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IGBT：新应用带动革新 国内仍处追赶阶段
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相
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IMS Research发布2010年功率半导体市场报告
根据IMS Research的最新报告，功率半导体市场2010年强劲反弹，年增长率达到43%，销售额大概为160亿美元，模块产品增长率达到了65%，远高于分立功率器件。该报告认为，英飞凌在功率MOSFET及IGBT中市场份额最大，三菱及
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IGBT构成的交流传动逆变器的设计
摘要：分析了IGBT构成的交流传动逆变器的主电路原理、逆变电路结构及缓冲保护电路结构，并对主电路的安装布局以及电压电流参数的选取做出了说明，同时提出了一种由M57959构成的IGBT驱动电路的设计，该电路对逆变器的
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电磁炉检测电路工作原理
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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电磁炉检测电路工作原理
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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分析混合动力电动车设计中大功率器件的应用
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求，但由于混合动力电动汽车采用了几个系统，它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
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汉磊：磊晶好年冬 Q3续涨价
日本311大地震导致气体盐酸（HCL）缺货短缺，汉磊（5326）的磊晶圆（Epi Wafer）产能受到影响，但随著气体盐酸供货回复正常，汉磊6月起磊晶圆产能利用率已回升到100％。 汉磊总经理陈煌彬表示，由于节能减碳需求强
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分析混合动力电动车设计中大功率器件的应用
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求，但由于混合动力电动汽车采用了几个系统，它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
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分析混合动力电动车设计中大功率器件的应用
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求，但由于混合动力电动汽车采用了几个系统，它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
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通用型IGBT变频电源的研制过程
本文提出的变频电源,从根本上克服了上述弊端,是一种性能优良的静止变频电源。
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中国最大规模IGBT半导体产业基地开建
5月25日，中国南车大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计、芯片制造、模块封
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国内最大规模IGBT产业基地开建 年产芯片12万片
5月25日，中国南车大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计、芯片制造、模块封装、系统应
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国内最大规模IGBT半导体产业基地开建
5月25日，中国南车大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计、芯片制造、模块封装、系统应
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全桥型IGBT脉冲激光电源原理与性能分析
本文介绍的激光电源为工作于重复脉冲方式的固体激光器提供电能。该激光器采用氙灯作泵浦光源，在惰性气体灯中，氙气的总转换效率最高。激光器用于激光打标，工作频率每秒60次。电源系统采用IGBT管全桥逆变方式，工作频率为20kHz，控制电路采用PWM方式。
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英飞凌600V功率开关器件家族又添新丁
21ic讯 在PCIM Europe 2011展会上，英飞凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）600V逆导型（RC）IGBT家族的两名新成员闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速
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总投资14亿元人民币 中国首条八英寸IGBT芯片生产线项目正式启动
中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通
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总投资14亿元人民币 中国首条八英寸IGBT芯片生产线项目正式启动
中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应
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中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动
中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通
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宏微科技宣布深圳分公司正式成立
5月21日，江苏宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏图之志，成于细微”的创业理念，深耕电力电子器件领域，其研发的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模块也已应用到工业、新能源等各个领域。在成立大会上
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华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台进入量产
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产，成为
