. Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT研

电子设计自动化
2011-03-29

LED 硅基 BRIDGE GAN
硅衬底GaN有望成为降成本重要途径之一

近日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc ?K465i?MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J.Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT

单片机
2011-03-29

三星基板 BRIDGE GAN
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

模拟
2011-03-16

器件 FET EPC GAN
普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED制造技术

普瑞光电（Bridgelux）是一家美国LED照明的开发商与制造商，该公司近日宣布，他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的LED制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。该公司相关负

显示光电
2011-03-15

LED 光电氮化镓 GAN
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

功率器件
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

电源-LED驱动
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
【记者博客】关注基板

一直想为2月26日上市的任天堂新款便携式游戏机“任天堂3DS”写点什么，但既然S记者已经正式在博客中为3DS撰文，日后与3DS相关的报道和博客也会不断更新。因此，这次笔者决定把目光转向自己负责的《日经电子》杂志2月

模拟
2011-03-02

元件基板 LED芯片 GAN
Wolfgang Mayrhuber当选英飞凌新一届监事会主席

英飞凌科技股份公司年度股东大会于德国纽必堡时间2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber为监事会股东代表（98.4%的得票率）。继年度股东大会之后，监事会一致推选Wolfgang Mayrhuber为其新一届主席。Wolfgang Mayr

消费电子
2011-02-24

英飞凌 SHARE HUBER GAN
法官下达初步禁令禁止摩托罗拉泄露华为机密

北京时间2月23日消息，据国外媒体报道，华为赢得了美国法院下达的一个初步禁止令，禁止摩托罗拉在与诺西网络的交易中移交华为的商业机密。芝加哥联邦法官本周二下达的禁制令禁止摩托罗拉移交与华为对这个有争议的解决

通信技术
2011-02-24

华为 GAN
Wolfgang Mayrhuber当选英飞凌新一届监事会主席

21ic讯英飞凌科技股份公司年度股东大会于德国纽必堡时间2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber为监事会股东代表（98.4%的得票率）。继年度股东大会之后，监事会一致推选Wolfgang Mayrhuber为其新一届主席。Wolfgang

厂商文章
2011-02-23

英飞凌 BSP HUBER GAN
发展硅衬底LED技术形成自主创新品牌

科技部近日发文(国科发计(2011)5号)，决定在全国范围内新组建29个国家工程技术研究中心，其中，国家硅基LED工程技术研究中心成为本次组建项目之一，依托单位为南昌大学。这是我国第一个国家级LED工程技术研究中心。组

显示光电
2011-02-15

半导体照明照明技术 LED技术 GAN
新材料拉动RF功率器件市场

『据ABIResearch网站2011年1月26日报道』虽然RF（射频）功率半导体在无线基础设施市场仍处于停滞状态，但在其他市场，尤其是军品市场，形势已开始好转。据美国市场研究机构ABIResearch最新报告指出，GaN（氮化镓）作

消费电子
2011-02-11

功率器件新材料 RF GAN
Veeco发表生产HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD

日前，Veeco宣布，其引进的TurboDisc®MaxBright™氮化镓（GaN）有机金属化学气相沉积法（MOCVD）多反应器系统，用于生产HBled。 Veeco介绍，MaxBright利用Veeco的FlowFlange®集群架构自动化技术和专

显示光电
2011-02-11

LED BRIGHT HB GAN
分析称谷歌慈善机构Google.org未实现预期目标

导语：《纽约时报》周六刊文指出，谷歌的慈善机构Google.org曾让非营利机构兴奋不已，但近五年的时间过去了，Google.org并未实现预期目标。以下为文章内容摘要：在谷歌于2004年IPO(首次公开募股)前，公司联合创始人拉

通信技术
2011-01-30

MIDDOT GOOGLE SMITH GAN
Dow Corning加入imec GaN研发项目

Dow Corning正式签署协议，加入imec的关于GaN半导体材料和器件技术的多方研发项目。该项目关注于下一代GaN功率器件和LED的发展。Dow Corning和imec的合作将致力于将硅晶圆上外延GaN技术带入制造阶段。

电子设计自动化
2011-01-24

LED 半导体材料 NI GAN
德研究报告检讨德公司在印度太阳能项目招标中零收获

据德新社(DPA)报道，2010年德公司在印度太阳能项目招标中零收获，从而引发关于德太阳能企业国际竞争力的关注。去年1月，印度政府发布太阳能发展规划，提出太阳能安装容量从目前几乎为0至2022年提升至20吉瓦(相当于20

半导体
2011-01-08

太阳能可再生能源核电 GAN
印度太阳能项目德国零中标原因

2010年德公司在印度太阳能项目招标中零收获，从而引发关于德太阳能企业国际竞争力的关注。去年1月，印度政府发布太阳能发展规划，提出太阳能安装容量从目前几乎为0至2022年提升至20吉瓦(相当于20座核电站)的目标。

消费电子
2011-01-06

太阳能可再生能源核电 GAN
欧司朗直接绿色放射雷射研究获得贝库茨基金会颁奖

近日，欧司朗光电半导体公司因在直接绿色放射雷射(direct green-emitting laser)研究领域具有卓越贡献而获得贝库茨基金会颁奖。欧司朗是亚光(3019) 客户 MicroVision 的合成绿色雷射供应商。MicroVision在此前宣

显示光电
2010-12-15

欧司朗微型 GREEN GAN

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GAN

GlobalFoundries和imec共同研发22nm节点以下CMOS技术

乌干达政府接管由利比亚控股的乌干达电信

硅基GaN担当下一阶段LED成本下降的重任

硅衬底GaN有望成为降成本重要途径之一

EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

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EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

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Wolfgang Mayrhuber当选英飞凌新一届监事会主席

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Wolfgang Mayrhuber当选英飞凌新一届监事会主席

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分析称谷歌慈善机构Google.org未实现预期目标

Dow Corning加入imec GaN研发项目

德研究报告检讨德公司在印度太阳能项目招标中零收获

印度太阳能项目德国零中标原因

欧司朗直接绿色放射雷射研究获得贝库茨基金会颁奖

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